英诺赛科

InnoScience (Suzhou) Technology Holding Co., Ltd.
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英诺赛科主要提供GaN晶圆、GaN分立器件、集成功率IC与模组,核心产品/技术包括15V-1200V GaN;在低空经济产业链中覆盖功率半导体。 收起 展开全部

产业链 低空经济芯片与电子器件 收起 展开全部

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  • 英诺赛科:GaN营收超8亿,累计交付芯片25亿颗
    英诺赛科2026年半年报显示,营收8.34亿元,同比增长50.60%;毛利9708.2万元,同比增长156.5%。GaN芯片交付超5.4亿颗,累计达25亿颗。AI数据中心、新能源汽车业务增长显著,分别同比增长183%和103%。公司计划继续拓展新能源汽车48V电源架构平台及其他高价值应用。
  • 英诺赛科一级代理商聚泉鑫科技:氮化镓功率器件赋能高功率密度快充与数据中心
    在第三代半导体领域,英诺赛科(Innoscience)的氮化镓功率器件具有显著的技术和市场优势。公司采用IDM全产业链模式,拥有全球首条产能最大的8英寸GaN-on-Si晶圆量产线。深圳市聚泉鑫科技有限公司是英诺赛科官方授权的一级代理商,双方为战略合作伙伴关系。 一、英诺赛科的技术差异化 8英寸硅基氮化镓工艺:相比6英寸工艺,晶圆利用率更高、单片芯片成本更低,是大规模量产的核心竞争力 产品线完整:
  • 美国国际贸易委员会(US ITC)最终裁定确认维持,禁止英诺赛科侵权的氮化镓产品进入美国市场
    随着总统审查期结束,美国国际贸易委员会(US ITC)全体委员会于2026年5月7日作出的最终裁定获确认维持并正式生效。该裁定确认英诺赛科侵犯了英飞凌一项涉及氮化镓(GaN)的技术专利,因此对英诺赛科相关侵权产品实施进口及销售禁令。 英飞凌科技高级副总裁、氮化镓系统业务线负责人 Johannes Schoiswohl 表示:“此次裁决再次彰显了英飞凌在知识产权体系方面的坚实基础,也进一步体现了我们
  • 英飞凌赢得对英诺赛科的专利侵权诉讼
    德国慕尼黑地方法院(Landgericht München I)于当地时间6月18日就英飞凌科技与英诺赛科之间涉及氮化镓(GaN)技术的两项进一步专利侵权案件作出判决(分别基于一项专利及一项实用新型),均裁定英飞凌胜诉。 此案涉及中国公司英诺赛科未经授权使用英飞凌已取得专利的氮化镓技术。根据本次判决,法院禁止英诺赛科在德国境内制造、销售及推广更多侵权产品。此外,法院还裁定英诺赛科需向英飞凌支付损害
  • 聚力创新:纳芯微携手联合电子与英诺赛科,共创新能源汽车功率电子新格局
    2025年9月29日,苏州纳芯微电子股份有限公司(以下简称:纳芯微)、联合汽车电子有限公司(以下简称:联合电子)与英诺赛科(苏州)科技股份有限公司(以下简称:英诺赛科)共同签署战略合作协议。三方将聚焦新能源汽车功率电子系统,联合研发智能集成氮化镓(GaN)相关产品。全新开发的智能GaN产品将依托三方技术积淀,提供更可靠的驱动及GaN保护集成方案,进一步提升系统功率密度。三方还将协同推动相关解决方案
  • 从800VDC到GPU,英诺赛科加入英伟达新生态链
    英伟达公布最新800VDC系统合作名单,英诺赛科成为国内唯一入选企业。英诺赛科与英伟达合作深化,加入NVIDIA MGX™生态系统,推动全GaN电源转换技术,支持下一代高密度AI电源系统。GaN技术因其低导通电阻、低栅极电荷等优势,成为AI供电的关键技术。英诺赛科提出三级转换方案,实现从800VDC到GPU核心电压的高效转换,助力AI基础设施发展。
  • 【化合物半导体】英飞凌与英诺赛科的增量市场争夺
    在全球功率半导体向第三代材料迭代的过程中,英飞凌和英诺赛科展开了一场激烈的专利战。英飞凌作为全能巨头,凭借系统级生态稳守基本盘,而英诺赛科则以极致产能与性价比优势挑战行业现状。两者在技术能力、应用市场、商业模式等方面各有侧重,争夺高利润增量市场。英飞凌通过战略性防御,争取时间窗口,巩固高端市场地位;英诺赛科则依靠产能规模、技术响应能力和市场嵌入,力争在成本敏感市场称王。
    【化合物半导体】英飞凌与英诺赛科的增量市场争夺
  • 美国国际贸易委员会(ITC)裁定英飞凌胜诉,并对英诺赛科实施进口及销售禁令
    美国国际贸易委员会(ITC)全体委员会维持了其于2025年12月作出的初步裁定,确认英诺赛科(Innoscience)侵犯了英飞凌的一项氮化镓(GaN)技术专利,并下令对英诺赛科实施进口和销售禁令。ITC委员会的最终裁决及其颁布的相关禁令仍需经过为期60天的美国总统审查期后生效。 英飞凌300mm GaN技术 英飞凌科技高级副总裁、氮化镓系统业务线负责人Johannes Schoiswohl表示:
    美国国际贸易委员会(ITC)裁定英飞凌胜诉,并对英诺赛科实施进口及销售禁令
  • 英诺赛科/天域半导体2025年财报解析
    英诺赛科与天域半导体发布亮眼成绩单,英诺赛科氮化镓营收增长46.3%,出货量超8亿颗,AI及汽车领域表现突出;天域半导体碳化硅外延营收增至7.09亿元,8英寸碳化硅外延占比提升至28%。
    英诺赛科/天域半导体2025年财报解析
  • 数据中心能效新星之战:英诺赛科 vs Navitas
    随着全球数据中心迎来爆发式增长,能耗与监管压力增大,英诺赛科与纳微半导体作为氮化镓领域的新兴力量,分别采取IDM与Fabless模式,通过技术创新和差异化策略,力求在AI数据中心供电领域取得竞争优势。英诺赛科凭借8英寸IDM产能和低成本优势,推动氮化镓器件的商品化;纳微半导体则通过颠覆性架构设计,寻求在高功率、高利润市场的突破。两者各有千秋,共同推动着数据中心能效革命的发展。
    数据中心能效新星之战:英诺赛科 vs Navitas
  • 聚泉鑫科技:英集芯与英诺赛科核心代理,一站式芯片方案引领电源创新
    在当今电子产业高速发展的浪潮中,芯片应用方案的设计与实施已成为产品竞争力的核心。作为一家深耕行业十余年的国家级高新技术企业,深圳市聚泉鑫科技凭借其全面的技术布局、强大的供应链资源以及以客户需求为导向的服务理念,已成为珠三角及长三角地区极具影响力的芯片代理+方案设计公司。 一、 公司概况:从方案设计到产业生态的构建者 聚泉鑫科技成立于2009年,自2012年起便开始系统化地构建技术矩阵,先后成立了A
  • 英诺赛科GaN产品打入谷歌供应链
    英诺赛科宣布其氮化镓产品成功进入谷歌AI硬件平台并签订供货协议,标志着公司在AI服务器和数据中心领域的领先地位。作为全球氮化镓领域的头部企业,英诺赛科正与意法半导体、安森美等多家国际知名企业展开深度合作,共同推动氮化镓技术在AI数据中心、汽车电子等领域的应用。预计未来几年内,英诺赛科将继续扩大其在全球高端市场的份额,引领氮化镓行业的技术创新与发展。
  • 英诺赛科:GaN芯片累计出货20亿颗
    英诺赛科氮化镓功率芯片出货量达到20亿颗,同比增长显著,尤其在数据中心、汽车电子和消费电子领域取得进展,与多家知名企业达成合作,推动氮化镓技术广泛应用。
    英诺赛科:GaN芯片累计出货20亿颗
  • 【化合物半导体】国产氮化镓厂商英诺赛科为何能够赢得国际半导体巨头青睐?
    英诺赛科通过与意法半导体、安森美的战略合作,巩固在全球氮化镓功率半导体市场的领先地位。英诺赛科凭借8英寸硅基氮化镓晶圆量产能力和高良品率,大幅降低了成本并提升了竞争力。随着全球GaN功率芯片市场需求爆发,特别是消费电子、数据中心与电信、新能源汽车等领域的发展,英诺赛科有望继续引领市场趋势。
    【化合物半导体】国产氮化镓厂商英诺赛科为何能够赢得国际半导体巨头青睐?
  • 安森美与英诺赛科达成战略合作协议,共同加速推进全球氮化镓产业生态建设
    安森美(onsemi)宣布已与英诺赛科(Innoscience)签署谅解备忘录,双方将探索利用英诺赛科成熟的200毫米氮化镓(GaN)硅基工艺,以扩大 GaN 功率器件的生产规模。该合作将整合安森美在系统集成、驱动器和封装方面的专业能力,以及英诺赛科成熟先进的 GaN 制造能力,旨在加速推出高性价比、节能高效的解决方案,推动 GaN 技术普及进程。 安森美(onsemi)与英诺赛科(Innosci
  • 美国国际贸易委员会裁定英飞凌在针对英诺赛科的一项专利侵权案中胜诉
    美国国际贸易委员会(ITC)裁定英诺赛科侵犯了英飞凌科技股份公司(FSE 代码:IFX / OTCQX 代码:IFNNY)拥有的一项氮化镓(GaN)技术专利1。此外,在初步裁定中,美国国际贸易委员会确认,英飞凌在向该委员会提起的诉讼中所主张的两项专利皆具有法律效力2。本案的核心在于英诺赛科未经授权使用英飞凌受专利保护的GaN技术。委员会最终裁决预计将于2026年4月2日发布,若这项初步裁决最终获得
    美国国际贸易委员会裁定英飞凌在针对英诺赛科的一项专利侵权案中胜诉
  • Allegro与英诺赛科联合推出全GaN参考设计,赋能AI数据中心电源
    Allegro 创新栅极驱动器助力工程师实现钛金级效率和极佳功率密度,满足严苛的 AI 和边缘计算应用需求 全球运动控制与节能系统电源及传感解决方案领导者之一Allegro MicroSystems, Inc. (以下简称“Allegro”,纳斯达克股票代码:ALGM),与全球领先的硅基氮化镓制造供应商英诺赛科 (Innoscience,港交所:-2577.HK) 宣布达成战略合作,推出了一款开创
    Allegro与英诺赛科联合推出全GaN参考设计,赋能AI数据中心电源
  • 募资14.34亿元!英诺赛科拟扩大GaN产能
    10月10日,英诺赛科发布公告称,他们将按每股75.58港元的价格配售2070万股新H股,预计募集资金约15.64506亿港元(约合人民币14.34亿),净发行价约为每股74.90港元。与此同时,英诺赛科还披露了关于此次配售所得款项的用途:
    募资14.34亿元!英诺赛科拟扩大GaN产能
  • 大联大诠鼎集团推出两款基于英诺赛科产品的48V四相2kW降压电源方案
    致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布,其旗下诠鼎推出两款基于英诺赛科(Innoscience)InnoGaN INN100EA035A氮化镓功率晶体管和INS2002FQ氮化镓半桥驱动IC的48V四相2kW降压电源方案。 图示1-大联大诠鼎基于英诺赛科产品的48V四相2kW降压电源的展示板图 随着人工智能与高性能计算的爆发式增长,CPU/GPU的功率持续升高。为显著降
    大联大诠鼎集团推出两款基于英诺赛科产品的48V四相2kW降压电源方案
  • 英诺赛科:GaN营收超5亿,车规芯片交付增长128%
    8月28日,英诺赛科发布了2025年上半年业绩公告。据透露,英诺赛科报告期内实现销售收入5.534亿元人民币,同比增长43.4%,毛利率为6.8%,同比增长28.4%,实现毛利转正。 此外,英诺赛科在报告期内新增客户导入693项,新增55家直销客户、1家经销商。值得关注的是,英诺赛科的财报还透露了诸多亮点,表明其在海外市场、业务开拓、产能建设等方面实现了快速突破: 氮化镓器件及模组收入大幅增长 海
    英诺赛科:GaN营收超5亿,车规芯片交付增长128%

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