SK海力士正积极推进高数值孔径EUV光刻技术(High NA EUV)的引入和量产,这项下一代光刻设备计划于2028年前应用于其DRAM制造工艺。
据业内人士9月8日透露,SK海力士的目标是在2028年前将高数值孔径EUV光刻技术应用于DRAM量产。该公司还在考虑加入由台积电牵头的“大尺寸掩模联盟”。
高数值孔径EUV光刻技术是一种下一代光刻设备,它通过采用比传统EUV更大的数值孔径(NA),显著提高了分辨率。由于它能够实现目前最精细的电路图案,因此有望在缩小线宽和提高集成密度方面发挥关键作用。
对于半导体制造商而言,推进微工艺技术至关重要,这有助于提高生产效率和产品性能。这是因为电路实现的精度越高,每片晶圆的芯片产量就越高,从而同时提升能效和性能。自2021年首次将EUV光刻技术应用于其10nm级第四代(1Anm)DRAM以来,SK海力士一直在拓展EUV技术在尖端DRAM制造领域的应用。
SK海力士计划通过简化现有EUV工艺,并引入新一代光刻设备加速下一代存储器的研发,从而在保证产品性能和成本竞争力的同时,实现这一目标。
SK海力士也在考虑加入由台积电和荷兰半导体光刻设备公司ASML共同发起的“大尺寸光刻掩模联盟”。
“大尺寸光刻掩模联盟”是一个旨在推动半导体光刻设备从目前使用的6英寸光刻掩模过渡到12英寸光刻掩模的咨询机构。该计划旨在共同监测与光刻设备和光掩模相关的全球技术趋势,并开展联合研究和标准制定等合作活动,以期开发出12英寸光掩模。三星电子也决定加入该联盟。
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韩中工商联盟总会AI存储专委会委员长、芯枢科技负责人 林美炳
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