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ARCHIVED - MMRF1013HR5, MMRF1013HSR5 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V Pulse S-Band RF Power MOSFETs - Data Sheet

2023/04/25
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MMRF1013HR5 and MMRF1013HSR5 are RF power transistors designed for aerospace and defense S-band radar pulse applications operating at frequencies between 2700 and 3200 MHz.

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CRCW060349R9FKEAHP 1 Vishay Intertechnologies Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.25W, 49.9ohm, 75V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT

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IPP65R190CFDAAKSA1 1 Infineon Technologies AG Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
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74435572200 1 Wurth Elektronik General Purpose Inductor, 22uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 7272, CHIP, 7272, ROHS AND REACH COMPLIANT

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恩智浦

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恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年,其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部,总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案,实现智慧生活,安全连结。收起

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