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5月23日，台积电晶圆18B厂资深厂长黄远国在2024技术论坛上表示，由于3纳米的产能扩充仍无法满足市场需求，台积电计划今年在全球范围内建设7座工厂。
据悉，台积电3纳米先进制程于2023年开始量产，其良率和同时期的N4制程一样，且现阶段产能也继续扩产中，但这依然无法满足客户需求。
市场需求强劲 台积电7座工厂在路上
黄远国表示，因应高效能运算（HPC）及智能手机强劲需求，台积电今年持续积极扩产，将兴建7座工厂，预计今年3纳米制程产能较2023年相比将增加3倍。
作为全球最大的晶圆代工厂商，台积电似乎从不吝啬在建厂扩厂方面的投资。2017年-2019年，其建厂频率为每年2座。而近年来，台积电持续进行全球布局，建厂动作也愈发频繁，2020年-2023年，台积电建厂数量分别为6座、7座、3座、4座。
而据黄远国介绍，台积电计划在今年兴建7座工厂，包括5座晶圆厂及2座先进封装厂。
晶圆厂方面，位于中国台湾新竹（Fab20）和高雄(Fab22）的2座2纳米工厂将在明年陆续量产；美国亚利桑那州预计兴建3座工厂，第1座工厂预计明年量产、第2座2028年量产、而第三座晶圆厂也已在规划中，计划使用2纳米或更先进的工艺生产芯片，预计2028年开始生产；另外，台积电还在日本熊本建设两座晶圆厂，其中一厂将在今年年底量产，二厂预计2027年量产。
至于两座先进封装厂，则分别位于中国台湾的台中（AP5）和嘉义（AP7），前者预计明年提供CoWoS封装，后者则在2026年量产CoWoS及SoIC。
值得一提的是，除台积电外，目前，包括力积电、英特尔、三星、联电、格芯、瑞萨电子、Rapidus、东芝等在内的国际大厂亦各自宣布了投资扩产计划。而近日，联电位于新加坡的扩产建设以及东芝位于日本石川县的功率半导体厂建设也迎来了新的进展。
新加坡扩建计划刷新进度，联电12英寸厂首批几台设备到厂
5月21日，晶圆代工大厂联电宣布，新加坡Fab 12i举行第三期扩建新厂上机典礼，首批机台设备到厂。
联电在新加坡投入12英寸晶圆厂的运营已超过20年。2022年2月，联电宣布将在新加坡Fab12i厂区扩建一座新先进晶圆厂的计划。新厂第一期月产能规划30,000片晶圆。
联电当时指出，新加坡Fab12i P3将是新加坡最先进半导体晶圆代工厂之一，总投资金额为50亿美元，提供22/28nm制程。根据最初规划，该厂预计2024年底开始量产。不过，联电最新预计，该厂配合客户订单调整，量产时间将延后半年至2026年初。
据联电此前介绍，其新厂所扩增的产能已签订了长期的供货合约，以确保2024年后对客户产能的供应。
瞄准功率半导体 东芝12英寸晶圆厂竣工
5月23日，东芝电子元件及存储装置株式会社发布公告称，其新的300mm晶圆功率半导体制造工厂竣工。
该工厂建设的完成是东芝多年投资计划第一阶段的一个重要里程碑。目前东芝将进行设备安装，争取在2024财年下半年开始量产。一旦一期工程全面投产，东芝功率半导体（主要是MOSFET和IGBT）的产能将是2021财年制定投资计划时的2.5倍。
东芝表示，人工智能（AI）的使用将提高产品质量和生产效率。预计将从日本经济产业省获得一笔资金，用于补贴其对部分生产设备的投资。
2022年初，东芝宣布将在日本石川县的主要分立器件生产基地（加贺东芝电子公司）打造一座新的12英寸晶圆制造设施，以扩大功率半导体产能，总投资1000亿日元，预计2025年3月投产。
东芝称，该12英寸晶圆厂（100%使用再生能源）建造将分两个阶段进行，以便根据市场趋势优化投资步伐，第一阶段生产计划将于2024会计年度内启动。一旦第一阶段产能满载，旗下功率半导体产能将达到2021年度的2.5倍。
当前，消费电子市场逐渐回温，加上5G、物联网和车用电子等发展迅速，尤其是在AI人工智能浪潮趋势下，市场需求同步扩大，引发了半导体领域新一波的投资热潮。据全球半导体观察不完全统计，仅中国大陆而言，目前建成运营的晶圆厂便超40座，而未来还将新增逾30座。
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