芯耀
1667
随着全球人工智能（AI）与高性能计算（HPC）需求的爆发式增长，高带宽内存HBM已成为支撑下一代算力基础设施的关键技术。HBM通过3D封装堆叠多层DRAM，并利用硅通孔（TSV）实现高速互联，对芯片制造与封装设备提出了更高要求。在此背景下，全球半导体设备大厂正积极布局，其中韩美半导体、中微公司、盛美上海近期动作频频，显示出在HBM及先进封装领域的强劲发力。
01、韩美半导体组建HBM4设备研发团队
近期，韩美半导体（Hanmi Semiconductor）正式对外宣布，公司已成立专门团队，全力投入HBM4相关设备的研发。
其于5月14日宣布推出专为HBM4生产设计的“TC Bonder 4”。该公司董事长郭东信指出，随着HBM4标准高度的放宽，新款TC Bonder 4凭借其显著提升的生产效率和精度，将支持全球客户在今年下半年量产HBM4。HBM4作为第六代高带宽内存，相较于HBM3E速度提升60%且功耗降低30%，并支持多达16层堆叠和2048个TSV接口，极大地提升了数据传输能力。
公开资料显示，韩美半导体，这家成立于1980年的韩国知名半导体设备制造商，长期以来专注于半导体后道工艺（封装）设备的研发与生产。其核心产品涵盖了热压键合（TC Bonder）、晶圆级封装设备、引线键合机等，尤其在先进封装领域，韩美半导体以其在垂直堆叠和精密连接方面的技术实力而闻名，已成为全球重要的供应商之一，服务于各大存储器厂商和晶圆代工厂。
02、中微公司全面布局HBM及先进封装
6月9日，中微公司在投资者互动平台上披露，已在高带宽内存HBM及先进封装领域进行了全面布局。
中微公司董秘表示，公司在先进封装，特别是HBM工艺相关的制程设备方面，产品线已涵盖了刻蚀、CVD（化学气相沉积）、PVD（物理气相沉积）以及晶圆量测检测设备。值得关注的是，中微公司已正式发布了其CCP刻蚀系统以及核心的TSV（硅通孔）深硅通孔设备。这意味着中微正积极推动其产品在高性能AI芯片封装等新兴应用场景中的应用和落地。
面对投资者关于是否专门研发HBM相关设备的疑问，中微公司强调其在先进封装领域的设备覆盖广泛，能够满足HBM制程所需的核心设备类型。尤其在TSV深孔蚀刻技术上，中微通过自主研发实现了技术突破，已具备支撑量产需求的能力，有望在HBM产业链中发挥关键作用。
03、盛美上海44.82亿元定增审核通过
6月6日，盛美上海披露其不超过人民币44.82亿元的定向增发（定增）申请已获得上海证券交易所的审核通过。
根据盛美上海此前披露的定增预案，本次募集资金净额将主要投向三大核心项目：研发和工艺测试平台建设项目（拟投入约9.22亿元）、高端半导体设备迭代研发项目（拟投入约22.55亿元），以及补充流动资金（拟使用约13.04亿元）。
此次盛美上海定增指向高端半导体设备的研发投入与技术升级，这与当前半导体产业技术迭代加速、国产替代进程提速的大背景高度契合。虽然定增预案未具体指明资金投向HBM领域，但盛美上海在湿法清洗和电镀设备等先进工艺环节的深厚积累，使其在HBM等先进封装技术的特定制程中具备优势，并且该公司近期披露多个新技术均指向与HBM和先进封装技术紧密相关的湿法清洗技术和电镀铜（ECP）技术。
在HBM的多层DRAM堆叠中，关键的硅通孔（TSV）技术涉及到深孔蚀刻后的高深宽比孔洞清洗，以去除残余物和颗粒，确保后续填充的可靠性。同时，TSV的填充以及用于互联的微凸点（Micro-bump）和重布线层（RDL）的形成，均高度依赖于精密、均匀的电镀技术。
盛美上海作为全球领先的湿法清洗设备供应商，其独有的兆声波清洗技术和多功能集成平台，能够高效清除晶圆表面的微小颗粒和化学残留，确保超净表面，这对于HBM堆叠的良率至关重要。公司正持续迭代其Ultra C系列清洗设备，例如，针对3D结构和先进节点关键清洗的优化，以及其Ultra C v系列单片垂直清洗设备，旨在满足HBM等先进封装对极高洁净度和良率的需求。
此外，盛美上海的电镀铜（ECP）技术在填充高深宽比的TSV以及制作先进封装中的RDL和微凸点方面具有显著优势，该公司正不断推出更先进的电镀设备，例如其Ultra ECP GIII平台，便是为高性能计算（HPC）和先进封装应用而设计，提供对更精细间距微凸点和TSV的卓越填充能力，这正是HBM技术发展所亟需的关键能力。
