ASC800N1200HPD碳化硅模块HPD封装

08/12 08:10 作者：碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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ASC800N1200HPD碳化硅模块HPD封装

1.15 MB

HPD 系列碳化硅（SiC）功率模块

1. 最高工作结温175℃；

2. 寄生电感低于10nH，比现有模块小50%以上，降低开关损耗；

3. 参数： VDS：1200V ID：800A RDS(on) ：2mΩ

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