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官宣!台积电对美投资增至2650亿美元,再建4座晶圆厂

6小时前
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7月16日,晶圆代工大厂台积电召开了2026年二季度法人说明会。Q2业绩超预期,净利同比大涨77.4%创历史新高,2nm制程也已开始贡献营收。台积电还宣布上调全年营收和资本支出,并回应了与三星和英特尔的竞争、先进封装、涨价等议题。更令人瞩目的是,台积电正式宣布对美国追加1000亿美元投资,使其在美国的总投资额将达2650亿美元。

Q2净利同比大涨77.4%

合并营收约新台币12,703.8亿元,同比增长36%,环比增长12%;毛利率67.7%,高于预期的65.5%至67.5%;营业利益率60.3%,同样优于预期的56.5%至58.5%;税后净利润约新台币7,065.6亿元,同比大涨77.4%,环比增长23.4%,创下历史新高;每股收益约新台币27.25元(折合美国存托凭证每单位为4.31美元),同比大涨77.4%。

如果以美元计算,台积电第二季营收为402亿元,同比增长33.7%,环比增长12.0%;毛利率为67.7%;营业利润率为60.3%;税后净利润率为55.6%。

台积电累计上半年营收达新台币24,044.84亿元,同比增长35.6%; 毛利率为67%,同比提升8.3个百分点;归属母公司净利润为新台币12,790.42亿元,同比大涨68.3%;每股收益新台币49.32元。

从各制程工艺的营收占比来看,2nm占比约3%、3nm占比30%、5nm占比33%、7nm占比11%,7nm及以下先进制程合计占比达77%。

从应用领域来看,HPC营收环比增长20%,在总营收当中的占比高达66%;智能手机营收环比下滑4%,在总营收当中占比为22%;IoT营收环比增长4%,在总营收当中占比为5%;汽车相关营收环比增长15%,在总营收当中占比为4%;DCE营收环比增长5%,在总营收当中占比为1%;其他应用营收环比增长5%,在总营收当中占比为2%。

第三季营收或达458亿美元

台积电预计,第三季营收以美元计算约为446-458亿美元,其中间值环比增长12%,毛利率介于65-67%、营业利润率介于56-58%,汇率假设基础为1美元兑32新台币。

台积电财务长黄仁昭表示,第三季毛利率环比减少,是因为2nm量产初期导致的毛利稀释。

全年美元营收增长将超40%

针对全年的营收目标,台积电在今年4月一季度法说会上就已经将今年的美元营收增长目标上调至超越30%。而在此次的二季度法说会上,台积电又进一步将全年营收增长目标上调至“微幅超过40%”。

魏哲家表示,虽然零组件价格上涨及总体经济不确定性,可能为价格敏感的消费性电子产品市场带来挑战,但是AI需求强劲,客户及客户的客户释出强烈信号和正面展望,预期台积电今年美元营收年成长率有望微幅超过40%。

今年资本支出上修至600-640亿美元

资本支出方面,台积电最新财报显示,今年一季度资本支出约111亿美元,第二季资本支出支约157亿美元。

为支持市场旺盛等需求,魏哲家在法说会上宣布,台积电将上修全年资本支出,预计将达600-640亿美元的历史新高。相比今年4月的一季度法说会上公布的“接近520亿至560亿美元上缘”的说法上修了约7%至14.3%。

魏哲家表示,上修资本支出为了支持客户的需求,多数用于先进制程投资所需。其中,代理型AI(Agentic AI)需求的强劲增长是推动本次上调的重要原因之一。

台积电首席财务官黄仁昭则指出,今年增加投入资本支出,为了掌握未来业务机会。只要有业务机会,台积电会毫不犹豫投资,对于人工智能AI未来长期趋势,抱持非常强烈信心,台积电正在加大资本支出。

对美国追加1000亿美元投资,再建4座晶圆厂

早在2020年台积电就宣布了在美国亚利桑那州投资120亿美元建厂计划,并于 2021 年 4 月开始在该地区建造首个晶圆制造厂。随后,台积电宣布将对美投资扩大至650亿美元,除了最初的晶圆一厂之外,还将建立两座晶圆厂

2025年3月,台积电又宣布对美国追加1000亿美元投资,包含再建设三座新晶圆厂、两座先进封装设施,以及一个主要研发中心。这使得台积电对美国的总投资达到了1650亿美元。

目前,台积电亚利桑那州第一座4nm晶圆厂已经开始量产;第二座3nm晶圆厂,目前正在建设当中,预计于2027年量产。这两座晶圆厂达产后,合计将年产超过60万片晶圆;第三座晶圆厂已经开始破土动工,将生产2nm或更先进的制程技术,预计将在2029~2030年间量产。

不过,美国政府一直希望台积电继续扩大对美国的投资,并且特朗普政府甚至还不惜公开以关税作为威胁手段。

今年1月,中国台湾与美国达成贸易协议,美国对中国台湾关税降至15%,交换条件是中国台湾直接在美国境内项目投资2,500亿美元。但是台积电在美国拜登政府时期承诺的650亿美元,似乎不计入这2,500亿美元总额。当时外界就猜测,台积电将会追加对美国的投资额。

随后多位美国官员也对外透露,台积电将扩大对美国的投资。今年7月1日,美国总统特朗普在离开马里兰州安德鲁联合基地(Joint Base Andrews)前接受媒体采访时表示,台积电正将亚利桑那州在建晶圆厂的规模扩大一倍,并预测在其任期内美国芯片市占率有望达到50%。

在此次的台积电二季度法说会上,台积电董事长暨总裁魏哲家正式宣布,将在美国亚利桑那州追加1000亿美元投资,预计将再建置4座晶圆厂,以及先进封装厂,满足美国客户未来多年的强劲需求。此举将使台积电在美国的总投资额达到2650亿美元。

魏哲家表示,在美国主要客户及美国联邦、州和市政府的大力合作与支持下,将在亚利桑那州追加1000亿美元投资,用以建置更多2nm及以下制程的逻辑晶圆厂,以及先进封装工厂,以满足美国客户未来多年的强劲需求。这将有助于进一步促进美国半导体生态系统发展,强化供应链,并为美国产业创造更多就业机会。 至于相关进度将取决于市场状况。

对于具体的新建晶圆厂的数量,魏哲家回应说,在亚利桑那州追加1,000亿美元的投资,可以盖数个厂,可能会再建四个或更多晶圆厂。

黄仁昭补充称,加码美国投资基于客户需求高速成长以及美国官方大力支持,同时台积电在美国新厂一、二厂都已相当成功,一厂良率媲美台湾厂区。

彭博社采访的一位美国官员也表示,台积电新增的1000亿美元将用于建设四座芯片工厂,生产采用2nm制程或更先进制程技术的逻辑芯片,使台积电在美的晶圆制造厂最终达到10座,封装厂达到2座。这位官员说,具体视市场状况而定,台积电最终也可能调整为3座逻辑晶圆厂和1座封装厂,但未说明整体投资时间规划。

除了扩大美国的产能之外,台积电也将继续扩大在中国台湾的产能。魏哲家强调,台积电未来几年同时将在中国台湾建设13座先进制程晶圆厂,继续在中国台湾发展壮大。 台积电的技术和制造将持续协助客户实现创新。

从全球布局来看,台积电计划新建的3座3nm晶圆厂,1座位于中国台湾,1座位于美国亚历桑纳州,1座位于日本,以支持未来多年对3nm技术的强劲需求。此外,台积电还将在中国台湾改造原有的5nm厂,以支持3nm芯片生产。

不惧三星、英特尔竞争

目前三星电子和英特尔都在积极地发展尖端制程,以期在当前AI所需的先进制程产能供不应求的环境下,与台积电展开竞争。

三星晶圆代工业务自去年以来取得了不错的成果,不仅拿下特斯拉AI芯片以及英伟达Gorq芯片代工大单,近期传闻Anthropic的自研AI芯片也将交由三星代工。

根据外资投行KeyBanc Capital Markets发布的最新研究报告也显示,英特尔最先进的Intel 18A制程良率已突破85%,晶圆代工业务也获得了苹果、AMD、英伟达、Marvell、微软美光(应该是HBM逻辑芯粒)以及OpenAI等客户的晶圆代工设计订单(Foundry design win)。

面对三星和英特尔的挑战,魏哲家表示,台积电最重要的竞争优势包含技术、制造和客户信任,这三点在他30到40年的职业生涯中从未改变。 这始终是最重要的,也是台积电赢得业务的秘诀。而选择一项技术并将其量产也没有捷径可走,可不是像是去7-Eleven买瓶牛奶这么简单。

魏哲家幽默地指出:“没错。 我们在韩国的一个竞争对手赚了很多钱,我很羡慕。 然后,我们在美国的另一个竞争对手得到了美国政府的大力支持。 顺便说一句,我们也得到了政府的支持,虽然我们没有公开宣布。 但是,我想和你们分享一下,正如我们所说,选择技术合作伙伴,没有捷径可走。”

持续扩大先进封装产能,也乐见英特尔先进封装的成功

在AI热潮的驱动下,当前台积电的先进封装产能非常吃紧,不得不将部分工序外部给了日月光等外部封测厂。同时,这也使得部分客户转向了英特尔的EMIB-T等先进封装技术

对此,魏哲家表示,整体来看封装产能非常吃紧,台积电非常努力缩短先进封装需求与产能之间的差距。同时,台积电也乐见更多厂商投入先进封装新技术,不仅提升市场的灵活度,也有助于台积电业务增长。他指出,先进封装是台积电业务的重要部分。

魏哲家说,根据媒体报导,(英特尔)相关先进封装技术看起来不错,台积电希望能够成功,可以分担台积电部分的产能负荷,也可让客户规划有更大的弹性。 他指出,台积电首要任务就是支持客户成功,凡是能协助客户业务成功的事,台积电都会去做。

High NA EUV是否导入量产,不能只看性能

7月15日,ASML宣布英特尔已在其最先进产品(代号为“Panther Lake”的英特尔 Core Ultra 3系列处理器)的批量制造中使用高数值孔径(High NA)EUV,意味着市场上英特尔的部分产品已采用 ASML High NA EUV系统生产。这一消息引发了市场的广泛关注。

相比之下,台积电在High NA EUV光刻机的导入上并不积极。此前台积电高管就曾明确表示,其A14制程都不会考虑采用High NA EUV光刻机。

魏哲家对此表示,High-NA EUV具备相当优异的效能,但是否正式导入量产,不能只看技术表现,还要同步评估设备成本、技术成熟度,以及曝光视野缩小后对制造流程带来的影响。

魏哲家解释称,High-NA EUV曝光视野仅有现有Low NA EUV设备的一半,大型芯片可能需要通过芯粒拼接方式完成曝光,可能提高制造复杂度,并进一步影响客户采用速度。

目前台积电已将High-NA曝光视野缩小至一半的问题,纳入整体制造成本与量产评估。魏哲家强调,High-NA本身是一项效能很好的工具,但台积电目前仍持续与ASML合作,希望进一步改善设备成本与技术成熟度,使其更符合大规模制造需求。

不会大幅涨价

近期业内消息显示,台积电已经通知客户,计划将3nm和5nm等尖端制程以及7nm制程的晶圆供应价格提高5%至10%。此外,台积电还计划于明年1月对成熟制程涨价。

魏哲家在此次的法说会上并未正面回应涨价传闻,仅表示台积电是一家非常值得客户信赖的公司(we are a very trustable company with our customer),虽然会反映自身技术与制造价值,但不会突然大幅涨价,甚至一次提高四倍、五倍,让客户无法在市场上生存。

魏哲家指出,台积电与客户是长期合作伙伴,公司的成功也建立在客户能够成功之上,因此不会为了追求短期获利而挤压客户。 台积电的定价原则,是取得应有的价值,同时维持足以支撑长期投资及持续扩产的毛利,这对台积电及客户都有利。

在谈及存储芯片厂商受益于“存储超级周期”,毛利率及获利持续飙升时,魏哲家也忍不住地直言,“真的很羡慕存储器公司的86%毛利率”。他笑着说,台积电不需要达到86%,“有68%,我就很高兴了”。

同时,魏哲家也重申,台积电最重要的原则仍是值得客户信赖,不会因市场供应吃紧便突然大幅调价,而是在客户能够持续成长的前提下,取得合理报酬并支撑公司长期扩产。

编辑:芯智讯-浪客剑

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