AN1142_APM32F003应用注意事项

本应用笔记提供在 APM32F003x4和 APM32F003x6应用时需要注意的事项。

硬件应用设计注意

MCU滤波电容设计

芯片电源端口（VDD、VSS)和 VCAP引脚需要并接大小滤波电容，如图 1和图 2所示。电容的 有效性取决于最佳放置和连接类型，PCB布局需星型走线注意外部电源先经过大小电容再接入芯 片，大小滤波电容尽量靠近芯片 4mm以内放置。参考如下： BULK电容、CAP电容、DEC去 耦电容分别为 10uF以上、2.2uF、100nF。

注意：低温应用时，电容的实际容值可能会减小，建议在 Vcap端口接电容（2.2uF），接小电容时可能导致芯片不 能正常工作。

MCU供电注意事项

MCU供电斜坡率需满足数据手册要求的最大值和最小值限值，即大于 0.5V/min和小于 100V/ms。从 0V到 5.5V的时间需要至少需 55us，从 0V到 2.4V的时间至少需要 24us，上电 速率过快或过慢可能导致 MCU无法正常工作； MCU掉电要求掉电至 300mV以下再重新上 电，以上时间需在全温范围下满足要求。上电启动波形需满足图 3中①波形，其余三种波形均 不正确。

外设模块使用 VDD、 VSS

在使用 MCU控制外部模块的供电或上电过程中，应当避免过快地上电速率，以防止因电流突变而导致的 VDD电压被拉低的问题。为确保系统稳定运行并保护电路免受潜在损害，建议采用适当的时间措施来平稳地进行供电转换。可以通过增加适当的缓冲元件，例如电容或电阻，来调整 上电的速度，不至于 VDD因为瞬时的大电流需求导致电压骤降，如因此导致 VDD骤降，下降速 度也必须符合 ECU供电斜坡率要求。(如图 4和图 5使用示例)

暴露在外的端口注意防护

• 如通信口，需要加 ESD防护措施。可在信号线上串联一个小电阻 100R限制 ESD电流的幅度；可使用瞬态电压抑制器二极管(TVS)并联在信号线上，靠近接口位置。

• 烧录口存在热拔插风险，需注意防护，连接时先接触 GND再接触 IO。

• 复位引脚应当外接电容但是不应过大，可能会导致引脚不能完全拉低引起烧录异常，建议电容接 100nF。