【存储器】决战！HBM之巅

【本文涉及的相关企业】长鑫存储、SK海力士、美光、三星、台积电、英伟达

HBM市场竞争格局

HBM竞争白热化

高带宽存储器（HBM）市场自2025年下半年到如今十个月时间，扰动全球电子产业格局，生成式AI、OpenClaw自动化的井喷式爆发，目前算力资源市场Token需求一度吃紧，尤其是OpenClaw自动化Skill的火热，带动长上下文推理的需求，业界预计从原先的4kB上下文逐步扩展到128kB规模，高带宽HBM需求纸面容量将翻32倍之多，实际综合新的kv压缩和算法优化，行业估计需求也有4倍以上增长。

HBM3E市占率 (图源:Counterpoint Research)

纵观HBM市场格局三足鼎立，SK海力士、三星和美光市占率高度集中，这三家公司占据了全球HBM存储半导体生产和销售的95%以上：

SK海力士（SK Hynix）：凭借HBM3E的强劲表现，2025年稳居市场第一，根据公开财报显示，25财年营收创下历史新高（约97.15万亿韩元），其中HBM营收占比达42%，全球HBM市场份额高达恐怖的64%。并且在2026年CES展会上，SK海力士正式展出了第六代HBM4产品，据介绍由台积电12nm制程代工，预计于2026年二季度在利川M16和清州M15X封装厂量产。

三星电子（Samsung）：虽然在2025年第四季度夺回了全球DRAM总营收的第一名，但在HBM领域暂时落后于SK海力士，因其在2024年间HBM3E产品没有按项目节点通过Nvidia认证而损失高利润、高价值企业级存储市场，但是在新一代HBM4上成功反超，目前三星HBM4产品成功通过Nvidia和AMD的最终认证，并同样于2026年2月在其平泽（Pyeongtaek）园区启动量产。凭借其“Turnkey（交钥匙）”的统包方案，三星拥有芯片底层设计、晶圆制造和先进封装全流程的作业能力，目前16层垂直堆叠的HBM4月规划产能为17万片，略高于SK海力士的16万片。

美光（Micron）：2025年HBM市占率一度达到20%以上，并有消息其将主攻12层堆叠的HBM3E芯片，随着BM3E 12-Hi产线的良率已突破90%，远超同行其他家约80%的良率水平，HBM3E的产能已经被预订一空。HBM4的研发也将步入正轨，预计在2026年底会有约1.5万片产能切换至HBM4。

长鑫存储 (CXMT)：作为国产内存的破局者，在面临严苛外部出口管制的背景下，仍旧超乎想象的完成内存芯片的研发与量产，目前外媒有信息显示，长鑫存储（CXMT）已启动12层堆栈高频宽存储器HBM3的大规模生产，自2023年进入HBM领域短短三年时间就攻克12层3D垂直堆叠互联的关键技术，业界评估其与韩系头部厂商的技术代差已缩短至三年以内。

HBM演进历史 (图源:perpetua)

技术演进与量价齐升

纵观内存市场来看，超算和AI算力群组使用HBM是一种不得已而为之，DRAM带来的“存储墙”（DRAM带宽和速率严重滞后于算力发展，导致拖慢整个算力集群性能）需要打破，HBM通过芯片制程底层重构加上垂直堆叠封装的深度改进，使得虽和DRAM存储电荷的基本单元（1T1C结构）上是一致的，但在架构逻辑和物理形态上已经演变为完全不同的产品。

以DRAM的DDR5和HBM3E为例，两种产品封装的物理结构不同，DRAM通常采用2D平面封装，即在基板上贴装芯片和打线链接或者Flip Chip倒装焊连接，HBM则采用3D垂直堆叠封装，多层芯片间用硅通孔链接。由于互联方式不同，DRAM采用多层PCB走线则数据延迟较高，HBM采用的TSV 硅通孔 + 中介层结构可以大大缩短链接距离进一步降低延迟。二者的总线宽度相差十分悬殊，DRAM通常采用单通道 32-bit 或双通道 64-bit总线带宽，而HBM则拥有极宽的总线带宽（HBM3为1024-bit、HBM4则升级为2048-bit宽度）。

举个例子，DRAM通过不断提升单通道的频率提升数据吞吐量，像是一条只有几条车道的“高速公路”，提升车速的确会提升但是总有极限，尤其是DDR5的6400+MT/s后，功耗和信号完整性问题尤为严重。而HBM则采取并行带宽化，在数据中心需要海量低延迟的数据吞吐时，选择了将“高速公路”拓宽到了1024条车道（HBM4为2048条），虽然“车速”（数据传输速率）比DRAM慢了不少，但是“车道”(带宽)却是DRAM的几十倍，并且通过Interposer（硅中介层）直接与计算芯片紧密互联，进一步提升数据传输效率。

GDDR6与HBM2封装对比(图源:SK海力士官网)

凭借着巨大的带宽和较低的功耗，HBM迅速成为AI服务器算力集群的标配,尤其是2026年技术竞赛的焦点正从HBM3E转向下一代HBM4，美光和三星已正式官宣2026年HBM4的量产，SK海力士也计划同步放量HBM4，尤其是被业界普遍看好的16层48GB版本（美光HBM4产品为12层36GB版本）。全球主要买家也集中于英伟达、谷歌、亚马逊等业界巨头，新的算力需求叠加产品换代升级使得HBM量价齐升，2025年12层HBM3E占主流的市场内，HBM平均售价同比增长了21%。预计2026年随着HBM4的逐步放量和厂商拼命提价抢占产能，HBM的年平均售价有望提升50%以上。

即将上市，决战开启

作为“国产内存之光”的长鑫存储也就在近日登上了热搜，众多自媒体纷纷发布诸如《长鑫存储IPO折戟、终止》等博取关注的夸大贴文，实际上今年3月31日，上交所官网公告长鑫科技(长鑫存储)因其上市申请文件中记载的财务资料已过有效期，需要补充提交而IPO进程中止。IPO上市提交财务信息的审核周期较长，往年跨3月31日和9月30日的公司都会例行中止，因为证监会规定需要重新提交新的财务数据再启动进程。

回顾招股书中募集资金运用与未来发展规划一节中有关于“动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目”拟募集90亿资金，坊间传言将用于研发HBM3/3E和3D DRAM技术，现在综合消息看来，长鑫已具备基于16nm制程的HBM3/3E量产能力，综合良率已近80%与三星相当，并且有已成功给国内厂商送样。所以可以预见的是，此次二级市场募资除了将采买设备用于现有产能扩充之外，还有很大一部分将用于HBM4以及下一代内存产品的研发。