時科亮相 PCIM Asia 2026,以高效功率器件赋能AI 电源、工业控制与新能源应用从高压碳化硅到中低压 MOS,集中展示多场景功率半导体解决方案。
碳化硅MOS管:面向高压、高频、高效率功率转换
随着AI服务器、新能源及高功率工业设备持续提升功率等级,系统对器件耐压、导通损耗和开关性能提出了更高要求。
時科碳化硅MOS管产品覆盖650 V、750 V、1200 V、1700 V及3300 V等电压平台,并提供TO-220、TO-247、D2PAK-7L、TOLL等多种封装选择。
碳化硅MOS管:面向高压、高频、高效率功率转换
随着AI服务器、新能源及高功率工业设备持续提升功率等级,系统对器件耐压、导通损耗和开关性能提出了更高要求。
時科碳化硅MOS管产品覆盖650 V、750 V、1200 V、1700 V及3300 V等电压平台,并提供TO-220、TO-247、D2PAK-7L、TOLL等多种封装选择。
-
650 V SKSC065N系列,导通电阻覆盖15 mΩ至90 mΩ -
1200 V SKSC120N系列,导通电阻覆盖7.5 mΩ至80 mΩ -
1700 V SKSC170N系列,导通电阻覆盖20 mΩ至80 mΩ -
3300 V SKSC330N系列,导通电阻覆盖15 mΩ至1000 mΩ
碳化硅二极管:助力高频电源实现低损耗、小型化
-
SSC系列TO-252产品,电流覆盖4 A至10 A -
SSC系列DFN5×6产品,电流覆盖4 A至10 A -
SSC系列DFN8×8产品,电流覆盖6 A至10 A
Low VF肖特基二极管:服务UPS、工业电源及BMS应用
-
150 V至300 V、90 A双芯片TO-247产品 -
60 V、15 A单芯片TO-277产品 -
100 V、15 A单芯片TO-277产品
中低压MOS:聚焦PD快充与同步整流
-
SKG95N10AD:100 V、95 A、5.5 mΩ -
SKG108N10AD:100 V、108 A、5.2 mΩ -
SK60N04BD:40 V、60 A、6 mΩ -
SK45N03BD:30 V、45 A、8.5 mΩ
与時科相约PCIM Asia 2026
阅读全文
279
