芯耀
与非AI
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在晶圆前道制程微缩逼近物理极限的当下，单晶圆层面的微缩技术研发成本呈指数级上升，前道摩尔定律的边际效益递减。 在此背景下，通过后道封装技术创新延续算力增长的 “后道摩尔定律”，已成为后摩尔时代半导体性能提升的关键路径。
全球集成电路封装技术迄今经历了五个发展阶段，前三个阶段属于以引线键合和针脚插装为主要特征的传统封装，第四和第五阶段则跨入了以倒装芯片、晶圆级封装、系统级封装、硅通孔及三维堆叠为代表的先进封装时代。
2025年，全球封测产业迎来了历史性的“交棒时刻”，而在这背后，是一场国产设备厂商与国际巨头贴身肉搏的生死突围战。
2025，跨越历史分水岭的封装交棒
从传统封装向先进封装的跨越，正以数据中心、AI算力和智能汽车的爆发为加速催化剂。行业迎来了一个标志性的时间节点：
Yole Group报告显示，2025年全球先进封装市场规模约531亿美元，同比增长9.6%，占比首次超过传统封装达51%，标志着全球封装技术正式进入先进封装主导时代。预计到2030年，全球先进封装市场规模有望达794亿美元，年复合增长率约8.4%。
而在中国大陆市场，算力自主化和供应链安全的迫切需求，催生了更高的增长弹性。
市场增速狂飙：综合各家机构的统计数据，2025年国内先进封装市场规模的预测区间主要集中在850亿元至1100亿元，2024至2030年的复合年增长率高达19.2%。
渗透率红利巨大：2024年中国大陆先进封装渗透率约为40%，仍低于全球55%的平均水平。这之间近15个百分点的代际差，恰恰为国内封测大厂与本土设备厂商提供了极具中长期渗透价值的“黄金开垦区”。
在这种工艺演进下，中道超薄制程设备迎来了刚性爆发。键合、减薄和划片，正成为设备国产化攻关最耀眼的三大黄金赛道。
三大核心设备赛道：国产设备商的硬核跃迁
键合设备：纳米级对准与原子级互连的终极博弈
键合工艺是实现高密度垂直互连的核心，其技术路线沿着“热压键合（TCB）、临时键合与解键合（TBDB）、混合键合（Hybrid Bonding）”渐进演进。
1.临时键合与解键合：超薄晶圆的“安全带”
随着芯片层数堆叠和厚度缩减，超薄晶圆极易发生碎裂和变形。TBDB工艺通过临时介质将功能晶圆与载体晶圆贴合提供机械支撑，背面金属化完工后再进行无损分离。
国产突围：芯源微推出的临时键合/解键合设备专为大厚度光刻胶/键合胶工艺（大于60μm）量身打造，兼容主流材料，已在多家大厂订单放量；迈为股份开发的MX-21D1全自动临时键合机，独创“一预键合腔托两键合腔”设计，将系统效能提升了60%，可兼容翘曲度达5mm的大变形晶圆。
2.混合键合：物理极限的无凸点互连
作为下一代超高带宽HBM和3D SoC的“标配”技术，混合键合直接省去了传统微凸点，在常温下实现二氧化硅等介质表面融合，再通过退火使铜触点产生原子级扩散互连，其对准精度要求跨入亚微米甚至纳米级。
国产突围：拓荆科技凭借前道薄膜及表面真空等离子处理的技术协同，其Dione 300 W2W（晶圆对晶圆）设备已在2023年通过客户验证并获得复购，Pleione 300 C2W（芯片对晶圆）设备也已进入HBM及芯片三维集成领域进行验证出货。2025年拓荆混合键合设备营收大增41.92%至1.36亿元，率先跑通了商业化闭环；同时，迈为股份于2025年5月交付首台晶圆级混合键合设备，对准精度达到±100 nm级别，向 ±50 nm的国际最高标准发起冲击。
减薄设备：百微米“刀尖上”的精密重构
垂直堆叠工艺要求晶圆必须减薄至数十微米级（薄如蝉翼）。然而，单纯的机械磨削会在表面留下微裂纹和损伤层，必须高度集成机械磨削与CMP（化学机械拋光）工艺。由于直接关系到单片价值数万美元的超薄晶圆生命安全，减薄一体机技术长期被日本Disco高度垄断。
国产突围：由清华大学路新春教授团队孵化的华海清科，在国内12英寸CMP市场已拿下约50%的半壁江山。华海清科基于深厚的CMP工艺积淀，推出了首台12英寸超精密晶圆减薄抛光一体机 Versatile-GP300，并已发往国内集成电路龙头大生产线验证。该设备通过高度集成的磨削与抛光消除表面损伤，直接切入了高端超薄制程的垄断腹地。此外，由于其直接材料占成本比高达90%以上，本土化零部件供应链的本地化空间也为国内产业协同留出了极大的想象力。
划片设备：精细化激光切割的市场迁徙
随着Low-k（低介电常数）材料的大量使用和晶圆极致减薄，传统机械刀片割片极易导致严重的崩边与机械应力损伤。工艺路径正在加速转向激光隐形切割（Stealth Dicing）——通过超快激光在晶圆内部聚焦形成改质层，再拉伸使芯片实现无应力、无微尘、无崩边的自然断裂。
国产突围：高端机械划片方面，光力科技通过并购英国LP和以色列AMT，彻底掌控了高端划片机底座的命脉——高精密半导体空气主轴，其多片机械划片机成功切入国内外封测龙头，打破了Disco的绝对垄断；而在激光隐形切割领域，大族激光与德龙激光等本土激光大厂凭借自主光路设计及多波段光源集成，已在硅基集成电路及SiC、GaN等化合物半导体领域实现了国产设备规模交付。
新兴场景：玻璃基板与面板级封装（FOPLP）
除了对硅基材料的纵深挖掘，行业正向更大的物理尺度和非晶圆介质进行革命性演进：
1.基板“玻璃化”——TGV（玻璃通孔）成孔红利
为了克服传统ABF载板在大尺寸芯片下的热收缩和翘曲损耗，玻璃基板因高平整度、低热膨胀系数及极低的高频信号损耗，成为大尺寸算力芯片垂直互连的终极替代载体。
其核心增量在TGV激光成孔设备。国内德龙激光在这一前瞻技术上卡位极佳，其超快激光微纳精密加工实力将直接承接这一爆发性赛道的技术红利。
2.面板级封装（FOPLP）——大面积重构的高效降本
将芯片重构在600 mm × 600 mm方形面板上的FOPLP技术，其面积利用率远高于圆形晶圆，在大批量生产时降本效应显著，已吸引台积电、日月光等封测代工巨头倾力押注。
然而，大面积方形基板面临极严重的翘曲与热变形痛点。这给设备端孕育了高溢价机会：如需要光刻设备具备极高的动态对位与图形补偿算法，大面积电镀设备实现超高均匀度电沉积等，正在快速撑起一个全新的百亿级设备细分赛道。
国内封测龙头巨资扩产，国产设备实现闭环成长
先进封装是一门高度复杂的非标、定制化艺术，特别是在混合键合、超精密研磨这类前沿工艺中，仅靠设备厂孤军奋战寸步难行。
当前，国内封测双雄——长电科技（计划2026年资本开支达100亿元）与通富微电（AMD封测主力伙伴，先进封装营收占比高达70%，设施投资达91亿元）正在大笔倾斜其重资产开支，迫切构建本土的供应安全网。
通过在封测大厂、代工厂与拓荆科技、迈为股份、华海清科、芯源微等设备龙头之间建立“联合研发实验室”，以“设备+材料+工艺设计”三位一体的方式进行联合非标攻关，国产先进封装设备已真正步入“验证－放量－复购－扩圈”的良性循环。
总结
在2025年先进封装历史性过半的时代转折点，中国半导体设备厂商正在以中道超薄制程为杠杆，重构整个本土芯片产业链的黄金底座。
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