碳化硅，又行了？

眼下，意法半导体已自2026年6月28日起，对包括MCU、功率MOSFET及碳化硅（SiC）等器件启动补涨；紧随其后，英飞凌年内第二轮涨价于7月1日正式生效，此前其对功率开关等相关产品已进行一轮价格上调，据报道碳化硅模块、车规级及高压模块等高端品类涨幅超15%。

时间倒回一年，全球碳化硅赛道还深陷至暗时刻：衬底价格三年腰斩，龙头Wolfspeed黯然步入破产保护，即便是国内的天岳先进与天科合达，也难逃亏损阴霾；器件/模组端，2025年英飞凌营收下滑2%，意法半导体营收下滑11.1%。

从“全员失血”到“集体喊涨”，碳化硅，又行了？

血雨腥风的衬底价格战

根据天科合达招股书的数据，其8英寸碳化硅衬底价格从2023年度的29417元/片，一路下滑至2025年度的6172元/片，跌幅高达79%；6英寸碳化硅衬底价格从2023年度的4780元/片，一路下滑至2025年度的1695元/片，跌幅高达64.5%。

图：2023-2025年，天科合达碳化硅衬底单位价格和单位成本

更为夸张的是，2025年度天科合达的8英寸和6英寸碳化硅衬底的单位价格，均跌破生产成本线。

碳化硅衬底是整个碳化硅产业链的地基，占器件总成本约47%，叠加外延环节的23%，上游材料端合计吃掉了全产业链70%的价值量。这也意味着，衬底价格的任何波动，都会被放大为整个产业链的地震。

2022年前后，在新能源汽车爆发的狂热预期下，全球碳化硅企业开启了一轮史无前例的产能军备竞赛。Wolfspeed豪赌8英寸，在纽约州莫霍克谷和达勒姆砸下数十亿美元；天岳先进、天科合达等国内企业也在政策与资本的双重加持下大幅扩产；三安光电、士兰微等IDM厂商则从器件端向上游延伸。

这场价格崩盘的根源，是一个触目惊心的数字：2025年，全球碳化硅衬底年产能达到约400万片，而同期市场需求仅约250万片，150万片的过剩产能，像一座大山压在整个行业头顶。

更致命的是，这些产能中大量是同质化的低端6英寸产品。高端车规级衬底、8英寸产品的有效供给，始终不足。行业陷入了一种荒诞的悖论：低端产能过剩到打价格战，高端产能却紧张到一货难求。

与此同时，需求撞墙了。

欧美电动车市场电动化进度远不及预期，中国车市陷入史无前例的价格战，车企为守住销量底线疯狂压缩BOM成本。作为上游的碳化硅，首当其冲。

中国玩家“超车”

然而，Wolfspeed留下的市场空白，正在被一群中国玩家以惊人的速度填补。

2026年3月，富士经济发布了一份行业报告：2025年全球导电型碳化硅衬底材料市场中，天岳先进以27.6%的份额跃居全球第一，天科合达以15%的份额紧随其后。更关键的是8英寸产品，天岳先进在该领域的全球市占率高达51.3%。

碳化硅衬底的尺寸迭代，是降本的核心逻辑。从6英寸到8英寸，单片芯片产出量可提升近90%，单颗器件成本下降30%以上。谁先跑通8英寸的稳定量产，谁就拿到了下一个时代的船票。

而这张船票，中国玩家率先抢到了。

天岳先进已实现8英寸碳化硅衬底的规模化量产，良率约70%，客户覆盖博世、特斯拉、英飞凌等全球一线厂商。天科合达则构建了国内稀缺的“衬底+外延”一体化交付体系，最新IPO拟募资27.8亿元用于扩产，国家大基金和华为哈勃均在其股东名单中。

突破不止于衬底。

士兰微车规级SiC MOSFET模块累计出货已超10万颗，6英寸产线月产能达1万片，8英寸产线已通线。芯联集成SiC MOSFET芯片及模组全面覆盖650V至3300V工艺平台，2025年实现约50%同比增长，跻身全球器件供应商前五。三安光电与意法半导体的8英寸合资项目已进入风险量产阶段。

这意味着，中国碳化硅产业正在从“卖材料”的单点突破，走向“衬底—外延—器件—模组”的全链条竞争力。

意想不到的第二增长曲线：AI

中国玩家的崛起，是碳化硅产业供给端的重塑。而AI需求的爆发则是碳化硅行业需求企稳的至关重要的边际变量。

AI大模型的爆发，正在把数据中心推向电力供应的极限。

2025年，800V高压直流（HVDC）供电架构在AI数据中心领域达成行业共识。这套架构将传统数据中心的交流供电体系，改为直流高压母线供电，大幅减少转换环节、降低损耗。而支撑这套架构的核心功率器件，非碳化硅莫属。

碳化硅的优势在这里被放大到了极致。它的耐高压能力是硅的10倍，开关损耗降低70%以上，在800V高压直流架构下能把220V到48V这一级的转换效率做到95%以上。

2025年底，谷歌完成了对台达固态变压器（SST）产品的验证，2026年迅速下达约200台订单，未来三年目标在数据中心应用突破1GW。台达凭借先发优势，SST已小批量出货谷歌，800V HVDC系统也将在2026年下半年正式进入量产；

紧随其后的，是四方股份、为光能源、金盘科技、阳光电源、华为。每一台固态变压器背后，都对应着数十颗高压碳化硅功率器件。

摩根大通的研究报告指出，碳化硅器件下游应用中，数据中心贡献占比可能在两到三年内从目前的低个位数升至中个位数至高个位数，人工智能将成为碳化硅行业的关键驱动力。

碳化硅曾高度依赖新能源汽车的单极驱动产业，正在变成由新能源汽车、AI数据中心、光储充等共同支撑的格局。

碳化硅，真的回暖了吗？

首先看上游的碳化硅衬底材料。

碳化硅衬底需要按照应用级别分层看待：车规级与非车规级。两者的技术门槛、质量控制以及整体的供应难度存在着较大差异。

根据天岳先进5月27日的投资者关系活动报告披露，车规级市场一直以来都保持着非常健康的供需平衡状态。车规级衬底技术壁垒极高，始终保持供需平衡，汽车领域对半导体器件的零缺陷、高可靠性、耐高温高压等要求苛刻。因此车规级碳化硅衬底的整体供应难度非常大，不仅要求在上游晶体生长中控制极低的缺陷密度，还需要通过下游功率半导体头部厂商及整车厂严苛的认证。目前全球范围内真正能够实现车规级衬底、尤其是高端大尺寸（如8英寸）产品稳定量产和规模化交付的供应商数量较少。

非车规级行业的供需结构正在逐渐出清。应用在光伏、储能、工业以及消费电子等领域的非车规级碳化硅衬底，相较于车规级而言门槛

略低。当前缺乏核心技术、规模效应和质量优势的低效产能被加速淘汰，市场份额正快速向具备技术代差和成本控制能力的的头部企业集中。随着供需关系的实质性改善和渠道库存的消化，目前非车规级衬底的价格也已经整体企稳，行业正在回归到健康、理性的新常态。

所以，根据天岳先进的口径，截至5月末，上游碳化硅衬底的价格并没有出现明显上行态势。

不过，6月26日的国盛证券研究报告指出，当前碳化硅衬底供给端，中小产能持续出清，有效供给向头部集中，当前头部衬底厂商产能利用率已超90%，部分高端规格产品供给偏紧。需求端，传统赛道需求稳步增长，叠加新兴场景放量与终端备库存需求，行业订单能见度显著提升，部分产品交付周期大幅拉长。国盛证券认为行业进入价涨量增的景气上行阶段。

至于下游的碳化硅器件和模组。

行业资深从业人员向记者透露：今年以来，碳化硅、IGBT与硅基MOSFET等功率器件价格出现显著上涨，其核心逻辑在于“后道封装产能挤出效应”。

尽管碳化硅与硅基器件在前道晶圆制造环节分属不同产线，但在后道封装测试环节却高度共用相同的封测资源与代工厂。随着2026年SiC在新能源汽车与AI数据中心领域需求井喷，各大封测厂将大量产能倾斜向附加值更高的车规级SiC模块。

这种产能的“虹吸效应”导致传统硅基IGBT与MOSFET的封装产能被严重挤占。在下游新能源、工控等领域需求稳健的背景下，封装端供给收缩直接推动了硅基功率器件价格的超预期上涨。

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