电源设计领域有个很常见的场景:一颗电路板上,既要低压侧的高效率开关,又要高压侧的简单驱动,工程师往往要在两到三颗分立 MOS 管之间反复权衡。杰盛微(JSMSEMI)推出的 JSM30NP03DG,把一对 N 沟道 + P 沟道 MOSFET 集成进同一颗 PDFN5×6 封装里,为同步降压应用提供了一种更简洁的选型思路。 本文围绕这颗器件,讲清楚三件事:它到底是什么、它的关键参数该如何理解、工程
做电源、做电机驱动、做风扇控制的工程师,大概都遇到过同一个问题:板子上需要高边和低边两路开关,于是得放两颗 MOS 管,占面积、费布局、还多两道焊点。 如果能用一颗芯片同时把两路开关装进去,事情会不会简单很多? 今天要介绍的杰盛微 JSM12NP03D,就是这样一颗把 N 沟道和 P 沟道 MOS 管"装进同一个 TO-252-4 封装"的互补增强型功率器件。这篇文章不讲玄虚的概念,只说清三件事:
在 LED 照明硬件设计中,锂电池、太阳能、低压直流供电场景常会遇到输入电压波动、升压驱动以及调光、低待机功耗等需求。惠海 H6911 是一款外围简洁的升压型 LED 恒流驱动器,面向中低压 LED 照明应用。 惠海半导体原厂H6911宽电压输入,适配多种低压供电 芯片启动电压 2.5V,工作输入范围 2.6V~40V,兼容 2.7V、5V、12V、24V 等常见低压输入与多串锂电池系统,可升压至