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国家出台充电桩新政策!SiC需求将大幅增长

2025/10/21
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10月15日,国家发展改革委等部门发布关于印发《电动汽车充电设施服务能力“三年倍增”行动方案(2025—2027 年)》的通知。

这一政策官宣,意味着碳化硅产业正迎来重大机遇。尤其是在政策驱动下,充电桩企业早已率先启动碳化硅器件招标。同时,即将实施的电动汽车供电设备能效新国标更将倒逼技术升级。

一场与碳化硅息息相关的能源效率革命,正在充电桩市场悄然爆发。

“三年倍增”行动方案官宣SiC迎来确定性增长

行动方案明确,到2027年底,在全国范围内建成2800万个充电设施,提供超3亿千瓦的公共充电容量,满足超过8000万辆电动汽车充电需求,实现充电服务能力的翻倍增长。这一“倍增计划”不仅是充电基础设施的规模扩张,更隐藏着对设备技术升级的硬性需求。

相较于传统硅基IGBT器件,碳化硅器件因其高耐压、高频率、低损耗的特性,不仅能提升充电桩的转换效率,同时能缩小设备体积、降低散热成本,正成为提升充电桩功率密度和能效的关键材料。

对此,业内人士指出,这一重磅政策,将有望直接拉动对碳化硅功率器件的需求。

充电桩企业抢先布局,SiC采购需求增加

值得关注的是,在政策明确之前,今年已有部分充电企业率先启动碳化硅器件布局。

6月,作为充电桩运营商,特来电在官微发布“功率器件采购招标公告”,以公开招标的方式招标碳化硅MOSFET、碳化硅二极管绝缘栅双极晶体管(IGBT),其中对碳化硅器件的需求量达1000万颗。投标器件年度需求分别是:

包一:碳化硅MOSFET,年度净需求:400万颗。

包二:碳化硅二极管,年度净需求:600万颗。

包三:绝缘栅双极晶体管(IGBT),年度净需求:600万颗。

7月,充电设备厂商领充新能源也在官微发布“IGBT&MOS招标”,涵盖碳化硅MOS及IGBT,其中对碳化硅MOS的年需求量达160万颗。具体招标物料/年用量pcs如下:

标的一:1200V 40mΩ SIC MOS -- 1.6KK;

标的二:650V 50A IGBT -- 1.2KK;

标的三:650V 75A IGBT -- 1.2KK。

这些招标动向在表明,充电桩企业已锁定碳化硅技术,以应对充电模块大功率化、高效化的发展趋势。

此外,据“行家说三代半”不完全统计,今年以来已有超25款充电桩采用碳化硅。从另一角度来看,在能效升级和成本控制方面,碳化硅技术能为充电桩企业提供有效助力。

能效新国标倒逼技术升级,SiC成为企业破局的关键

在需求扩张的同时,充电桩开始面临严格的能效门槛。

10月5日,国家市场监督管理总局批准发布了GB 46519-2025《电动汽车供电设备能效限定值及能效等级》,新国标将直流充电设备能效分为3个等级,其中一级能效要求整桩加权效率不低于96.5%,该标准将于2026年11月1日起正式实施。

当前市场上采用传统硅基IGBT的充电桩,整桩效率普遍低于96.5%,难以满足一级能效标准。这也意味着,随着2026年11月标准正式实施,企业若不主动进行技术升级,大量现有充电桩产品可能面临淘汰。而能将充电桩效率提升至97%以上的碳化硅方案,则成为达标的关键路径。

总而言之,从国家“三年倍增计划”的政策拉动,到充电桩企业千万级的招标需求,再到能效新国标的技术倒逼,碳化硅正成为充电桩产业升级的一大变量。

对于碳化硅产业而言,充电桩市场的爆发不仅是短期增量,更将推动器件厂商在成本控制、可靠性验证等方面持续突破,进而反哺新能源汽车、储能等领域的应用。而对于充电桩企业,能否抓住碳化硅技术,或将成为其在能效竞赛与市场竞争中占据先机的关键。

 

本文发自【行家说三代半】,专注第三代半导体(碳化硅和氮化镓)行业观察。

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