芯耀
1203
SK海力士位于美国印第安纳州西拉斐特的HBM（高带宽存储器）工厂的开工建设持续被推迟。
据当地媒体 THE EXPONENT 报道，当地政府将西拉斐特工厂（SK 海力士的半导体芯片制造工厂所在地）重新规划为工业用地的法令再次被推迟至 5 月 5 日。
该法令将把普渡大学研究园区内的 121 英亩住宅用地重新规划为工业园区，SK 海力士将在此生产半导体芯片。
该事项原定于 4 月 7 日在西拉斐特市议会会议上进行表决，但由于区域规划委员会于 3 月 19 日投票建议市议会拒绝分区变更，该事项被推迟。
SK 海力士正在将其位于印第安纳州的部分工厂用地从住宅区重新划分为工业区，以容纳 HBM 工厂的建设。
用途的改变由西拉斐特市议会决定，但市议会需要征得居民的同意。该地区一些居民反对改变用途，理由包括交通拥堵、环境污染和生活条件恶化等。一些议员认为，投票不应经过公众批准。
SK海力士正在试图说服当地居民在美国建造一座尖端的半导体封装厂。工厂建设所必需的土地用途改变遭到了当地居民的反对。
据业界消息人士4月9日透露，SK海力士计划于4月11日（美国时间）在美国印第安纳州西拉斐特融合中心举办面向当地居民的信息说明会。
SK海力士相关人士将亲自介绍建设尖端封装工厂的计划、环境保护措施、遵守当地政府法规的努力以及如何为当地社区做出贡献。
此次活动是为了在5月5日市议会就“SK海力士工厂建设用地用途变更计划”进行最终投票之前进行的。为了让 SK 海力士建厂，普渡研究基金会 (PRF) 拥有的 121.5 英亩（491,693 平方米）土地必须从低密度住宅区 (R1) 改为重工业区 (I3)。
为市议会提供咨询的地区规划委员会（APC）此前曾就该地区用途的改变提交了一份“不同意见”，因此说服当地居民非常重要。
反对引入重工业设施的公民也向APC提交了一份有812个签名和84份书面意见的请愿书。反对改变用途的原因包括：空气、水和噪音污染；卡车运输量增加导致交通拥堵；以及因危险设施而导致的房地产价格下跌。他们认为，不应将毗邻住宅区的土地转变为重工业用途，而应利用该地区的其他工业用地。
土地用途变更的最终决策权在市议会。如果当地居民的反对情绪通过说明会有所缓和，该议程有望获得通过。
SK海力士位于印第安纳州的工厂预计将于2028年下半年投入运营，包括高带宽存储器（HBM）在内的先进封装产品将在这里生产。
SK海力士相关人士表示，“我们正在与当地居民进行沟通，正在努力确保工程能够按照既定程序按计划开始”。
SK海力士首席执行官郭鲁正去年 4 月在普渡大学举行的新闻发布会上宣布，该公司计划到 2028 年在该地区投资 38.7 亿美元（284.147亿元人民币），建设 HBM 封装工厂和研发设施。
该工厂预计将量产下一代高带宽存储器（HBM）等AI存储器产品，但如果工厂用地用途变更延迟，则有人担心其投产时间表可能会比原定计划推迟。
业内人士表示，“随着美国总统特朗普强调美国本土投资的重要性，国内企业也变得更加活跃”，并表示，“随着韩国四大企业对美投资规模的扩大，加强与当地居民沟通的必要性也将增加”。
