闩锁效应

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闩锁效应(Latch-up)是CMOS集成电路中一个重要的问题,这种问题会导致芯片功能的混乱或者电路直接无法工作甚至烧毁。

闩锁效应(Latch-up)是CMOS集成电路中一个重要的问题,这种问题会导致芯片功能的混乱或者电路直接无法工作甚至烧毁。收起

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  • latch up闩锁效应原理及形成的原因
    一般Fabless公司设计的芯片在工程批回来之后,都会做芯片级的ESD测试和latchup等测试,对很多客户朋友来说,有可能对latchup稍微陌生,本篇文章将简要介绍latchup。
  • 【技术分享】详解 IGBT 的闩锁(Lanch-up)效应
    闩锁(Lanch-up)效应,一般我们也可以称之为擎住效应,是由于IGBT超安全工作区域而导致的电流不可控现象,当然,闩锁效应更多的是决定于IGBT芯片本身的构造。实际工作中我们可能很少听到一种失效率,闩锁失效,今天我们就来聊一聊什么是闩锁效应~
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    2019/05/29
  • 多电源域系统中,某个电源上电时序不达标导致芯片闩锁怎么办?
    在多电源域系统中,电源上电时序不达标可能会引发芯片闩锁等严重问题,影响整个系统的性能和稳定性。因此,在设计过程中,需要认真考虑每个电源域的上电时序问题,并采取相应的措施来预防和解决可能发生的闩锁问题。通过合理的设计规划、严格的验证流程和团队协作,可以有效地降低闩锁风险,确保电子系统的正常运行和可靠性。
  • 闩锁效应
    闩锁效应是指在某些系统中,由于特定条件的存在,使得系统进入一种“锁住”的状态,无法继续正常运行或产生所期望的结果。这种效应可能会导致系统停滞、失灵或陷入不可逆的状态。
  • 闩锁效应(Latch-up)的原理及其抑制方法介绍
    闩锁效应是集成电路中常见的一种不良现象,它可以导致电路失去控制,电流异常增大,甚至烧毁芯片。闩锁效应通常发生在CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)集成电路中,尤其是高集成度和高速度的现代电子器件上。本文将探讨闩锁效应的原理以及有效的抑制方法。