本文介绍了一种单片式八通道高侧驱动器,能够驱动任何与地连接的负载。该器件名为VN808-E,具有8个低电压MOSFET通道(45V击穿电压,在25摄氏度下的最大RDS(ON)为160mW),并在单个芯片上集成了保护和诊断功能。该器件采用Jedec标准的PowerSO-36封装。
VN808-E采用VIPower M0-3技术开发。这是STMicroelectronics专有的智能功率技术,可以在同一芯片中集成控制部分和功率级。
VN808-E被设计为符合IEC 1131(可编程逻辑控制器国际标准),但也可用于任何其他类似的应用场景。
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