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  • 聚力创新:纳芯微携手联合电子与英诺赛科,共创新能源汽车功率电子新格局
    2025年9月29日,苏州纳芯微电子股份有限公司(以下简称:纳芯微)、联合汽车电子有限公司(以下简称:联合电子)与英诺赛科(苏州)科技股份有限公司(以下简称:英诺赛科)共同签署战略合作协议。三方将聚焦新能源汽车功率电子系统,联合研发智能集成氮化镓(GaN)相关产品。全新开发的智能GaN产品将依托三方技术积淀,提供更可靠的驱动及GaN保护集成方案,进一步提升系统功率密度。三方还将协同推动相关解决方案
  • Exxelia 推出适用于高温和高能量应用的 CF-PP140 薄膜电容器系列
    Exxelia 宣布推出全新的聚丙烯薄膜电容器系列 CF-PP140,该产品专为满足关键任务环境中对紧凑型高能量解决方案日益增长的需求而开发,可在高温条件下稳定运行。 全新 CF-PP140 将首次亮相德国 PCIM 展会,展位号为 6-127。 CF-PP140 构成了一套完整的标准化组件系列,专为需要在紧凑尺寸内实现高能量密度的应用而设计。该系列支持 450 V 至 1500 V 的工作电压,
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  • 世平安森美快速PCB热计算用于带裸露焊盘封装的电力电子元件-第一部分
    核心技术优势/方案详细规格/产品实体图/PCB/方块图Datasheet/测试报告/Gerber/Schematics/User manual +一键获取 这份文件主要是针对具有裸露焊盘封装的功率电子元件的快速PCB热计算方法。由于篇幅较长,我们会分为两个部分说明。 以下是文件的主要内容摘要: 议程: 第一部分: 1. 引言 2. 器件与电路板的热阻模型 3. 简化热阻模型 4. 计算电路板到环境
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  • JSM2181STR 700V单相高低侧栅极驱动芯片
    在功率电子领域,栅极驱动芯片如同系统的 “神经中枢”,直接决定着功率器件的开关性能与系统可靠性。长期以来,IRS2181 作为经典的 600V 半桥驱动芯片,凭借稳定的性能占据着不小的市场份额。但随着高压应用场景的不断拓展,一款名为 JSM2181STR 的 700V 单相高低侧栅极驱动芯片正凭借更优异的性能参数,成为工程师眼中替代 IRS2181 的理想之选。今天我们就从技术参数、保护机制、应用
  • JSM2008STR PBF250V 集成自举带 SD 功能的半桥驱动芯片
    在功率电子领域,半桥驱动芯片是连接控制电路与功率器件的 “桥梁”,其性能直接决定了整个系统的稳定性、效率与可靠性。杰盛微半导体推出的JSM2008STR作为一款 250V 集成自举带 SD 功能的半桥驱动芯片,不仅继承了 IRS2008STR 的核心优势,更在兼容性与实用性上实现了无缝替代,成为高压 MOSFET 驱动场景的理想选择。本文将基于数据手册,从性能特性、电气规格、设计要点到应用场景进行