三星CTO：HBM5搭配2nm代工工艺

三星电子（005930）宣布为其下一代高带宽内存（HBM）“HBM5”推出2纳米（nm）代工工艺。该公司计划通过抢占先机验证专用散热管理技术，巩固其在人工智能（AI）内存市场的领先地位。

三星电子器件解决方案（DS）事业部总裁兼首席技术官宋载赫于当地时间6月2日在台北南港展览馆举行的“Computex 2026”展会上与记者见面，透露了这些抢占下一代内存市场先机的计划。

宋载赫指出，随着人工智能系统向超高性能架构演进，数据处理效率和散热管理技术已成为关键的竞争因素。他强调了涵盖存储器、晶圆代工、逻辑电路和封装的“整体解决方案”的重要性。

三星电子在本次展会上首次展示了HBM5芯片的样机（物理模型）。HBM5芯片的基础芯片预先采用了2nm工艺，以最大限度地提高能效和性能。

具体的量产计划将根据客户需求灵活调整，目标是在今年年底或明年初交付样品。采用新技术也是优先考虑客户需求和适应性的。

该公司还发布了“HPB”（热路径阻隔）技术，这是一种旨在克服散热限制的新一代热管理技术。它采用一种能够高效分散和释放物理层（PHY）区域产生的热量的结构。

宋载赫解释说：“三星HBM5的优势在于通过增加独立的热传导路径来降低热阻并提高运行稳定性。”他补充道：“它将在未来高带宽、高密度人工智能环境中发挥关键作用，从而提升系统整体效率。”

三星电子此前已将这项技术应用于其HBM4E产品，该产品已于5月29日开始出货样品，并已完成可靠性和封装稳定性的验证。

此次活动还展示了支持NVIDIA下一代“Vera Rubin”芯片系统的内存产品组合。除了去年2月开始量产出货的HBM4之外，三星还发布了SOCAMM2和PM1763等人工智能存储解决方案。

宋载赫表示，他将带领团队突破亚纳米精细工艺的物理极限。

他强调：“我们决心全力以赴，将所有可用资源投入公司，力争在技术领域占据领先地位。” “我们计划通过与包括英伟达在内的全球公司的合作，不断增强我们在下一代内存技术领域的竞争力。”

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