全球半导体CMP耗材供应商汇总（94家）

周一的文章里说过要提高一些材料方面的内容比例，所以今天继续发布一个CMP耗材供应商数据化学机械抛光（CMP：Chemical Mechanical Polishing）的原理。

其实在半导体制造的各种工序里不算复杂，不过其用到的主要耗材的种类也不少。

在我最新的数据库里，目前已经统计到了94家相关耗材的供应商了。当然，其中业也包含了晶圆衬底的研磨液和研磨垫。由于技术要求的差异，它和前道使用的研磨液和研磨垫是有所不同的。这个我在后面的表格里也是有所标注的

以下为我用AI整理的各个产品的简单介绍：

1. 研磨液（CMP Slurry，抛光液）

CMP 最核心耗材，占耗材成本约 50%由纳米磨粒（二氧化硅、氧化铈、氧化铝）、氧化剂、络合剂、缓蚀剂、pH 缓冲剂、超纯水复配而成。

功能：一方面化学软化晶圆表面薄膜（氧化、络合）；另一方面纳米磨粒机械剥离反应层，控制材料去除速率、选择比、表面粗糙度。

分类：氧化物、铜、钨、STI 浅槽隔离等专用研磨液，不同薄膜必须匹配对应配方。

2. 研磨垫（Polishing Pad，抛光垫）

第二大核心耗材，聚氨酯多孔发泡材料为主，占耗材成本约 30%

功能：提供机械摩擦界面；内部孔隙 + 表面沟槽储存、输送研磨液，排出研磨碎屑；硬度、孔隙率、沟槽样式直接决定平坦化能力、片内均匀性。

分类：

硬垫（高平坦化，用于主研磨）；

软垫（低缺陷，用于终抛精抛）。特点：持续使用表面会玻璃化（ glaze），必须配合修正盘修整；有使用寿命，加工数百片晶圆后需要整体更换。

3. 清洗液（Post‑CMP Cleaning Solution）

CMP 后清洗工序专用化学品，分为碱性、酸性、表面活性剂复配体系。

功能：去除晶圆表面残留研磨颗粒、金属离子、有机残渣、研磨液化学残留物，防止颗粒吸附、金属污染造成器件漏电、良率下降。

类型：碱性清洗侧重颗粒剥离；酸性清洗侧重金属离子螯合去除；配方要兼顾不腐蚀已经暴露的金属、介质薄膜。

4. 修正盘（Conditioner，钻石修整盘 / 金刚石碟）

金属基底烧结金刚石微颗粒，属于半消耗件。

功能：实时 / 离线修整研磨垫表面，刮除垫表面堵塞碎屑，重新打开孔隙，恢复研磨垫粗糙度，避免抛光垫玻璃化导致去除速率衰减、均匀性恶化。

特点：金刚石颗粒粒度、排布、突出高度决定修整效果；随使用金刚石磨损，到达寿命后更换。

没有修正盘，研磨垫很快失效。

5. 过滤器（CMP Slurry Filter）

PTFE / 尼龙等耐腐高精度滤芯，安装在研磨液输送管路、点 dispense 前端。

功能：拦截研磨液中团聚大颗粒、外来杂质，防止大颗粒流到晶圆表面产生划痕缺陷。

特点：不同工艺选择不同孔径；研磨液容易堵滤芯，需要定期更换；先进节点需要多级过滤。

6. 保持环（Retaining Ring，压环）

高性能工程塑料（PPS、PEEK 等），抛光头组件消耗件。

• 功能：CMP 抛光过程箍住晶圆边缘，防止晶圆打滑飞出；同时调控晶圆边缘区域压力，改善晶圆边缘抛光均匀性。特点：持续和研磨垫摩擦磨损，内壁会产生微小碎屑，磨损到阈值必须更换，是边缘良率关键部件。

7. 清洁刷（Post‑CMP Brush，CMP 清洗刷）

多孔 PVA 发泡材质滚刷，用于 CMP 后清洗机台。

功能：物理摩擦晶圆正反面，剥离粘附顽固研磨颗粒；配合清洗液使用，属于物理清洗手段。

特点：孔隙结构会逐渐被颗粒堵塞、老化变形，定期更换；刷丝脱落会引入新污染，对材料纯度要求高。

8. 吸附膜（Backing Film / 背膜 / 承载膜）

高分子多孔弹性薄膜，贴在抛光头载具与晶圆背面之间。

功能：真空吸附固定晶圆背面；均匀传递抛光压力，缓冲压力波动；保护晶圆背面不被划伤。

特点：压缩率、硬度、孔隙；直接影响整片晶圆压力分布，进而影响片内抛光均匀性；每加工一定数量晶圆就要更换。

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