• 正文
  • 推荐器件
  • 相关推荐
申请入驻 产业图谱

Rambus 通过业界首款第四代 DDR5 RCD 提升数据中心服务器性能

2023/12/28
494
加入交流群
扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

作为业界领先的芯片半导体IP供应商,致力于使数据传输更快更安全,Rambus Inc.(纳斯达克股票代码:RMBS)今日宣布推出最先进的第四代 DDR5 寄存时钟驱动器 (RCD),并于 2023 年第四季度开始向主要 DDR5 内存模块 (RDIMM) 制造商提供样品。Rambus 第四代 RCD 将数据传输速率提高到 7200 MT/s,设立了新的性能标杆,相比目前的 4800 MT/s DDR5 模块解决方案,其内存带宽提高了 50%。它支持服务器主内存性能的快速提升,以满足生成式人工智能和其他高级数据中心工作负载的需求。

Rambus首席运营官范贤志表示:“内存是服务器性能的重要推动因素,在生成式人工智能等高要求工作负载的推动下,对更大内存带宽的需求继续急剧上升。Rambus 第四代 DDR5 RCD 是我们致力于提供领先于市场需求的产品,以支持客户当前和计划中的服务器平台的最新证明。”

IDC计算半导体的副总裁Shane Rau表示:“在人工智能领域令人惊叹的创新步伐引导下,高级工作负载正推动数据中心新服务器平台的加速发展,DDR5 RCD 对于支持人工智能服务器中 RDIMM 所需的性能、功耗和信号完整性至关重要。”

Rambus DDR5内存接口芯片组包含RCD、串行检测(SPD)集线器温度传感器,对于提升领先服务器的性能水平十分重要。凭借在高性能内存领域积累30多年的经验,Rambus以其信号完整性(SI)/电源完整性(PI)方面的专业技术著称。这些专业技术有助于实现 DDR5 内存接口芯片,为数据中心服务器 RDIMM 提供卓越的性能和可靠性。

产品上市时间

Rambus 7200 MT/s DDR5 RCD 于今日上市。

推荐器件

更多器件
器件型号 数量 器件厂商 器件描述 数据手册 ECAD模型 风险等级 参考价格 更多信息
MS621FE 1 ABLIC Inc Secondary Battery, Lithium Manganese Dioxide, 3V, 0.0055Ah, 15mA, ROHS COMPLIANT
$2 查看
25LC512T-I/SN 1 Microchip Technology Inc 64K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 3.90 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-8

ECAD模型

下载ECAD模型
$1.79 查看
L9679ETR 1 STMicroelectronics Automotive Extension Airbag IC

ECAD模型

下载ECAD模型
暂无数据 查看

相关推荐