2.5亿！新增1个GaN项目

1月30日，国内有1个氮化镓射频项目公布新进展，投资金额达2.5亿元。

苏州能讯：新增GaN射频项目

1月30日，昆山高新技术产业开发区管理委员会公示受理环境影响报告书（表），其中涉及一个氮化镓项目——苏州能讯高能半导体有限公司5G基站氮化镓射频多芯片模组生产线技术改造项目。

据了解，该项目总投资2.5亿元，建设单位为苏州能讯高能半导体有限公司，建设地点在昆山市高新区晨丰路18号10号房，施工工期2个月。项目建成后，预计年生产氮化镓射频多芯片模组500万只。

苏州能讯成立于2011年，是国内领先的射频氮化镓制造服务商。目前，苏州能讯已建有先进的氮化镓芯片生产线，拥有各类专业工艺设备600余台（套）、超3000平方米的洁净车间及8000平方米的研发中心，自主开发了氮化镓材料生长、芯片设计、晶圆工艺、封装测试、可靠性与应用电路技术。

2024年以来还有5起GaN项目公布动态

今年1月，国内还有5起GaN项目同时迎来新动态：

● 芯睿半导体氮化镓晶圆厂项目

1月4日，该项目签约落地福州新区，由福建芯睿半导体有限公司建设。目前该项目还未披露更多信息，“行家说三代半”将持续跟进该项目进展，敬请关注。

● 福州半导体氮化镓外延片项目

1月4日，该项目签约落地福州新区，由福州镓谷半导体有限公司建设，主营第三代半导体的研发与生产，预计投入10亿元，用地86亩，达产后年产能24万片，产值数十亿元，上市市值可达数百亿元。

● 国微纳总部项目

1月4日，该项目签约落地苏州高新区，由苏州国微纳半导体设备有限公司建设，总投资近7亿元，旨在打造第三代半导体氮化镓及碳化硅外延设备总部基地。

● 远创达GaN射频项目

1月9日，苏州远创达科技有限公司对外公示了《年产GaN及LDMOS射频高功率半导体封装器件100万颗项目》的环保验收情况。该项目总投资3500万元，建设于苏州工业园区，项目建成后，将年产100万颗GaN及LDMOS射频高功率半导体封装器件。

● 江南大学获批GaN重点项目

1月，江苏省2023年度项目立项名单公示，其中江南大学“氮化镓微波毫米波无线能量转换芯片关键技术研发”项目获得立项，项目总预算2500万元，省财经费支持1000万元。