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SK海力士将于当地时间8月27日在印第安纳州西拉法叶举行其在美国首个生产基地——先进封装工厂的破土动工仪式。
该公司计划通过在美国本土建立高带宽存储器（HBM）封装生产基地，加强其在美国人工智能半导体市场的渗透。HBM是人工智能（AI）半导体的核心组件。此外，SK海力士还将与附近的普渡大学开展研发合作。
据SK海力士透露，奠基仪式预计将由SK海力士总裁郭鲁正以及美国商务部、印第安纳州政府和西拉法叶市的官员出席。
据半导体行业和当地媒体报道，该项目建设已全面展开。地基工程于今年4月启动，开始浇筑混凝土，目前建筑骨架的结构框架和立柱正在逐步成型。屋顶和二层支撑结构的安装也计划于年底前开始。
该项目总投资达38.7亿美元（260.0756亿元人民币），约合5万亿韩元。整个项目占地约54万平方米，相当于75个足球场的大小。该项目被认为是印第安纳州历史上规模最大的单一经济发展项目。SK海力士预计，通过建设、研发和工厂运营，将创造约7000个直接和间接就业岗位。
该工厂计划于2028年下半年投产。届时，将在此进行用于生产下一代HBM的先进封装工艺。HBM是一种通过垂直堆叠多个DRAM芯片来提高数据处理速度的内存；它是与NVIDIA图形处理器（GPU）共同构成人工智能加速器的核心组件。位于西拉法叶的工厂将作为后端工艺中心，负责堆叠和连接这些DRAM，从而完成高性能HBM的生产。
随着该生产基地的建立，SK海力士现在能够拓展与关键客户的联系，并增强其在美国——全球最大的人工智能市场——的本地化响应能力。随着包括英伟达在内的美国大型科技公司迅速加大对人工智能数据中心的投资，在本地建立HBM生产基地将有助于更快地响应客户需求并促进技术合作。预计这将提振SK海力士在当地的销售业绩，该公司凭借HBM技术已在人工智能内存市场占据领先地位。
美国境内人工智能半导体供应链的快速建立也凸显了印第安纳州工厂的重要性。目前，英伟达人工智能加速器所使用的计算半导体由台积电位于亚利桑那州的工厂生产。此外，如果SK海力士的下一代HBM先进封装技术于2028年下半年在美国投产，那么以英伟达为核心、连接台积电和SK海力士的人工智能半导体供应链预计将更加紧密地整合。印第安纳州的优势在于其以普渡大学为核心的半导体研究和人才储备。 SK海力士计划在其生产设施旁建立研发中心，与普渡大学合作开展下一代HBM和先进封装技术的联合研究。美国联邦政府和州政府也分别承诺提供高达4.58亿美元和7.1218亿美元的资金支持，从而减轻投资负担。
与此同时，人们关注的焦点是SK海力士是否会在此次奠基仪式上透露其在美国追加投资的消息。印第安纳州工厂是一家HBM后端加工厂，并非直接生产DRAM的前端晶圆厂。上个月，美国商务部长霍华德·鲁特尼克在纽约美光Clay Megafab工厂的一次活动中，特别提到了三星电子和SK海力士，敦促它们在美国建设存储器生产设施。业界将此解读为SK海力士要求其将DRAM前端生产扩展到美国。SK海力士印第安纳州工厂的奠基仪式将于晚上11点举行。截止时间为 27 日凌晨 12:30（当地时间），并将通过公司新闻编辑室进行现场直播。
