Soitec ：FD-SOI生态全面成熟，从40nm迈向18nm，量产不再是瓶颈

2026年9月20日，上海——在今日举行的第十一届上海FD-SOI论坛上，在Soitec首席执行官Laurent Rémont开场致辞后，Soitec FD-SOI业务线总经理Foo Leng Leong发表了题为《FD-SOI时代变革：赋能边缘AI、汽车电子及万物互联》的主题演讲。

图 | Soitec FD-SOI业务线总经理Foo Leng Leong发表演讲

他指出，随着半导体架构在体硅（Bulk Silicon）上逐渐触及物理与热学极限，FD-SOI技术已确立为节能高效、高性能边缘计算的基石，其生态系统已全面成熟，正驱动一场从边缘到云端的计算革命。

市场需求强劲，FD-SOI进入高速增长期

Foo Leng Leong在演讲中展示了FD-SOI市场的强劲增长前景。数据显示，受边缘与物理AI、自动驾驶以及5G连接等领域的强劲需求驱动，FD-SOI市场规模将持续扩大。预计到2030年，边缘与计算、汽车与雷达、连接性三大细分市场的复合年增长率（CAGR）将分别达到29%、22%和29%。

图 | 受边缘与物理AI、自动驾驶以及5G连接等领域的强劲需求驱动，FD-SOI市场规模将持续扩大

他强调，FD-SOI的增长并非单一维度的，而是由“连接性”、“边缘与计算”以及“汽车与雷达”三大核心引擎共同拉动。在连接性方面，FD-SOI是唯一能实现全集成5G毫米波系统级芯片（SoC）的解决方案，具备高性价比、低功耗和小尺寸优势；在边缘计算领域，其超低功耗特性完美契合了边缘AI推理的需求；而在汽车领域，FD-SOI凭借卓越的性能，正成为ADAS和毫米波雷达的首选技术。

技术优势显著：从超低电压到抗物理攻击

Foo Leng Leong深入探讨了FD-SOI的底层器件物理优势，并详细说明了自适应体偏置（ABB）、超低电压（ULV）运行和领先级毫米波射频性能等关键特性。

根据他展示的技术数据，FD-SOI可在最低能量点（低于0.4V）运行，相比传统体硅技术，在超低电压下可实现高达7倍的能效提升，同时其软错误率（SER）改善了20倍，极大地增强了芯片在严苛环境下的可靠性。在射频方面，FD-SOI的毫米波RF-CMOS性能可与SiGe BiCMOS相媲美，为5G及未来通信提供了高效能方案。

图 | FD-SOI的独特优势

此外，针对日益增长的硬件安全需求，Foo Leng Leong重点介绍了FD-SOI在物理AI和网络安全领域的独特价值。

得益于其固有的介电结构（埋氧层），FD-SOI对激光故障注入（LFI）和侧信道攻击具有天然的免疫力。测试数据显示，22FDX工艺在抗激光故障注入方面，其抗扰度比28nm体硅工艺高出150倍，且所需的攻击时间延长了60倍。这一特性使其成为安全芯片、汽车电子及金融支付等安全敏感型应用的理想平台。

FD-SOI生态体系已经成熟

FD-SOI的生态系统已不再是瓶颈。Foo Leng Leong表示，目前全球领先的晶圆代工厂和IDM（如意法半导体、格芯、三星等）均已采用FD-SOI技术，并在汽车和物联网领域展开了深度合作。成熟的IP组合、自适应体偏置控制器以及eNVM存储器宏单元，极大地加速了客户产品上市时间。Soitec提供的200mm和300mm Smart Cut™工程衬底，保证了晶圆级超薄硅层的均匀性，为大规模量产提供了坚实基础。

在技术路线图上，FD-SOI正从成熟的40nm/28nm节点，向22nm和18nm演进，以满足未来更高性能的需求。

图 | Soitec量子计算战略

更值得一提的是，Foo Leng Leong展示了FD-SOI在超越经典CMOS计算方面的潜力。Soitec正与量子计算公司Quobly合作，利用同位素纯化28Si FD-SOI（QSOI）衬底，开发可大规模生产的高密度硅自旋量子处理器。这种基于300mm半导体制造工艺的量子比特技术，旨在实现百万级量子比特的集成，为未来计算开辟了全新路径。

“FD-SOI生态系统如今已经成熟，FD-SOI的未来就在当下！” Foo Leng Leong在总结时强调，FD-SOI凭借其平衡的性能、能效与成本，正成为赋能中国乃至全球半导体增长的关键力量，推动智能系统向数据生成的地方更近一步。