SK海力士Q1利润将超1800亿！

随着三星电子公布创纪录的盈利报告，市场焦点转向了SK海力士的业绩报告。

业内人士预计，受DRAM和NAND闪存价格飙升的推动，该公司今年第一季度的营业利润将达到40万亿韩元（1848亿元人民币），超过去年第四季度创下的“季度纪录”。

据Kiwoom证券4月9日发布的报告显示，SK海力士今年第一季度的营业利润预计约为40万亿韩元。

这一数字远超市场普遍预期（约35万亿韩元），营收预计也将达到53万亿韩元，超出预期。

证券行业分析认为，存储器价格的飙升是推动业绩增长的主要因素，并且整个行业正以超出预期的速度进入峰值阶段，并将此次“盈利惊喜”归因于存储器价格的快速上涨。具体而言，盈利增长主要得益于DRAM和NAND闪存价格涨幅超出预期。DRAM平均售价（ASP）较上一季度上涨55%，而通用DRAM价格预计飙升超过90%。盈利能力显著提升，高带宽内存（HBM）占比增加进一步推动了这一增长。

NAND闪存也成功反弹，受eSSD需求增长的推动，其平均售价上涨超过80%。因此，NAND业务部门的营业利润预计较上一季度增长三倍以上。

盈利能力也处于极佳水平。预计第一季度营业利润率将达到约76%，其中DRAM接近80%，NAND接近60%以上。这被解读为人工智能服务器投资增加直接推高了价格，从而带动了需求激增。

市场情绪也在发生转变。随着盈利持续超出预期，投资者的关注点似乎正从“未来上涨潜力”转向“进入下行周期”。业内分析指出，鉴于目前的盈利能力已接近历史高位，未来市场放缓时，盈利波动性可能会加剧，因此应引起重视。

SK 海力士也在加速提升其在下一代 HBM 领域的竞争力。该公司计划通过提前采用“混合键合”技术，于 2029 年前推出第八代产品 HBM5。

混合键合是一种先进的封装技术，它无需现有凸点结构即可将铜直接键合在一起，被认为是能够同时提升性能和能效的下一代工艺。

为此，SK海力士正与应用材料（AMAT）和北电半导体（BESI）等全球半导体设备公司合作，积极推进相关解决方案的引入。

此外，该公司正致力于拓展业务组合，进军高带宽闪存（HBF）的研发领域，这是一种用于人工智能服务器的存储设备。目前，该公司正与闪迪（SanDisk）进行标准化合作，计划在今年完成研发后，于2028年实现商业化。

业内专家认为，半导体行业近期的强劲表现不仅体现了其强劲的业绩，更标志着“人工智能内存超级周期”的顶峰。

一位业内人士表示：“当前内存价格的上涨并非仅仅是市场环境的复苏，而是人工智能服务器需求结构性变化的结果。”他补充道：“特别是以HBM为核心的高附加值产品占比的提升，正在推动利润增长。”

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