芯耀
与非AI
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8月6日，一则消息引起行业关注：苹果公司试图与长鑫存储商谈更低的DRAM采购价格，却遭到果断拒绝。长鑫存储坚持要求报价不低于三星电子和SK海力士，甚至更高。
曾几何时，“进入苹果供应链”是无数供应商梦寐以求的，因为这意味着稳定且规模巨大的订单。而今天，长鑫对苹果说了“不”，还反向开出了更高价。
长鑫的底气从何而来？
首先源于国内市场的支持。华为、小米等企业已通过长期合同锁定了长鑫存储的产能。在庞大且稳定的内需订单支持下，长鑫存储无需迁就苹果公司苛刻的条件。过去苹果常用的“转单中国供应商”压价策略，如今已被切断。
长鑫科技招股书也披露，公司已与腾讯、阿里云、字节跳动、联想等行业核心客户开展合作。消息称今年6月长鑫与腾讯签订逾30亿美元供货协议，7月又与字节跳动签下为期五年、总值逾70亿美元的协议。内需订单的确定性与规模，为长鑫构筑了第一道护城河。
其次，存储芯片转为“卖方市场”，市场定价权上移。半导体行业资深专家张国斌表示，AI算力需求的爆发式增长，三星、SK海力士正将70%以上的新增产能转向HBM4、企业级SSD等高附加值AI存储产品，导致通用型DRAM（如LPDDR5X）供给持续收紧。在此卖方市场下，存储行业的定价权已从下游终端厂商向上游原厂转移。
更根本的底气来源于自身。目前长鑫产品参数与良率已迈入第一梯队。长鑫的17nm DDR5良率已突破90%，与三星同代产品（92%~93%）仅差几个百分点；LPDDR5X最高速率达10667Mbps，已进入小米、荣耀、OPPO、vivo和传音的供应链。 这帮苹果验证了长鑫的大批量生产和长期供货能力。
此外，长鑫的成本优势也提供了议价空间。张国斌表示，长鑫的单位晶圆成本比韩国厂商低15%~20%， 这使其在维持价格不低于三星、SK海力士的同时，仍能保持可观利润。
如今的长鑫已不再是“低价替补”的角色，而是成长为我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业。2026年一季度，长鑫DRAM全球市场份额已达7.7%至8%，位居中国第一、全球第四。
其产能也很可观，长鑫在合肥、北京拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，月产能约为28万至30万片，产能利用率长期保持在95%以上。到2026年末，月产能预计将提升至约35万片。
事实上，苹果积极游说美国政府希望获批采购长鑫DRAM用于中国市场销售产品，恰恰说明其已经认识到：在存储短缺时代，长鑫是必须平等对话的战略级供应商。
因此，在当下，不是长鑫离不开苹果，而是苹果更需要长鑫。
终端厂商集体“冲高”
存储芯片价格的持续飙升，正以前所未有的烈度冲击全球消费电子产业链。集邦咨询报告显示，今年上半年16GB DDR5内存、1TB固态硬盘终端价格较2025年同期涨幅均超130%。高盛、集邦咨询等机构一致判断，当前存储供需紧张格局至少延续至2027年下半年。
涨价也完整传导至消费端。今年3月，OPPO率先将A系列、K系列上调200至500元；随后vivo、荣耀相继跟进。进入6月后，一加、iQOO等品牌启动第二轮涨价。至此，从年初至今，主流手机品牌已历经多轮调价，中低端机型累计涨幅普遍达300至1000元。
8月5日，华为终端BG董事长余承东表示，内存高昂涨价，所有的手机之后可能都要大规模涨价，否则在原来的价格都是亏损销售。IDC分析师郭天翔指出，各厂商前期采购的低价库存物料正在逐步消耗殆尽，成本压力将在下半年集中释放。
张国斌预计，存储成本攀升将触发手机行业四大结构性转变。
一是从“量增”转向“价增”：IDC预计2026年中国智能手机出货量可能出现明显回落，行业增长不再依赖出货量扩张，而依赖ASP（平均售价）提升。
二是从“低端走量”转向“高端突围”：随着存储涨价，头部厂商削减中低端产品线，将资源集中于高端和旗舰机型，以消化成本，2026年成为国产安卓“冲高”的关键年。
三是从“硬件盈利”转向“服务增值”：厂商被迫通过芯片自研、系统级功耗优化、云端算力替代本地存储等路径，推动商业模式从“卖硬件”向“卖服务”跃迁。
四是从“消费电子驱动”"转向“AI算力驱动”：本轮周期的核心驱动力不再是手机换机，而是AI服务器对HBM和DDR5的“黑洞式”消耗。
六步前瞻，长鑫如何应对周期下行
存储芯片的强周期属性未变。2027年，三星、SK海力士、美光、长鑫等厂商新增产能将集中释放，若AI基建投入增速放缓，DRAM市场可能率先进入下行周期。部分分析师甚至预判2027年存储芯片市场可能出现同比负增长。
ICT独立分析师孙永杰指出，当前，三星、SK海力士等全力押注HBM，逐渐淡出DDR市场，而长鑫存储深耕DDR恰好迎来了黄金窗口期——这并非主动构建的差异化优势，而是对手战略转移留下的市场机会。因此，国产存储还需坚持长期投入，构筑护城河。
面向未来下行周期，张国斌建议长鑫等国产存储厂商从六个维度前瞻布局。
一是产品结构高端化。加速从DDR4向DDR5、LPDDR5X转移，提升产品ASP；将HBM产能占比从目前的约20%进一步提升，这要确保上海HBM封测厂2026年底顺利投产，完成HBM3从样品到稳定量产的验证闭环。
二是绑定大客户长期协议。通过LTA锁定华为、小米等核心需求，平滑周期波动。同时，在周期高位时完成国际主流客户的质量认证，为周期低位时抢占份额做准备。
三是极致降本并缩小代差。推进15nm以下先进制程，提升良率，缩小与三巨头的工艺代差；依托设备国产化（目标60%以上）降低资本开支和运营成本。
四是多元化布局。发力车规级、工业级、企业级SSD等价格波动较小、认证壁垒较高的细分市场；适时补齐NAND或CXL控制芯片，向综合性存储方案商演进。
五是产能弹性管理。借鉴海外三巨头“保高弃低”策略，在周期下行时优先削减低毛利产品产能。
六是构建系统级竞争力。深度绑定华为昇腾、寒武纪等国产AI算力芯片，形成“存算协同”的自主生态。
2028年，国产HBM迎落地拐点
当前，中国存储产业已积累一定竞争优势。例如，长鑫存储与长江存储分别依托G4/G5工艺和Xtacking 4.0架构，构建起自主技术体系，有效绕开海外专利封锁。月产能规模效应显著，并华为昇腾、小米、OPPO等本土头部企业达成长期协议。产业链配套上，设备国产化率已突破45%，北方华创、中微公司等形成协同生态。
但在高端技术环节，与国际巨头仍存在明显短板——先进制程、先进封装、高端光刻机、核心材料等方面仍受制约，全球市场拓展则受制于专利布局薄弱与地缘政治壁垒。
关于HBM量产拐点，张国斌给出了明确的时间表。
2026年底-2027年初：长鑫HBM3小批量试产，上海封测厂投产，主要配套华为昇腾等国内客户，实现“从0到1”的突破。
2027年：HBM3规模化供货，月产能目标约5万片晶圆（相当于三星+SK海力士届时总产能的20%-25%），国产化率开始有意义提升。
2027-2028年：视为国产HBM的落地拐点，产品进入国内主流AI服务器供应链，HBM国产化率从不足1%向5%~10%攀升。
2028-2030年：HBM3E量产，开始追赶HBM4；国产化率目标12%~15%。
2030年以后：有望缩小至落后1代，但Counterpoint分析师认为“至少2030年前，中国厂商很难在高端DRAM和HBM追上韩国巨头”。
张国斌强调，国产HBM的真正拐点不仅取决于长鑫自身的技术突破，更取决于国产AI算力芯片（华为昇腾、寒武纪等）的出货量能否形成规模效应，以及先进封装产业链（通富微电、长电科技等）的协同成熟度。只有当"算力芯片+高带宽存储+先进封装"形成正向循环，国产HBM才能从样品走向可持续的商业化。
总体来看，苹果今天的压价失败，或许只是一个开始。在AI重构算力基础设施的时代，内存的重要性正在被重新定价——而中国存储厂商，已经坐上了这张定价桌。
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