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  • 2μm红线:背面供电的“热-力耦合”失效,与2028年全行业必须面对的24亿美元雷
    2026年IMEDS会议上,国内芯片制造商玄武团队发布“玄武模型”,揭示背面供电TSV应力累积的三阶段模型,并提出应力管理方案。该模型指出TSV间距小于2μm时,应力呈超线性叠加,导致芯片在使用周期内失效概率显著上升。玄武团队通过仿真和实验验证,提出了应力缓冲层+梯度热退火的优化策略,成功将应力峰值降至0.65GPa,接近硅材料的临界屈服极限。团队预计未来将推出第二代应力管理方案,进一步提升芯片的可靠性和早期失效检出率。该模型不仅有助于提前预防失效,还为中国芯片制造业提供了自主可控的技术路线,缩短与国际领先企业的差距。
    2μm红线:背面供电的“热-力耦合”失效,与2028年全行业必须面对的24亿美元雷
  • 韬(τ)定律时代,中国半导体迎来四大机遇
    2026年5月25日,华为公司董事、半导体业务部总裁何庭波在IEEE国际电路与系统研讨会上,正式发表「韬(τ)定律」——以"时间缩微”替代传统“几何缩微”,作为半导体演进的新指导原则。 对一个被“卡脖子”叙事缠绕多年的半导体产业而言,这一刻值得认真对待——但更需要冷静读懂:“τ定律”的真正价值,不在于替中国半导体宣告“追上来了”,而在于揭示了一条更现实的突围路径。这一点,恰恰是今天讨论中国半导体机
  • 为什么TSV电镀面铜越薄越好?
    面铜是在TSV电镀过程中,在晶圆表面沉积的一层多余的铜,最终需要通过CMP完全磨掉。面铜越厚,CMP研磨时间越长,成本增加;同时,厚度越大,CMP均匀性越差,容易出现碟形凹陷等问题;此外,厚面铜会导致晶圆应力和翘曲增加,影响后续工艺精度。因此,面铜越薄越好,以降低CMP时间和成本,并保持良好的工艺性能。
  • 意法半导体开始量产先进硅光技术平台,满足人工智能基础设施的云光互联需求
    服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(纽约证券交易所代码:STM) 宣布,其先进的PIC100硅光技术平台现已进入大规模量产阶段,帮助超大规模云服务商实现数据中心和人工智能集群的光纤互连。随着人工智能运算量激增,PIC100的800G和1.6T收发器让数据中心互联实现更高的带宽、更低的延迟和更好的能效。 意法半导体质量、制造和技术部总裁Fabio Gualandris表示:“继
    意法半导体开始量产先进硅光技术平台,满足人工智能基础设施的云光互联需求
  • 国内封装关键技术TSV和混合键合产业进展
    本文探讨了TSV(硅通孔)与混合键合(Hybrid Bonding)在3D异构集成中的作用及其在国内封装产业的应用现状。TSV技术由长电科技、通富微电、华天科技等企业掌握,已实现量产应用。混合键合技术由长江存储、物元半导体等企业推动,其中长江存储的Xtacking架构在全球存储领域率先应用混合键合技术。国内多家设备制造商也在混合键合设备领域取得突破,促进了国产替代进程。总体来看,中国在TSV和混合键合技术上已具备国际竞争力,有望在未来AI算力爆发中占据核心战略位置。
    国内封装关键技术TSV和混合键合产业进展
  • TSV填孔方式:Bottom-up与Conformal
    本文介绍了晶圆镍铁合金电镀液及其应用,重点阐述了TSV电镀填充方式的两种主要方法:Bottom-Up Filling 和 Conformal Filling 的区别与特点。Bottom-Up Filling 自下而上填充,适用于高密度、高性能3D集成;Conformal Filling 均匀包覆填充,适用于中低深宽比通孔或MEMS器件。两者对比表现在沉积方向、填充形态、导电性能等方面。此外,还提到了一个半导体制造与先进封装技术社区的信息。
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    2025/11/12
    TSV
  • 世界芯片产业地图——珠海
    2024年成为珠海集成电路产业发展的关键转折点。产业规模实现跃升,全年主营收入达194.95亿元,同比增长22.46%,工业增加值累计同比增长148%(12月数据),创历史新高。技术创新取得重大突破——龙图光罩90nm掩模版产品实现量产,65nm产品进入送样验证;珠海天成先进半导体12英寸晶圆级TSV立体集成生产线投产,填补珠海先进封测空白。政策支持力度加大,2024年8月珠海发布新一轮集成电路产
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    2025/10/13
    世界芯片产业地图——珠海
  • 一文了解硅转接板(TSV)制备工艺全流程
    前面几篇文章介绍了TSV中硅转接板的作用,这一篇将介绍硅转接板的制备工艺:根据TSV打孔工艺在整个工艺流程中时序的不同,TSV有源芯片制备分为先通孔、中通孔、后通孔和键合后通孔等几种方式(分别以制备晶体管、制备互连线和晶圆键合工艺为节点)。
    6444
    2025/08/12
    TSV
    一文了解硅转接板(TSV)制备工艺全流程
  • 火爆的TSV和TGV玻璃基板到底是什么,与先进封装又是什么关系?一文理解到位
    玻璃基板是核心材料用玻璃制成的芯片基板。芯片基板是芯片裸片所在的介质,是芯片封装最后一步的步骤,其中 玻璃基板是下一代基板。
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  • 为什么TSV电镀填孔那么难?
    学员问:为什么都说TSV填孔工艺难?难在哪里?TSV电镀填孔基本情况?
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  • DRAM技术简单科普
    以下是关于 DRAM(Dynamic Random Access Memory)技术原理的详细解析,涵盖生产制造、Rank 与 Bank 内部结构、ODT 作用及读写方式和LPDRAM、DDR产品迭代。
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    2025/04/15
    DRAM技术简单科普
  • 曦智科技全球首发新一代光电混合计算卡
    曦智科技正式发布全新光电混合计算卡“曦智天枢”。曦智科技创始人兼首席执行官沈亦晨博士在发布现场表示:“曦智天枢首次实现了光电混合计算在复杂商业化模型中的应用,是曦智科技光电混合算力技术在产品化和商业化进程中的重要突破。我们坚信,光电混合将会为人工智能、大语言模型、智能制造等领域带来算力革新。” 天枢是一款深度融合光芯片与电芯片各自优势特点,并采用了3D先进封装技术的可编程光电混合计算卡。该产品在光
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  • 先进封装技术之争 | 巨头手握TSV利刃垄断HBM市场,中国何时分一杯羹?
    “TSV是能实现芯片内部上下互联的技术,可以使多个芯片实现垂直且最短互联”,AI算力带动TSV由2.5D向3D深入推进,HBM异军突起,前道大厂凭借积淀的制造优势继续垄断并瓜分全部的市场份额,在新应用催化下,也为后端封测厂和TSV设备公司带来了市场机会。
    先进封装技术之争 | 巨头手握TSV利刃垄断HBM市场,中国何时分一杯羹?
  • 先进封装核心技术之一:TSV
    在先进封技术中,TSV(Through-Silicon Via,硅通孔)是一种关键的垂直互连技术,它通过在芯片内部打通的通道实现了电气信号的垂直传输。TSV可以显著提高芯片之间的数据传输效率,减少信号延迟,降低功耗,并提升封装的集成密度。以下是对TSV技术的详细解释。
    先进封装核心技术之一:TSV
  • 一文读懂先进封装的四大要素?TSV、Bump、RDL、wafer
    先进封装的四大要素——TSV(硅通孔)、Bump(凸点)、RDL(重布线层)、Wafer(晶圆)——在现代半导体封装中扮演了核心角色。它们在封装工艺中各自承担的功能,从不同维度推动了芯片小型化、集成度和性能的提升。
    一文读懂先进封装的四大要素?TSV、Bump、RDL、wafer
  • TGV与TSV各用在哪些芯片的先进封装中?
    学员问:TGV和TSV有哪些差异?在什么情况下更适合用TGV,什么情况下更适合用TSV?
  • TSV工艺流程介绍
    学员问:用于2.5D与3D封装的TSV工艺流程是什么?有哪些需要注意的问题?上图是TSV工艺的一般流程。TSV,全名Through-Silicon Via,又叫硅通孔工艺。
  • 为什么TSV工艺要整面电镀而不用干膜盖住只镀孔?
    知识星球里的学员问:TSV镀铜工艺中,为什么不用干膜直接阻挡不需要镀铜的地方,只把孔露出来?如果只镀孔,不久不用考虑后面除去面铜的步骤了。
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    2024/04/17
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    为什么TSV工艺要整面电镀而不用干膜盖住只镀孔?
  • TSV简史
    在2000年的第一个月,Santa Clara University的Sergey Savastiou教授在Solid State Technology期刊上发表了一篇名叫《Moore’s Law – the Z dimension》的文章。这篇文章最后一章的标题是Through-Silicon Vias。
  • 先进封装的“四要素”
    说起传统封装,大家都会想到日月光ASE,安靠Amkor,长电JCET,华天HT,通富微电TF等这些封装大厂OSAT;说起先进封装,当今业界风头最盛的却是台积电TSMC,英特尔Intel,三星SAMSUNG等这些顶尖的半导体晶圆厂IC Foundry,这是为何呢?如果你认为这些半导体晶圆大佬们似乎显得有些"不务正业"?那你就大错特错了!

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