长电科技完成玻璃基TGV+PSPI晶圆级射频IPD工艺验证

今日，长电科技宣布成功完成基于玻璃通孔（TGV）结构与光敏聚酰亚胺（PSPI）再布线（RDL）工艺的晶圆级射频集成无源器件（IPD）工艺验证。

据悉，此次工艺验证的核心突破在于技术路径的创新升级。长电科技以TGV技术为基础构建3D互连骨架，在玻璃基板上实现了电感、电容等关键无源结构的高效集成，并将传统平面电感升级为3D结构，有效降低了高频损耗，同时显著提升器件品质因数（Q值）。

经对比评估显示，在既定测试条件下，该3D电感的Q值较同等电感值的平面结构提升接近50%，整体性能表现优于传统硅基IPD技术路线，助力射频模组往小型化、高集成度、高性能方向发展。

据悉，经过多年深耕，长电科技在射频封装领域已形成面向射频PA、RFFE模组与毫米波应用的封装与测试能力：支持SiP、AiP等多种封装形态，覆盖共形、分腔及选择性溅射屏蔽，并具备5G、毫米波、NB‑IoT及高速信号测试能力；同时提供射频系统仿真与封装协同设计，并配套覆盖射频微波、毫米波、5G蜂窝与无线通信等的一站式验证测试平台，支撑客户从芯片、封装到模组与整机的验证与导入。

长电科技副总裁、技术服务事业部总经理吴伯平表示，“面向AI算力芯片的迭代跃迁与6G通信的前瞻布局，长电科技将加速推进玻璃基TGV与PSPI晶圆级IPD技术在射频系统级封装中的工程化落地。”