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SiC产业头部效应显现,分化格局日趋显著

4小时前
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回顾2025年,碳化硅氮化镓行业在诸多领域斩获亮眼成果,同时历经产业格局的深度调整与迭代。展望2026年,行业正站在新的发展节点,既迎来技术突破与场景扩容的新机遇,也面临产业优化与市场竞争的新挑战。

为解读当前产业态势,明晰未来发展路径,行家说三代半与行家极光奖联合策划了《第三代半导体产业-行家瞭望2026》专题报道。本期嘉宾为泰坦未来总经理汪徵、华工激光半导体事业部总经理黄伟博士。后续,我们将持续邀约更多行业领军企业与权威人士参与《行家瞭望2026》专题,带来深度洞见与前沿观点,敬请持续关注。

SiC&GaN应用实现突破国产化比例大幅提升

家说三代半:如果用一个关键词总结回顾2025年的第三代半导体(SiCGaN)产业发展,您会用哪个词?为什么?

泰坦未来-汪徵:我会用“突破”这个关键词。从2023到2025的一个半导体行业的下行周期中,SiC和GaN是有受到相对较大的影响的,但是这两个行业在这个过程中没有沉沦,整个行业迅速适应了周期调整带来的压力,在SiC和GaN的应用层面有了非常新的突破。

从SiC方面看:AI/AR眼镜,算力芯片先进封装Interposer等将最前沿的研究极快的引入实际产品,并且还形成了一定的出货量,为整个行业的发展指明一个个新方向。

从GaN方面看:包括AI算力中心的800V总线方案,高端新能源车GaN上车,硅基GaN射频器件在手机上应用等也是可圈可点,表明产业界对GaN器件的认识的提升,也为GaN行业后续的发展拓展了非常大的空间。

华工激光-黄伟:2025年,中国碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)产业的关键词是“内卷”。随着国内产能的集中释放,衬底和外延片价格出现断崖式下跌,6英寸SiC衬底价格跌至400美元以下,市场竞争从“技术驱动”彻底转向“成本驱动”。企业在价格战中激烈搏杀,尽管加速了国产替代进程,但也导致行业整体毛利下滑,洗牌加剧。

家说三代半:您认为,从整个第三代半导体产业角度,2025年有哪些可圈可点的进步或者成绩?

泰坦未来-汪徵:整个行业没有完全陷于内卷,各个厂家都在想方法找手段来降低成本并且勇敢的走出国门参与到国际市场的竞争中。站在泰坦未来的角度看,虽然我们还处于发展的早期,但是我们可以感受到三代半厂家对新技术新方向突破的渴求,我们也积极配合相应的需求。

华工激光-黄伟:虽然市场竞争非常激烈,但整个2025年,第三代半导体产业仍然取得了一系列进步。首先是国产化率显著提升,国产6英寸SiC衬底在全球市场的占有率已超过15%,汉磊、三安等代工厂也成功获得国际IDM大厂的订单。其次,SiC模块在国内新能源车主驱中的渗透率突破20%,800V高压平台已成为中高端车型的标配,车规级应用加速落地。同时,8英寸SiC产线建设全面启动,多家头部企业率先布局,为2030年后成本大幅下降奠定基础。而在GaN领域,快充技术已基本普及,并开始向数据中心电源和低轨卫星射频应用拓展,展现出更广阔的应用前景。

行业头部效应显现未来需加速多维创新

行家说三代半:当前第三代半导体行业面临的主要问题是什么?未来有哪些技术路径可能突破这些限制?

泰坦未来-汪徵:开始有看到这个行业的头部效应显现,就是整体行业的规模还不是很大的情况下,头部公司已经在占据绝大部分的份额,采取一些方式去进行“类垄断”行为。

参照上世纪90年代硅谷蓬勃发展的经验,各家虽然有大有小,但是小的公司总会在行业的发展中找到自己的赛道,从而成长新的公司。而目前看国内的三代半发展的势头过早的朝所谓头部企业聚集,从另一方面说就是整体行业的创新欲望还不足,也有可能因为过去3年的下行周期的投入影响有关系。

未来看还是要努力突破,从包括政府,企业,下游行业等方面入手接纳新的技术新的应用,这样才能够实现百花齐放的盛景。

华工激光-黄伟:当前行业仍面临多重挑战:SiC衬底成本占器件总成本近50%,良率提升困难,成为制约产业发展的核心瓶颈;高端车规级产品产能结构性短缺,低端市场则同质化严重;此外,车企对国产器件的可靠性验证周期长达2-3年,进一步延缓了新技术的规模化上车进程。

面向未来,行业正通过多条路径寻求突破:一是扩大衬底尺寸,以规模化摊薄成本;二是推动器件结构创新,如发展SiC沟槽栅结构、GaN垂直器件以提升性能;三是加强封装集成技术研发,提高功率密度和系统可靠性,满足高端应用需求。

SiC&GaN加速替代产业分化促成新格局

行家说三代半:如果用1个关键词展望未来5年的第三代半导体行业的发展,您会用哪个词?请展开谈谈您的看法。

泰坦未来-汪徵:我认为关键词会是“替代”。包括SiC和GaN两种材料在未来的5年将从现在的舞台的边缘逐步走到中央,对功率器件中的硅基材料实现绝大部分的替代。

华工激光-黄伟:展望未来五年,我更倾向于用“分化”来概括第三代半导体的发展趋势。

企业层面,头部厂商凭借垂直整合能力和技术积累,逐步切入汽车主驱、电网等高端市场,获取高附加值利润;而二三线厂商则困守价格战,在消费电子等低端市场挣扎,行业并购潮将随之而来。

技术层面,应用场景也将进一步分化:SiC持续向高压、大功率领域集中,成为新能源车主驱、光伏逆变器的核心选择;GaN则在低压、高频场景中加速替代硅基器件,覆盖消费快充、激光雷达、AI服务器供电等新兴领域。

地域层面,中国有望成为全球最大的SiC制造基地,但在高端车规级器件上仍依赖海外IDM技术授权或合资生产,形成“中低端制造在中国,高端设计在美国/欧洲”的产业分工格局。

行家说三代半:贵公司2026年将重点发力哪些市场或者哪些发展目标?

泰坦未来-汪徵:泰坦未来已经建立涵盖SiC/TaC涂层,实体碳化硅,以及多晶碳化硅衬底这三个支持产品线。我们依托中南大学粉末冶金研究院的技术背景,在熊翔教授的带领下2026年会着力提高公司相关产线的产能,在独有高纯度高性能TaC涂层方面,在实体碳化硅部件方面着重投入,将公司的产品从性能到产能带到新的高度。

华工激光-黄伟:2026年,华工科技半导体装备业务板块将聚焦AI相关细分领域,重点布局AI存储类芯片和AI光电芯片的量检测及激光加工装备的研发与市场拓展。同时,我们将持续推进装备智能化升级,计划实现6类装备的AI赋能升级。在营收目标上,力争实现3亿元的业务规模,推动技术能力与市场份额的双重突破。

 

本文发自【行家说三代半】,专注第三代半导体(碳化硅和氮化镓)行业观察。

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