芯耀
63
一项分析表明，三星电子和SK海力士等存储半导体公司正专注于高附加值高带宽内存（HBM）的研发，这可能导致汽车DRAM短缺。
特斯拉和Rivian等电动汽车制造商使用的DRAM比传统汽车更多，存储半导体短缺可能会显著增加汽车制造成本。
1月26日，巴克莱银行的一份报告称，“汽车DRAM价格的涨幅已远超此前预测的2026年至2027年间100%的涨幅。”
该报告还预测，在DRAM价格每年上涨500%的极端情况下，高端电动汽车的DRAM成本可能每辆车上涨高达1000美元（约合144万韩元）。
巴克莱银行随后估计，特斯拉Model 3和Model Y等车型的物料清单（BOM）成本可能会上涨1%。
巴克莱银行评估认为，“特斯拉和Rivian面临的风险最大。”
包括汽车用通用DRAM在内的存储半导体价格近期飙升。
这是因为包括三星电子在内的全球主要存储半导体公司正将重心放在数据中心对HBM的需求上，从而减少了用于利润较低的通用DRAM的生产线投入。
三星电子、SK海力士和美光占据了全球88%的汽车DRAM供应量。然而，汽车DRAM在其总销售额中所占比例不到5%。
一些分析师认为，特斯拉和Rivian等公司受DRAM短缺的影响比其他汽车制造商更大。
特别是特斯拉，由于其集中式计算架构和高级驾驶辅助系统（ADAS），其DRAM用量高于其他公司。
标普研究公司指出：“在全球汽车制造商中，特斯拉的单车DRAM价值最高。”
芯片说——知识星球欢迎您
阅读全文
