ASC200N1200ME2碳化硅模块1200V8mΩ

14小时前作者：碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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1. 采用全焊片工艺，Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷；

2. 高功率密度，低寄生电感，低开关损耗；

3. 适用高温、高频应用；

4. 参数范围： VDS：1200V ID：200A RDS(on) ：8mΩ

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