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与非AI
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10月15日，长飞先进在深圳举办以“巅峰之上·跨越四年的技术长征”为主题的技术发布会，集中发布了最新一代主驱级SiC MOSFET、沟槽栅技术平台、嵌入式PCB模块、扩散焊功率模块等创新成果，标志着其技术长征抵达新的节点。
作为受邀媒体，“行家说三代半”参加了本次发布会。通过全程聆听与采访交流，我们注意到，本场发布会的看点不仅在于技术本身，更在于长飞先进作为国内碳化硅全产业链厂商，围绕三大问题给出了答案：
四年技术长征，长飞先进获得了哪些成果？
此次发布的各项技术有何创新之处？
下一阶段，长飞先进将在哪些市场发力？
01、长飞先进四年长征取得四大关键突破
据长飞先进战略运营中心副总裁李刚介绍，在这场跨越四年的技术长征中，长飞先进完成了从无到有的跨越，目前已成长为一家具备从外延生长、器件与模块设计、晶圆制造到模块封测全产业链能力的企业，并成为国产碳化硅产业中不可忽视的力量。
“行家说三代半”观察发现，四年来，长飞先进取得的发展成果具体体现在产品交付、产能建设、工艺突破、质量保障四大方面。
在产品交付方面，长飞先进已实现多领域规模出货。其中，消费类产品及工业类器件已实现大批量出货。数据中心相关产品已实现正常供货，客户应用侧验证正在推进中；在汽车领域，其车规级SiC MOSFET及模块也已进入导入验证阶段。
在产能建设方面，长飞先进已形成芜湖、武汉双基地布局。其中，武汉基地于2023年9月破土动工，21个月便实现通线投产，创下“长飞先进速度”；目前已具备42万片/年的晶圆及外延产能规模。
在产能建设之外，长飞先进的另一个大动作是智能化改造。据长飞先进智能制造高级总监肖才鹏介绍，武汉基地已成为碳化硅行业首家达到A3级别的智能化晶圆厂，截至2026年9月，A3上线率超98%、派工率超90%。通过自动化与智能化管理，长飞先进武汉基地的良率水平与交付速度大幅提升：5mm×5mm SiC MOSFET的CP良率达98%，生产周期缩短至40天，为产品交付及导入提供了可靠支撑。
在工艺突破方面，长飞先进碳化硅产品的关键参数持续优化。其SiC MOSFET的Pitch Size从2023年的5.8μm微缩至2026年的2.8μm，并规划到2028年进一步微缩至2.0μm；SiC MOSFET比导通电阻（Rsp@175℃）则从第一代产品（PG1）的7mΩ.cm²降至第六代产品（PG6N）的3.2mΩ.cm²。这表明，长飞先进在碳化硅芯片的关键参数上已达到国际头部厂商水平。
在质量保障方面，长飞先进的武汉、芜湖基地均已通过德国TÜV体系认证，碳化硅芯片及模块已通过AEC-Q101、AQG324认证。无论是车规级平台，还是AI数据中心、消费、工业等领域，其均以产品零缺陷（0PPM）为目标。
如果说过去四年，长飞先进主要完成了从“产线建起来”到“产品交出去”的跨越；那么如今，随着产线、良率等基础能力逐步夯实，并开始在下游市场崭露头角，其需要回答的新问题便是：在碳化硅产业竞争日趋激烈的背景下，长飞先进将从哪些角度撬动市场？
02、从技术长征到市场长征长飞先进锚定四大赛道
面对这一命题，长飞先进在此次发布会上给出了自己的回答。
会上，长飞先进集中发布并展示了多项创新技术，覆盖车规级SiC MOSFET、车规主驱SiC模块、面向AIDC的创新产品，以及消费类与工业类产品布局，清晰勾勒出“长飞先进要到哪里去”。
李刚表示，长飞先进过去四年有两个节点尤为关键：一是芯片性能突破，随着工艺创新，Rsp已赶超大部分竞争对手；二是产品形式创新，长飞先进开始定义自己的产品。
基于技术与产能的协同突破，长飞先进将新能源汽车、AIDC、消费电子、工业与能源视为四大重点赛道与增长曲线。这四条道路，既是其四年技术长征的延伸，也是其撬动下一阶段市场的具体路径。
车规级SiC MOSFET：平面栅与沟槽栅并行
据长飞先进技术开发高级总监刘伟介绍，过去四年，长飞先进SiC MOSFET经历了从追随到比肩、再到超越的过程；接下来三年是碳化硅芯片国产化的关键三年，他们的目标是以高性能、高可靠性、高一致性推进市场落地。
目前来看，长飞先进同时推进平面栅与沟槽栅两条路线。这实际上是对未来几年车规主驱主流器件结构的一种路线判断：平面结构负责当前量产交付与成本，沟槽结构决定下一阶段竞争力。
针对平面栅SiC MOSFET，长飞先进选择将技术迭代路线一次性展开。对于SiC MOSFET而言，每一代产品性能迭代最直观的体现，莫过于比导通电阻Rsp。长飞先进在这一指标上持续突破，尤其在1200V主流规格上，从第四代PG4E到第六代PG6N，Rsp逐代下探，技术迭代路径清晰可见。
以1200V SiC MOSFET主流规格为例，长飞先进第四代PG4E在常温/175℃下的Rsp分别为2.2/4.4mΩ.cm²，短路耐受时间达2.1μs，长期可靠性显著提升。第五代PG5E元胞尺寸较前代微缩超过15%，沟道长度微缩10%，并采用高能离子注入技术，常温/175℃下Rsp降至1.9/3.7mΩ.cm²。第六代PG6N在尺寸微缩、注入工艺、晶圆减薄方面实现优化，常温与175℃高温下Rsp分别降至1.7mΩ.cm²和3.2mΩ.cm²，芯片实现更高电流密度，同时具备更好的散热能力。
另一方面，长飞先进沟槽栅技术平台也正式亮相。据长飞先进工艺创新首席技术官王惠民透露，他们自2023年启动布局沟槽工艺平台，并已制定、发布从TG1N到TG3N的技术路线图，分别采用双侧深掩蔽、双侧深掩埋、半超结沟槽技术。
以第一代TG1N产品为例，长飞先进通过二次外延等技术，实现CellPitch≤3.0μm、Ron,sp≤2.0mΩ.cm²，预计2026年实现量产。此外，针对沟槽工艺专利问题，长飞先进已公开SiC沟槽MOSFET相关专利79件，进入国际前列。
车规主驱SiC模块：灌封/塑封/嵌入式同时布局
如果说芯片环节比拼的是设计与工艺，模块环节的竞争核心则是“同一颗芯片如何被封装”——在相同芯片条件下，封装方案往往直接决定通流能力、散热效率与系统体积。长飞先进在这一环节的选择依旧是量产与前沿技术双线布局。
据长飞先进汽车产品市场总监陈玉林介绍，近年来碳化硅在新能源汽车领域的渗透率快速增长，技术迭代也非常快，目前市面上形成框架灌封、转模塑封及PCB嵌入式三种路线，目前他们均有布局。
面向主流框架灌封/转模塑封封装路线，长飞先进发布了E2Drive™车规主驱模块系列，可覆盖乘用车及商用车应用场景，聚焦60kW-1000kW功率段。其中，E2Dmini-J由长飞先进半导体与经纬恒润联合开发，采用自研PG5E 1200V SiC芯片，杂散电感仅为4.5nH。
更具发展空间的是首次亮相的DeepXE™嵌入式PCB功率模块。该方案基于Cavity-Free AMB内嵌单元的PCB叠构方案，并采用DTS金属化、表面镀铜等技术，可在一张扑克牌大小的面积内通过24颗SiC MOSFET实现峰值250kW功率转换：较传统封装，体积和重量降低50%，杂散电感降至0.9nH，开关损耗降低20%，电流密度提升20%。
据长飞先进透露，该方案已完成性能、热阻、1000次温度循环和超20万次功率循环等八项核心验证，预计明年上半年完成完整可靠性测试与工业化验证的全链路闭环。
AIDC应用：扩散焊模块与单管同步切入
AI算力爆发正推动供电架构迈向高压直流时代，也使AIDC成为SiC最具确定性的增量市场之一。据长飞先进工业市场总监孙允帅透露，他们面向AI数据中心主打两类产品，聚焦固态变压器（SST）、服务器电源、BBU电源等多种应用市场。
一是EZ系列功率模块，包括EZ2C及EZ3C两种规格。长飞先进表示，这是国内首个采用扩散焊工艺的功率模块。相较传统锡焊片工艺，EZ2C结壳热阻降低18%，满载芯片结温可降低25℃以上，性能可媲美昂贵的银烧结工艺；EZ3C则创新集成SHB三电平拓扑，可将单个SST模块功率从70kW提升至100kW以上，将10kV AI SST级联级数从16级降至8级，大幅降低系统复杂度。
二是基于成熟量产PG4E芯片的750V及1200V产品，通过加严版AEC-Q101验证及3000小时考核，实测高温开关损耗明显优于国内外头部竞品，适配功率柜PSU、计算柜PSU及BBU等800 V HVDC全链路环节。
消费类及工业市场：成熟产品矩阵持续放量
据长飞先进FAE高级经理蒋佳奇介绍，公司在消费类及工业类市场已进行长期布局，并构建了丰富的产品矩阵，持续实现量产出货。
在消费类市场，长飞先进已量产38款650V/800V SiC MOSFET产品。凭借95%-99%的晶圆良率和显著领先的单位晶圆有效芯片数（180mΩ规格下，Gross Die较友商多27.5%），其高性价比路线已在快充等场景得到规模验证。
工业类方面，公司已构建覆盖650V-3300V的93款产品矩阵，封装涵盖TO-247、TOLL、QDPAK系列等主流形式；SBD产品650V（4-40A）与1200V（5-60A）两大平台均已全面量产，应用延伸至光伏、储能、充电桩、PC电源、白色家电等场景。
03、行家说总结
谈及碳化硅行业的发展，李刚指出，只有同时具备强大的生产能力、扎实的产品研发能力以及深厚的应用积累，企业才可能在未来几年保持竞争力、不掉队。
我们也看到，碳化硅行业已经告别野蛮生长，进入多维度、精细化竞争阶段。与此同时，汽车、AIDC等下游市场对碳化硅成本、性能、可靠性的要求仍在持续收紧。这预示着，碳化硅下一阶段的竞争，将不再是单一环节的比拼，而是综合体系能力的较量。
四年长征，只是长飞先进的第一步。面对下一阶段的综合体系竞争，这家国产碳化硅全产业链厂商，已经做好了上桌较量的准备。
