围绕人工智能半导体价格上涨的市场疑问正迅速从“价格还能上涨多少?”转变为“价格是否已经见顶?”
由于DRAM和固态硬盘(SSD)的出口单价较上月略有下降,人们开始担忧内存价格可能已在上月见顶。此外,尽管三星电子公布了创纪录的第二季度财报,但其股价却出现下跌,这使得市场关注点从当前的盈利能力转向了大型科技公司人工智能投资的可持续性以及未来的盈利增长率。
然而,仔细分析供需指标却揭示了不同的景象。专家分析认为,价格增长放缓和内存供应短缺问题的解决是两个不同的问题。
市场研究公司IDC在7月8日题为“内存市场展望:供应短缺何时结束?”的网络研讨会上指出,供应紧张已将内存市场的转折点推迟至2028年下半年之后。
IDC在6月份的预测中,DRAM的供需比实际上较去年3月份的预测有所下降。预计到2027年第四季度,DRAM的供应短缺率将扩大至13%左右,而NAND闪存的供应短缺率预计将在2027年全年维持在3%至4%左右。
尽管预计DRAM的产量增长在今年和明年都将落后于需求增长,但NAND的产量预计总体上将与需求保持同步。这意味着市场尚未达到顶峰,而是进入了一个以DRAM为中心的供应短缺加剧的阶段。IDC将今年和明年描述为历史性的高速增长期,供应短缺和价格飙升同时出现。
供应短缺的背后是生产结构的转变,而不仅仅是需求增长。
据IDC称,即使DRAM产能增长近10%,其中超过30%的产能也分配给了高带宽内存(HBM)和SOCAMM等人工智能产品。相当一部分产能已经通过多年长期协议(LTA)得到保障。即使工厂和设备不断扩建,通用DRAM市场的供应量也必然有限。
同样,对于NAND闪存,除了中国长江存储技术股份有限公司(YMTC)新建的晶圆厂外,几乎没有大规模的产能扩张。即使大型科技公司的投资增速有所放缓,其结构也决定了通用DRAM市场仍然缺乏足够的供应。
需求中心也正从移动设备和PC转向服务器和企业级产品。IDC预测,到2030年,服务器和HBM将占DRAM需求的60%以上,而NAND在企业级SSD中的份额也将迅速增长。
诊断结果显示,一个新的周期正在形成,这与过去通过新建工厂迅速解决供应短缺问题的情况截然不同,因为存储器正从消费电子产品的组件转向支持人工智能数据中心的基础架构。
继去年3月签署首份五年战略客户协议(SCA)后,美光在三个月内将合同数量增加到16份。其中,14份合同在剩余合同期内按最低价格计算,累计收入约为1000亿美元。
已签署的合同涵盖了美光DRAM约20%的销量和NAND闪存约三分之一的销量(合同期内)。美光预计,一旦所有计划中的合同最终敲定,其总收入的一半以上将来自长期合同协议(SCA)。
这些合同采用“照付不议”模式,客户必须购买一定数量的产品。这表明,过去以季度价格谈判为中心的内存市场正在向企业提前锁定数年销量的模式转变。
这与IDC的观点相符,即长期合同协议(LTA)是确保稳定供应的关键条件。在供应有限的情况下,即使价格上涨,未签署长期合同的客户也可能难以获得所需的销量。
杰富瑞预测,今年下半年内存价格将大幅上涨,且在2028年之前不会出现明显的下跌趋势。Gartner分析指出,随着HBM吸收了大部分新增产能,通用DRAM的供应将进一步收紧。
Counterpoint Research也认为,供应链的正常化最早也要到2028年初才能实现。
需要注意的关键是价格与供需关系的“脱钩”。
IDC预测,随着内存价格涨幅接近极限,价格将开始独立于供需关系而波动。鉴于今年服务器DRAM的合约价格每个季度都大幅上涨,未来增速放缓是自然规律。
这意味着,即使某些产品的价格较上月或上季度有所下降,如果绝对价格仍处于历史高位且供应短缺持续存在,也很难将其解读为市场逆转的信号。
制造商也极有可能将策略从提价转向控制销量。无限期提价可能会导致个人电脑和智能手机等消费电子设备制造商的需求抵制情绪加剧。相反,他们可以通过根据产品和客户调整供应量,并优先向签订长期合同的战略客户分配供应量,来维持高盈利能力。
仍然存在变数。谷歌、亚马逊和Meta等大型科技公司的盈利公告和人工智能投资计划将成为确认需求可持续性的关键节点。高价内存可能会增加消费品的成本负担并抑制需求,这种可能性不能排除。
然而,价格增长速度放缓和供应短缺问题得到解决并非同义词。这是因为HBM的技术限制、晶圆投入量大以及长期合同的扩张持续制约着通用存储器的供应。
IDC副总裁金秀谦(Kim Soo-kyum)预测:“虽然存储器周期依然存在,但与过去相比,周期已经延长,战略意义也更加凸显。”他补充道:“存储器市场的转折点预计将推迟一年左右,出现在2028年,之后将逐步调整。”
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