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双向开关

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  • 英飞凌 CoolGaN 双向开关应用方案与工程化指南
    英飞凌推出基于CoolGaN技术的双向开关解决方案，采用GaN-on-Si技术和增强型p-GaN栅极技术，实现高性能和低成本。器件具有优秀的静态和动态特性，适用于各种电力转换应用。封装设计注重散热和寄生参数，提供多种封装选项以适应不同需求。可靠性方面，遵循严格的标准并通过多项技术保障。此外，还提供了丰富的评估板、参考设计和仿真工具，助力工程师快速开发和优化设计方案。
    106
    55分钟前
    GaN技术 双向开关
  • 英飞凌 CoolGaN 双向开关技术解析：器件架构、工艺平台与可靠性体系
    英飞凌CoolGaN技术平台采用GaN-on-Si技术路线，具备成本低、大尺寸量产、工艺成熟和供应链稳定的优点。其增强型p-GaN栅极技术实现常关特性，并通过场板与钝化技术提升器件性能。CoolGaN双向开关采用对称双端共享漂移区结构，具有出色的静态、动态和热特性，且封装技术优化了寄生参数和热设计。英飞凌通过严格的质量管控体系确保产品的可靠性和工业级品质。
    86
    07/31 11:20
    GaN 氮化镓
  • 650V GaN 双向开关的产业价值与技术演进趋势
    本文介绍了单片双向氮化镓(GaN)开关的核心竞争力及其在电力电子领域的应用前景。GaN双向开关凭借其架构创新、性能优势和系统级价值优化，成为新型电力电子拓扑的关键使能器件，适用于工业变频、固态开关、新能源等领域，并有望推动电力电子技术革命。
    176
    07/31 10:17
    GaN 氮化镓
  • 650V GaN 双向开关核心技术：器件原理、驱动架构与评估板设计
    本文介绍了650V氮化镓双向开关的关键特性和评估板设计。氮化镓材料具有高禁带宽度、高临界击穿电场和高电子迁移率等优点，在650V电压等级下表现出色，适用于多种电力电子应用。文章详细描述了双向开关的工作原理、器件电气特性、保护机制和热设计等方面的内容，并展示了评估板的整体架构和关键模块设计要点。
    153
    07/31 10:07
    氮化镓 开关
  • 650V GaN 双向开关典型应用方案与评估板使用指南
    本文介绍了几种基于GaN双向开关的先进电子解决方案，包括矩阵变换器、固态继电器、电流源逆变器、双向DC-DC变换器和图腾柱PFC方案。这些方案展示了GaN开关在提高效率、降低成本、增强可靠性方面的显著优势，并提供了详细的评估板使用指南和测试方法。
    99
    07/31 09:45
    GaN 开关
  • 电力电子高频化浪潮下，650V GaN 双向开关重塑功率变换架构
    宽禁带半导体技术，尤其是氮化镓（GaN），正引领电力电子系统向高频高效演进。GaN器件因其出色的开关特性和导通性能，成为下一代高效系统的理想选择。本文介绍了650V GaN双向开关评估板，它作为新型拓扑的快速验证平台，具有极致集成、高效低损、驱动简化、高可靠性和生态完善的优点。该评估板适用于多种应用场景，包括工业电源、新能源、数据中心、充电与电源等领域，助力工程师快速开发高性能电力电子系统。
    123
    07/31 09:38
    宽禁带半导体 GaN器件
  • 英飞凌推出业界首款基于CoolSiC G2技术的双向开关碳化硅
    全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出基于成熟可靠750V CoolSiC™ G2技术平台打造的碳化硅（SiC）双向开关（BDS）。该产品采用垂直集成双芯片共漏极设计，采用顶部散热Q-DPAK封装，将两个功率开关整合到同一器件中，既简化了系统设计，也实现了传统拓扑革新。750V CoolSiC™ BDS可提供现代电网和能源
    605
    06/15 11:46
    物联网 碳化硅
    英飞凌推出业界首款基于CoolSiC G2技术的双向开关碳化硅
  • 技术干货丨借助GaN双向开关革新电源设计
    瑞萨电子推出高电压GaN双向开关（BDS），助力打造高效、紧凑且低成本的单级功率转换器。这款器件支持单级AC/DC转换器，减少元器件数量，提高效率至97.5%，适用于AI数据中心、太阳能微型逆变器、电池系统和汽车充电器等领域。
    900
    04/22 11:35
    GaN 电源设计
  • 氮化镓双向开关推动电力电子技术变革
    作者： Dr. Kennith Kin Leong, Lead Principal, Product Definition and Concept Engineer, High-Voltage GaN Bidirectional Switch at Infineon Technologies. 校对：宋清亮 英飞凌消费、计算与通讯业务大中华区 技术市场总监 电力电子技术在过去几十年间经历了巨大变革
    1142
    2025/07/09
    英飞凌 光伏
    氮化镓双向开关推动电力电子技术变革
  • 英飞凌推出650 V CoolGaN G5双向开关， 提升功率系统的效率和可靠性
    全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了一款能够主动双向阻断电压和电流的氮化镓（GaN）开关——650 V CoolGaN™ G5双向开关（BDS）。该产品采用共漏极设计和双栅极结构，是一款使用英飞凌强大栅极注入晶体管（GIT）技术和CoolGaN™技术的单片双向开关，能够有效替代转换器中常用的传统背靠背开关。 650 V
    857
    2025/05/26
    英飞凌 数据中心
    英飞凌推出650 V CoolGaN G5双向开关， 提升功率系统的效率和可靠性
  • 英飞凌推出CoolGaN双向开关和CoolGaN Smart Sense
    英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出两项全新的CoolGaN™产品技术：CoolGaN™双向开关（BDS）和CoolGaN™ Smart Sense。CoolGaN™ BDS拥有出色的软开关和硬开关性能，提供40 V、650 V 和 850 V电压双向开关，适用于移动设备USB端口、电池管理系统、逆变器和整流器等。CoolGaN™ Smart Sense
    953
    2024/07/10
    英飞凌 半导体器件
    英飞凌推出CoolGaN双向开关和CoolGaN Smart Sense

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