引领下一代效率碳化硅（SiC）MOSFET技术的进步

07/23 16:17 作者：Diotec德欧泰克半导体

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德欧泰克推出了其最新的碳化硅（SiC）MOSFET产品——DIF120SIC022-AQ，采用TO-247-4L封装，具有令人印象深刻的22mΩ导通电阻（RDS(on)）。

该产品第四引脚——所谓的开尔文源极（Kelvin-Source）——显著降低了开关损耗，并提升了系统效率，使其成为以下应用的理想选择：

- 光伏系统

- 工业机械

- 汽车应用

- 电源转换系统

传统的硅基MOSFET在高功率、快速开关环境中效率并不理想。而碳化硅MOSFET是终极解决方案，具有以下优势：

- 提升开关速度

- 更低的自毁风险

- 降低开关损耗，实现紧凑且可靠的设计

通过集成碳化硅MOSFET，工程师可以推动创新，将不可能变为现实。准备好革新您的电源应用了吗？立即了解我们的碳化硅技术！

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德欧泰克半导体（上海）有限公司建于2005年，我们提供芯片、包装以及引线结构等客制化产品的解决方案。专业技术，不断创新与优质服务是我们取得成功的重要基础。

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引领下一代效率 碳化硅（SiC）MOSFET技术的进步