芯耀
与非AI
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2026年8 月13日，杭州镓仁半导体宣布数亿元A轮融资交割完毕；四天后，同城的富加镓业也官宣完成新一轮过亿元融资。
两家公司、两条技术路线、两轮密集资本注入，前后脚发生在杭州这座城市。
投资方名单里，深创投、中国中车、衢州东峰、方广资本、上海科创……国家级资本、产业龙头、地方国资、市场化VC密集交织。
我认为这不是巧合，而是一份用真金白银写就的产业宣言：氧化镓，这个被学界称为"第四代半导体"的材料，正以前所未有的速度从实验室冲向产线。
再看这个时间节点，就更有意思了。
"十五五"规划纲要刚刚明确写入"推动氧化镓、金刚石等超宽禁带半导体产业化发展"，这是氧化镓首次被纳入国家级五年规划。
政策闸门一开，资本洪流随即涌入。
富加镓业和镓仁半导体，恰好站在这场风暴的两个风口上。
01两种打法，一个目标
如果把氧化镓产业比作一场赛跑，富加镓业和镓仁半导体就是领跑集团中并排奔跑的两位选手。
它们步伐不同，但方向一致。
富加镓业是"全链条重武器"型选手。成立于2019年底，依托中科院上海光机所的技术底子，它走的是垂直布里奇曼法（VB法）路线，在国际上率先将AI技术引入晶体生长过程，实现了"一键长晶"并获得国际专利授权。
2026年3月，这家公司干了一件让全球同行侧目的事，用VB法在国际上首次制备出12英寸氧化镓单晶，直径305毫米，刷新全球纪录。从6英寸到12英寸，单片器件产出理论上是6英寸的4倍，是8英寸的2.25倍。这不是尺寸的简单叠加，而是直接把氧化镓器件的成本天花板砸碎了一半。
*富加镓业12英寸氧化镓单晶（直径305mm） 更关键的是，富加镓业构建了"核心装备—晶体生长—衬底加工—薄膜外延"的全链条自主闭环。它不仅是全球唯一具备12英寸氧化镓单晶制备技术的企业，外延薄膜迁移率还做到了国际公开报道最高值，接近氧化镓材料的理论极限。
2026年6月，公司与器件端龙头芯长征集团签署战略合作协议，从"材料突破"正式迈向"全链协同"。资本层面，衢州发展（600208）作为第二大股东持股16.77%，物产中大通过产业基金间接参股，国家队和上市公司的双重背书，让富加镓业的产业地位更加稳固。
*2026年7月，富加镓业成功将8英寸氧化镓MOCVD外延工艺首次外推至12英寸。图为8英寸（左）与12英寸（右）氧化镓外延厚度分布对比。
镓仁半导体则是"技术路线创新"型选手。2022年9月才成立，创始人张辉是浙江大学材料学教授，首席顾问是中科院院士杨德仁——国内硅材料领域的泰斗级人物。
团队背景决定了它的差异化打法：别人用导模法（EFG），它用自研的"铸造法"；别人被贵金属铱的高成本卡住脖子，它把铱用量砍掉80%；别人还在为4英寸良率发愁，它已经批量交付6英寸同质外延片。
铸造法的本质，是在可控热场中实现熔体定向凝固，这与硅单晶生长的底层逻辑相通。正因如此，一支硅材料背景的团队才能在氧化镓领域实现"降维打击"。镓仁半导体将衬底单片成本降低80%以上，出片量提升至原来的3至4倍，两个数字的乘积效应，让6英寸衬底成本有望压到2000元以下，这将会大幅缩减下游器件成本。
*稼仁6英寸氧化镓同质外延片已实现批量供货
2026年7月，公司建成全球首条兼容6/8英寸的氧化镓同质外延量产线，成为全球首家、也是唯一一家商用6英寸氧化镓同质外延片的供货商。产品不仅交付国内头部晶圆厂，还稳定批量供应德国科技企业NextGO.Epi，走出了中国氧化镓材料出海的第一步。
02投资人到底在赌什么？
要理解资本为何在2026年集中下注氧化镓，必须回到一个根本问题：氧化镓凭什么比碳化硅更值得押注？
答案其实很简单。氧化镓的禁带宽度约4.8-4.9eV，碳化硅只有3.2；氧化镓的临界击穿电场约8 MV/cm，碳化硅仅约3；氧化镓的BFOM（衡量功率器件性价比的核心指标）高达约3444，是碳化硅的十倍以上。
翻译成大白话就是：同样耐压的器件，氧化镓可以做得更薄、更小、损耗更低。在8kV以上的超高压场景，比如特高压输电、轨道牵引、兆瓦级数据中心电源等，碳化硅已经逼近物理和成本的双重天花板，而氧化镓才刚刚打开舞台。
但真正让投资人兴奋的，不是性能参数，而是成本结构。碳化硅采用气相法生长，速度慢、尺寸受限、设备昂贵，一片6英寸衬底成本高达数千元。
氧化镓是唯一一种可以像硅一样用熔体法常压生长的宽禁带材料，生长速度约为碳化硅的10倍以上，理论衬底成本有望降至碳化硅的三分之一甚至更低。
当"更宽的禁带"与"更低的成本"同时出现时，氧化镓就不再是高端小众的补充品，而是具备了重塑整个功率半导体供应链的资格。
这正是投资人眼中的"期权逻辑"。一条碳化硅产线设备投资动辄数亿元，且与氧化镓工艺不兼容，材料体系切换成本极高。在碳化硅主赛道估值已经透支的背景下，资本溢出到氧化镓，本质上是在为"碳化硅之后可能是什么"提前布局。
方广资本、深创投联合领投镓仁半导体，源创基金押注富加镓业，中国中车作为下游应用方直接入场。这每一笔钱都在说同一句话：氧化镓不是"会不会来"的问题，而是"什么时候来"的问题。
融资密度本身也说明了问题。2026年以来，国内超宽禁带半导体融资异常密集：富加镓业两轮亿元级融资、镓仁半导体A轮数亿元、铭镓半导体A++轮1.1亿元加Pre-B轮超1.5亿元累计六轮接近5亿元、镓创未来天使轮加战略投资连续落地。据行业数据，2026年国内超宽禁带半导体相关投资总额预计超过210亿元，较2023年翻一番。
这种密度不是泡沫，而是产业从"技术研发周期"切换至"订单验证周期"的真实信号。
03热闹背后的思考
然而，资本的热情不能掩盖产业现实的骨感。氧化镓面前横亘着三座大山，所有氧化稼企业都绕不开。
首当其冲就是是散热。氧化镓的热导率仅约10-27 W/m·K，约为碳化硅的十三分之一、硅的五分之一。高压大电流工作时，器件内部热量急剧积累却散不出去，载流子迁移率快速下降，严重时直接热击穿。
西安电子科技大学郝跃院士团队2025年在《自然·通讯》上发表了一项巧妙方案：在氧化镓和金刚石之间引入石墨烯作为界面缓冲层，将界面热阻降至传统技术的十分之一。但这仍是实验室突破，离规模化量产还有距离。背面减薄、金刚石键合、Ga₂O₃-on-Diamond异质集成……所有散热方案都还在"概念验证"到"工程化"的途中。
其次是p型掺杂。半导体物理的基本原理是p型和n型互补才能造出高效的双极型器件和CMOS电路，而氧化镓的价带顶由O 2p轨道构成，空穴有效质量大，受主能级深，迄今未能实现有效、可重复的p型导电。
这直接限制了双极型器件与CMOS化架构的设计自由度，氧化镓功率器件因此整体停留在单极型阵营——SBD 最先小批量商用，横向MOSFET已接近商业化（九峰山实验室2026年基于国产同质外延片做出9.02kV横向 MOSFET），垂直 UMOSFET/JFET 则在千伏—九千伏区间快速爬坡。
国内学界为绕开p型掺杂死结，走的是异质结集成（p-NiO 等）+ 表面电场工程（场板/介质界面调控）两条并行路线，九峰山9kV器件即属后者；但无论哪条路，都尚未收敛出车规级、可复现、标准化的器件体系。此观点，可戳我之前文章9000V 突破之后，别再走碳化硅的老路！
最后是产业链生态的缺失。碳化硅经历了近二十年的生态建设，拥有从衬底、外延、器件设计到模块封装的完整供应链和车规级验证体系。国内氧化镓已跨越“样品送样”阶段，6英寸衬底及同质外延片进入小批量量产与商用交付的初期，但从晶圆良率、器件可靠性数据库到车规级认证，距离碳化硅的产业积淀的成熟生态仍有明显差距
富加镓业与芯长征的战略合作、镓仁半导体与三安光电的联合攻关、与华润微的批量供货，这本质上都是在补课，补"衬底外延—芯片器件—终端应用"全链路协同这一课。
04全球博弈
把视野拉到全球，氧化镓的竞争版图更加清晰。
日本是传统强国，Novel Crystal Technology（NCT）长期供应全球近100%的氧化镓衬底，拥有约60%的核心发明专利。2026年3月，NCT开始批量交付150毫米（6英寸）β-Ga₂O₃衬底样品，并计划在2027年推出外延片、2029年全面量产、2035年供应200毫米（8英寸）衬底。它采用的EFG法技术成熟，但依赖大量贵金属铱，成本居高不下。
为此NCT正在开发无需铱坩埚的"DG法"，试图在量产阶段实现成本颠覆。
美国将氧化镓视为下一代军用和民用电力电子系统的核心材料，国防部投入高达2.8亿美元用于氧化镓功率开关研发，DARPA启动专项攻关，侧重器件级应用开发。欧洲研究力量分散，但在材料表征和器件物理模型等基础研究层面实力突出，德国弗劳恩霍夫研究所、英国EPSRC均有布局。
在这场全球竞速中，中国企业的策略非常清晰：用大尺寸+低成本的组合拳，快速蚕食日本的技术先发优势。
*结终端扩展NiO/β-Ga2O3异质结二极管(a)截面示意图和器件关键制造细节，(b)与已报道的氧化镓肖特基二极管及异质结二极管的性能比较。
富加镓业的12英寸单晶把尺寸领先拉大至至少一个代际；镓仁半导体的铸造法从成本端撕开了产业化的口子；铭镓半导体在磷化铟+氧化镓双线布局中卡位光通信和功率两大市场。
更重要的是，中国拥有全球最大的半导体消费市场，2026年氧化镓相关产品需求占全球31%，其中电力电子领域贡献超过58%。庞大的下游应用场景，是任何海外竞争对手都不具备的天然优势。
*基于异质PN氧化镓结型场效应晶体管(a)结构示意图及工艺流程图，(b)不同漏极偏压的转移特性，(c)输出特性曲线，与(d)击穿特性曲线。
但客观来说，日本在车规级器件长期可靠性测试、外延工艺细节和专利壁垒上仍有多年积累优势。NCT的DG法一旦在2029年量产成功，将直接冲击中国企业的成本优势。欧美科研机构的中试产线也在加速搭建。中国企业的"三年领先"并非高枕无忧，而是需要在持续研发投入中不断巩固的脆弱优势。
05政策催化与产业拐点
2026年是中国氧化镓产业的"政策大年"。"十五五"规划首次写入氧化镓产业化，科技部将其纳入重点研发计划，配套设立26亿元产业化引导基金。
地方层面，浙江成为全国唯一将氧化镓、金刚石写入省级"十五五"新型工业化规划的省份，目标2030年集成电路产业营收达4500亿元；上海临港发布国内首个第四代半导体地方专项政策，目标2028年集聚企业不少于50家、产业规模突破50亿元；湖北、安徽、广东、四川等省市密集跟进，从重大项目投资、芯片流片、测试验证等八大领域给予千万级扶持。
但我们从另外一个层面思考，政策的密度折射出是顶层的战略焦虑。
氧化镓的核心原料是金属镓，中国自2023年起对镓相关物项实施出口管制，2025年多次重申适用于氧化镓，凸显其战略资源属性。在全球范围内，谁先实现氧化镓产业化，谁就掌握了下一代电力电子的定价权。
这注定是一场没有硝烟的材料争夺战。
06真正的验票口
回到富加镓业和镓仁半导体本身。两家公司并非零和竞争，而是共同构成了中国氧化镓产业的"双引擎"。
富加镓业凭借12英寸全球纪录和全链条系统能力，确立了前沿技术指标和企业规模上的领跑地位；镓仁半导体凭借铸造法的成本颠覆和国际市场批量供货，在商业化落地速度上占据先机。
我觉得，它们的竞争更像是一场"友军竞赛"，比的是谁能先把良率跑过80%、把成本压到客户愿意下单的临界点、把器件送进车企的验证流程。
对于投资人而言，氧化镓当前更像一份"三年后的期权"而非"当下的现金流"。
真正的催化节点将出现在2027-2028年：当6/8英寸衬底良率稳定突破80%、当氧化镓功率器件在新能源汽车或电网侧完成万小时可靠性验证、当头部器件厂开始批量采购国产外延片。市场机构普遍预测，2026-2027年以车企和光伏企业试样、小批量试用为主，2028年之后才会迎来规模化装机潮。
富士经济测算，2030年全球氧化镓功率器件市场规模约1542亿日元（约12.2亿美元）；更乐观的Stratistics MRC预计，2034年全球氧化镓整体市场将达1612.8亿美元，年复合增速15.7%。
两个机构预测的数字差异巨大，但方向一致：氧化镓是一个正在加速膨胀的市场，只是兑现节奏需要耐心。
07最后的赢家
富稼创始人齐红基接受采访时表示："氧化镓正处于从材料到器件全链路贯通的关键拐点。"张辉用不到四年时间，把镓仁半导体从一间实验室推到全球首条6/8英寸量产线的门口。
我觉得这个拐点意味着两件事：方向已经明确，最艰难的路还在脚下。
对于投资人，这是一份需要耐心等待兑现的期权；对于产业人，这是一场关于良率、成本和可靠性的马拉松；对于中国，这是一次在半导体材料领域从"跟跑"到"换道领跑"的历史性机会。
市场留给所有人的耐心，大约只有三到五年。谁能在这段窗口期内率先跑通"衬底—外延—器件—模组"的全链路闭环，谁就将在下一代电力电子的版图上，刻下自己的名字。
