Taiko晶圆是如何去环的？

Taiko晶圆边缘圆环的结构特征

中心区域：经过研磨、减薄，厚度极薄（几十微米）；

边缘圆环区域：保留原始厚度（几百微米），形成明显的厚度台阶；

圆环宽度通常约 3 mm，在晶圆背面呈“厚边薄中”的鼓面形态。

TAIKO晶圆边缘圆环带来的问题

电性测试: 常规电性测试设备需要平整的背面接触，无法直接测试 TAIKO 晶圆。

晶粒切割: 常规切割设备无法在带有边缘圆环的晶圆上直接进行晶粒切割

如何去环？目前主流的方式为刀片切割与激光切割，本文就以激光切割为例来讲解。

激光切割通常无需正面贴膜。直接将晶圆正面朝下放置于切割盘进行切割。激光切割通过聚焦的高能激光束照射硅表面，使局部区域发生瞬时熔化、汽化或热裂解，并由辅助气体（空气/N₂）排出碎屑，从而形成切缝。

激光切换易造成的工艺问题？

1，激光热量可能导致晶圆正面金属熔化并粘附在切割盘上，取晶圆时易裂片。

2，取出切割下来的圆环时，可能因操作不当导致晶圆边缘破裂。

3，激光未能完全穿透圆环，导致去环时产生裂片。

4，毛刺：当切割速率太大时，切割边缘变得不够光滑，毛刺增多。

欢迎加入Tom的半导体制造与先进封装技术社区，在这里会针对学员问题答疑解惑，上千个半导体行业资料共享，内容比文章丰富一千倍，适合快速提升半导体制造能力，目前有2500位伙伴，介绍如下：