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8月26日～28日，罗姆半导体携其功率半导体领域最新技术和系统级解决方案亮相PCIM Asia 2026展会，并同步召开媒体交流会，深度分享企业经营战略、市场布局规划以及SiC领域的技术迭代成果。
行家说三代半”现场观察发现，罗姆在SiC赛道上，不止于业绩数据的强劲攀升，更以扎实的技术矩阵构筑增长动能。
业绩层面，SiC营收同比增长53%，并成功兑现中期经营规划；
技术层面，围绕“芯片→器件→模块”布局，推出六大SiC创新技术。
罗姆SiC业绩持续增长车载与AIDC需求井喷
去年11月，罗姆发布2026-2028财年第二期中期经营计划“MOVING FORWARD to 2028”，对企业愿景和战略进行了深度调整。
规划提出，2025财年罗姆将重点提升整体盈利能力、扩大经营规模，并推动碳化硅业务实现盈利（扭亏为盈）。从近期的经营数据来看，罗姆已顺利完成阶段性战略目标，兑现前期发展规划，SiC业务亦迈入增长阶段。
据罗姆半导体（上海）有限公司市场宣传课高级经理张嘉煜介绍，2025财年（2025年4月至2026年3月），罗姆半导体整体销售额达4811亿日元，同比增长7.3%，营业利润较上一财年成功扭亏为盈。其中碳化硅业务增长态势明显，整体SiC业务同比增长14%，SiC器件/模块业务更是增长41%。
步入2026财年，罗姆延续增长势头，业绩进一步提速。2026财年一季度（截至2026年6月30日），罗姆销售额达1357.39亿日元（约合人民币58.23亿元），同比增长16.8%；归属于母公司所有者的净利润同比上升203.6%。
细分业务来看，分立半导体器件版块表现突出，一季度营收同比增长25.28%，主要来自SiC功率器件、Si功率器件等业务的增长，其中碳化硅业务营收同比增长53%。
SiC业务乃至整体业务的增长，并非短期市场红利所致，而是罗姆长期布局、技术深耕与赛道聚焦的结果。
据罗姆半导体（上海）有限公司、深圳分公司技术中心高级经理苏勇锦解读，罗姆已将车载、消费电子、通信（AI服务器、数据中心）、工业设备等成长型市场作为重点发力市场，以此构建多元化增长路径。
罗姆聚焦功率器件与模拟器件两大核心技术领域，可匹配各下游市场的差异化需求。在功率电子领域，其打造EcoSiC™、EcoGaN™、EcoMOS™三大核心品牌，推出一系列低损耗、高可靠性功率器件。尤其在SiC产品端，罗姆可提供裸芯片、分立器件、模块等产品出货，助力大功率应用的小型化和效率提升。
依托不断完善的技术储备与产品布局，罗姆SiC业务在车载、AIDC等核心赛道的市场份额逐渐增加，并持续挖掘新的增长空间：
车载领域依旧是罗姆SiC业务核心市场：目前车载业务贡献了罗姆将近一半的整体销售额，2026财年一季度销售额同比增长20.2%，罗姆在财报中明确提及“SiC业务在汽车市场表现依旧强劲”——这得益于欧洲与日本汽车市场需求的增长，从而贡献稳定增量。
AI服务器领域成为罗姆SiC业务的新增长极：受益于AIDC需求增长，罗姆2026财年一季度AI服务器业务营收同比大幅增长67%，同期罗姆SiC器件在AI服务器中的采用率不断上升，成为业务增长的重要支撑。罗姆财报显示，由于AI服务器订单需求超出预期，订单已超过当前产能，将通过优化生产线、集中资源以及投资扩产来应对加速增长的需求。
光储充领域将为罗姆SiC业务打开成长空间：罗姆现已布局更高耐压SiC器件，可助力降低功率转换损耗，并实现系统的小型化，适用于在兆瓦级光伏逆变器和固态变压器等领域，将释放增长潜力。
展望2026财年，罗姆半导体业绩增长目标明确，预计全年销售额可达 5110 亿日元，营业利润与纯利润均将实现同比增长，而SiC业务将增长超过30%，SiC器件/模块业务将增长超过55%，持续担当整体业绩的增长支柱。
六大SiC创新技术加持夯实罗姆长期增长动能
在本次PCIM Asia 2026展会现场，“行家说三代半”还观察到，罗姆持续深耕碳化硅产业布局，围绕下游车载、AIDC、光储、工业等多元应用需求，重点推出六大SiC创新技术与产品，覆盖芯片、分立器件、模块全链条。
通过持续迭代技术、优化产品性能与成本优势，罗姆进一步巩固了自身竞争壁垒，不仅支撑了当下的业务增长，更凭借新的技术突破打开SiC产业化应用新空间，为其中长期业绩规划提供核心增长动能。
SiC 芯片：第5代SiC MOSFET完成开发
本次展会罗姆重点展示了碳化硅最新技术，实现了尺寸升级、性能优化与成本可控的多重突破。
此前，罗姆已在Apollo筑后工厂及宫崎第二工厂投建8英寸SiC产线，并已顺利投产。
如今，罗姆第5代SiC MOSFET已完成开发。与第4代产品相比，其通过改进器件结构并优化制造工艺，成功地将高温导通电阻（Tj=175℃）降低约30%，在xEV用牵引逆变器等高温环境应用中，有助于缩小单元体积，提高输出功率。另外，由于额定VGS增加，可提高栅极驱动器设计时的灵活性，最大程度利用高速开关特性。
SiC分立器件：推出创新封装方案，以行业协同打破应用壁垒
针对SiC MOSFET分立器件封装应用，罗姆重点展示了DOT-247封装方案以及顶部散热型封装（TSC3PAK）方案。
据罗姆介绍，DOT-247适用于车载充电器、光伏逆变器、UPS等应用场景，其采用将两个TO-247封装相连的造型，通过配备在TO-247结构上难以容纳的大型芯片，并采用罗姆自有的内部结构，实现了更低导通电阻。另外，通过优化封装结构，其热阻比TO-247降低了约15%，电感降低了约50%。由此，DOT-247在半桥结构中可实现比TO-247更高的功率密度，并能以约一半的体积实现等效的功率转换电路，更加适配对体积及效率具备高要求的应用场景。
值得关注的是，去年9月，罗姆与英飞凌就建立SiC功率器件封装合作机制签署了备忘录，推动彼此成为SiC功率器件特定封装的第二供应商。根据协议，英飞凌将采用罗姆的半桥结构SiC模块“DOT-247”，并开发兼容封装；罗姆也将采用英飞凌创新的SiC顶部散热平台（包括TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK Dual和H-DPAK封装）。
此次，罗姆亦推出了针对SiC MOSFET的顶面散热新封装——TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）。据介绍，该封装通过采用罗姆自有的沟槽设计，具备6.66mm的爬电距离，在同等的650V器件尺寸中可实现1200V电压耐受能力，因此在高耐压应用中可实现安全的绝缘设计，有助于降低安装成本并提高可靠性。
SiC 模块：推动低损耗、高密度模块产品落地
针对SiC模块应用，罗姆还展示了二合一 SiC封装模块“TRCDRIVE pack™”以及嵌入式SiC模块两大创新产品。
据了解，“TRCDRIVE pack™”模块主要面向300kW以下的xEV（电动汽车）用牵引逆变器，电压等级为750V、1200V，利用罗姆自有结构，更大程度地扩大了散热面积，从而实现了紧凑型封装。另外，该产品还搭载了第4代SiC MOSFET，通过低导通电阻等特性，实现了比普通SiC封装模块高出1.5倍的高功率密度，进一步助力xEV逆变器的小型化。
此外，该模块在模块顶部配备了“Press fit pin”方式的控制用信号引脚，因此只需从顶部按压栅极驱动器电路板即可完成连接，有助于减少安装工时。该模块还通过扩大主电流布线中的电流路径和采用双层布线结构，将杂散电感降至5.7nH，有助于降低开关时的损耗。
另一方面，罗姆半导体与eMoveUs 和 Schweizer Electronic AG合作，共同展示了采用p²Pack嵌入式技术的SiC逆变器样机。
不难发现，通过持续迭代核心技术、优化产品性能、深化行业生态合作，罗姆正精准匹配车载应用、AI算力、光伏储能等赛道的高效节能需求。未来，依托不断完善的技术矩阵与产业化能力，罗姆SiC业务的市场竞争力将持续攀升，成为其业绩增长的核心驱动力，也将为下游新能源产业升级提供坚实支撑。
