芯耀
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哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司（简称科友半导体）近日宣布，在12英寸碳化硅晶片加工领域实现导电型与半绝缘型双突破。公司已打通从晶体生长到晶片加工的大尺寸全链条工艺，为后续规模化生产提供技术基础。该突破针对大尺寸晶片硬度高、脆性大、加工难度大的特点，通过多项优化实现。
加工工艺创新包括四方面：设备兼容性优化，实现同等主机中心距下从8英寸到12英寸的“零改装”升级，降低产线改造成本；采用拓扑优化技术设计大直径薄壁游星轮结构，平衡高强度与轻量化，提升传输稳定性；非标准渐开线齿形改进，减少啮合冲击，适应低速高扭矩场景；引入数字孪生仿真，对加工过程进行虚拟验证，缩短研发周期并减少试错。
加工指标方面，12英寸碳化硅晶片总厚度偏差（TTV）≤1.0μm、局部平坦度（LTV）≤0.5μm、表面粗糙度（Ra）≤0.2nm。这些参数满足高端功率器件和射频器件对衬底质量的要求。公司强调坚持装备自研与工艺自主的发展路径。
科友半导体成立于2018年5月，位于哈尔滨新区，是一家国家级高新技术企业。业务覆盖半导体装备研制、长晶工艺、衬底加工等领域，已授权专利90余项。公司在哈尔滨新区建设产学研一体化聚集区，实现碳化硅材料从原材料提纯、装备制造、晶体生长、衬底加工到外延晶圆的全产业链闭合。
近期进展包括：2025年9月，依托自主12英寸碳化硅长晶炉及热场技术，成功制备12英寸碳化硅晶锭；10月中旬，实现12英寸半绝缘碳化硅单晶制备，完成导电型与半绝缘型“双覆盖”。这些成果标志着公司在12英寸碳化硅装备与材料技术上的积累。公司还参与行业展会，如2025年11月亮相世界集成电路协会“2025全球半导体市场峰会”和第二十七届中国国际高新技术成果交易会，展示相关技术。
2023年，8英寸SiC中试线贯通，平均长晶良率超50%，晶体厚度达15mm以上。公司与俄罗斯相关机构合作，开展“完美八英寸碳化硅籽晶”项目，旨在降低缺陷密度。
技术重点在于自主创新与成本控制。公司突破原料提纯、碳化钽蒸镀、籽晶镀膜和压接晶体生长等工艺，实现6英寸晶体厚度超80mm（2024年数据），8英寸衬底实现小批量生产及供货。8英寸碳化硅材料装备及工艺获评为国内领先、国际先进水平。公司还参与国家标准起草，如GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》。
此外，公司扩展至氮化铝材料，2-4英寸氮化铝晶体生长技术已成熟。2023年实现合同额约6.7亿元、销售额1亿元，其中部分出口欧洲。公司通过IATF16949认证，支持新能源汽车芯片衬底市场。
2025年10月，公司完成B+轮融资，投资方包括熙诚金睿与富阳科晟，资金用于推进装备研发、衬底材料产业化及产能扩张。公司计划进一步优化12英寸工艺，推动碳化硅在新能源汽车、5G通信、光伏等领域的应用。尽管行业面临工程师短缺等挑战，但通过产学研合作与技术迭代，公司持续推进大尺寸碳化硅材料发展。
