层数不再是王炸，存储大厂集体换了打法

半导体存储

存储层数还在涨，但大厂已经开辟新战场。

当地时间8月4日至6日，FMS 2026在美国加州圣克拉拉会议中心举行。这场以存储技术为核心的年度行业会议，今年释放出的信号与往年不尽相同。

存储领域层数堆叠仍在推进：三星发布了业界首款超过400层的V10 BV-NAND，SK海力士首次公开展示第十代375层4D NAND，铠侠与闪迪联合推出332层BiCS10 QLC NAND。但如果你只盯着层数，可能会错过这届FMS上真正重要的信号，存储巨头们正在用完全不同的技术路线回答同一个问题：如何让数据更快地抵达算力。

三星押注晶圆键合与垂直堆叠，SK海力士联手闪迪在HBM与SSD之间开辟了一个名为HBF的新层级，铠侠和美光则选择用CXL协议打通内存与存储的边界。路线分化之外，主控芯片厂商已全面就位PCIe 6.0，为SSD规模化量产铺平道路；同时，国内厂商在端侧AI落地、存力芯片和CXL等方向上正积极发力。

一、存储层数仍在推进，但已不是主角

三星、SK海力士、铠侠与闪迪在FMS 2026上均展示了新一代NAND闪存产品，层数数字各有突破——但各家展台的真正焦点已经不在“谁层数更高”上。

FMS 2026：存储厂商部分技术路线一览

三星正式揭晓了第十代V-NAND——V10 BV-NAND，这是继2013年首创V-NAND后的又一里程碑。该产品采用全新晶圆键合架构，堆叠层数突破400层，存储密度较上一代V9提升约58%，同时在读取、写入及I/O性能上均有显著增强。但三星在展会上的核心叙事并非“400层”，而是“晶圆键合”——这项制造工艺层面的突破，才是V10 BV-NAND真正的技术内核。

SK海力士在展台首次公开了第十代375层4D NAND闪存晶圆及产品。其性能功耗比较上一代提升2.5倍，公司计划于2027年初启动基于该闪存的高性能、大容量企业级SSD量产。不过，SK海力士在FMS上最受关注的并非只有这375层NAND，而是另一项独立发布的技术——HBF标准规范。

铠侠与闪迪联合发布了第十代BiCS FLASH 3D QLC NAND，采用CBA（CMOS键合阵列）架构，实现332层堆叠，面密度达37GB/mm2，接口速率4800MT/s。该产品定位数据中心AI SSD，重点优化KV-Cache大容量缓存需求。与此同时，铠侠推出了首款采用第十代BiCS闪存的企业级SSD——CM10系列，支持直接液冷，专为AI及现代数据中心环境设计。

层数竞赛并未停止，但它已不再是定义行业领先地位的核心维度。当堆叠层数突破400层之后，厂商们关注的焦点正在从“能堆多少层”转向“如何让闪存更快、更高效地服务于AI计算”——晶圆键合、架构创新、能效优化，成为了FMS 2026上NAND技术的真正关键词。

二、三条路线，指向相近的目标

如果说层数竞赛是过去十年存储行业的主线，那么FMS 2026展示的则是未来十年的新格局——存储巨头们选择了三条不同的技术路径，去解决同一个问题：AI时代的内存与存储瓶颈。

第一条路线：在垂直堆叠上继续攀升。

三星在FMS 2026上首次公开了zHBM和zNAND-O两项概念模型。zHBM将HBM垂直堆叠于AI加速器之上，而非传统的并排放置。相比传统HBM架构，数据传输距离大幅缩短，性能可达下一代HBM5的约8倍，能效提升3倍，热阻降低一半以上，并支持客户定制IP集成。zNAND-O则面向边缘AI环境，开发四层和八层版本，主打低延迟与高I/O性能，填补端侧推理对高性能存储介质的需求空白。【相关阅读】

第二条路线：在HBM与SSD之间开辟一个新层级。

FMS 2026开幕首日，SK海力士宣布联手闪迪正式发布高带宽闪存（HBF）的首个标准规范。HBF是介于HBM和SSD之间的新型存储层级，兼具HBM的高速数据传输能力与NAND的大容量可扩展性。【相关阅读】

该规范定义了两种容量配置——8层和16层NAND芯片堆叠，最高支持512GB容量；并按三个等级设定带宽标准，数据传输能力覆盖约0.4TB/s至3.0TB/s。HBF与处理器之间采用行业标准UCIe互联，为与GPU、CPU等不同类型处理器的灵活连接奠定了基础。该规范由全球最大的开放式数据中心技术组织OCP正式发布，成为行业通用开放标准，而非企业私有标准。目前HBF联盟已汇聚谷歌与Tenstorrent。

第三条路线：用CXL打通内存与存储的边界。

铠侠在FMS 2026上重点展示了面向GPU直接访问优化的GP系列高IOPS SSD，以及首款采用第十代BiCS闪存的CM10系列企业级SSD，支持直接液冷。与此同时，美光展示了基于CXL的内存池化方案，将近数据处理能力部署在内存侧，减少数据搬运损耗，并与产业伙伴共同探讨PCIe Gen 6在AI数据中心存储架构中的应用。

三条路线之外，还有一种“破局者”路径。3D存储半导体IP企业NEO Semiconductor在FMS 2026上发布了X-SRAM技术——一种双晶体管SRAM设计，可提供最高5倍于传统SRAM的片上缓存密度，使AI芯片内建内存容量从目前的约200-400MB提升至1-2GB，同时降低HBM存取功耗约50%至80%。其另一项技术3D X-DRAM则可将HBM容量提升至传统DRAM的10倍。

NEO代表的是一条不同于三巨头的路径，不依赖制造产能，而是通过技术授权模式推动存储架构创新。

三巨头各走一路，NEO从旁侧击——FMS 2026传递的信号是：存储行业正在从“单一赛道”走向“多路线并行”。哪一种路线最终胜出，将由AI数据中心在实际部署中的选择来决定。

三、主控芯片等产品就位，国内厂商亦积极发力

技术路线的背后，需要主控芯片来支撑。FMS 2026上，主控厂商的密集发布预示着PCIe 6.0 SSD的规模化落地已进入倒计时。

#慧荣科技 展示了企业级PCIe 6.0主控SM8466，支持28GB/s顺序读取、700万IOPS随机性能，单盘容量最高512TB，计划2026年内量产。

#英韧科技 首次演示了两款面向下一代AI基础设施的主控芯片：企业级PCIe 6.0 SSD主控和CXL Type 3主控，其PCIe 6.0方案512 Byte随机读性能可达10M IOPS，CXL主控支持CXL 3.1，基于NAND颗粒实现的CXL模组容量可达512GB。

ScaleFlux发布PCIe Gen6控制器FC6116和CXL 3.2内存控制器MC600，均计划2026年Q4送样。Marvell公布PCIe Gen6主控Bravera SC6，计划Q4出样。FADU推出PCIe 6.0企业级主控FC6161，同样计划Q4送样。

主控芯片的集体就位，意味着PCIe 6.0企业级SSD的量产条件正在快速成熟。从各家时间表来看，2026年底至2027年上半年将迎来PCIe 6.0 SSD的集中出货期。

其他存储厂商的参展阵容同样值得关注。江波龙展示与AMD联合的端侧AI方案及自研主控PCIe 5.0 SSD；佰维展出企业级PCIe Gen5 SSD及车规存储等产品。

#大普微 与UBIX泛联联合提交的UbiPower 18000方案入选FMS 2026 Device Engineering Award终选名单。该方案基于大普微全栈自研的嵘神R6系列企业级NVMe SSD，针对AI大模型训练与超长上下文推理场景完成全链路协同优化。

#康盈半导体 展出嵌入式存储、SSD、DRAM及移动存储产品：Small PKG. eMMC/ePOP方案适配AI眼镜、智能手表等轻量化终端；工业级宽温eMMC面向工业PC及边缘工控；SSD产品面向Mini PC与边缘算力主机；DRAM模组适配AI笔记本与台式整机；移动存储满足AI终端离线存储与跨设备数据流转需求。

#得一微电子 集中呈现基于“存储控制、存算互联、存算一体”三大技术支柱的全场景AI存力产品矩阵。其中，PCIe Gen5 SSD存力主控YS9503实现顺序读取14.8GB/s的性能表现，产品方案覆盖AI PC、AI手机、智能汽车、智慧工业及AI Infra五大领域，全面展现从芯片到系统的存力创新实力。

#澜起科技 在FMS前夕宣布率先试产CXL 3.2内存扩展控制器（MXC），支持PCIe 6.x和CXL 3.2协议，最高64 GT/s速率，集成双DDR5内存控制器。该产品已导入三星等头部内存模组厂商的下一代CXL产品，并完成初步验证。

FMS 2026传递的信号清晰而强烈：存储行业正在告别“层数竞赛”的单一叙事。当然，层数依然是衡量NAND技术迭代的重要指标之一，但当堆叠层数突破400层之后，行业关注的焦点正在从“能堆多少层”扩展至更多维度——如何让闪存更快、更高效地服务于AI计算，正在成为与层数同等重要的命题。

存储行业的下一个十年，或许不只属于“谁能堆更多层”，更属于“如何让数据更快、更近、更聪明地流动”。

#DRAM #NAND #主控芯片 #SSD