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安森美(onsemi)将收购GT Advanced Technologies

2021/08/26
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加强安森美对颠覆性、高增长技术进行重大投资的承诺

领先的智能电源和感知技术供应商安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON)和碳化硅 (SiC) 生产商GT Advanced Technologies ("GTAT") 于美国时间8月25日宣布已达成最终协议。根据该协议,安森美将以4.15亿美元现金收购GTAT。

GTAT 成立于 1994 年,在包括 SiC 在内的晶体生长方面拥有丰富的经验。SiC 是下一代半导体的关键材料,可为 SiC 功率开关器件提供技术优势,显著提高电动车 (EV)、EV充电和能源基础设施的系统能效。

该交易将使安森美更好地确保和增加SiC的供应,满足客户对可持续生态系统中基于SiC的方案的快速增长需求,包括EV、EV 充电和能源基础设施。随着可持续生态系统在未来十年的快速发展,把安森美的制造能力与GTAT的技术专长相结合,将加速SiC的开发,使安森美更好地服务于客户。这增强的SiC能力将使安森美能够向客户保证关键器件的供应,进一步商用化智能电源技术。

安森美总裁兼首席执行官Hassane El-Khoury说:“该交易反映了我们对碳化硅方案进行有意义投资的信心和明确承诺,以支持创造智能电源和感知技术,帮助建立一个可持续的未来。我们专注于深化我们在颠覆性技术的领导地位和创新,支持汽车和工业领域,而GTAT带来了在开发晶圆就绪的碳化硅方面出色的技术能力和专知,我们打算加快和扩展这些技术,以更好地增强我们在高增长终端市场赋能客户之能力。我们期待着欢迎GTAT的有才干的员工加入安森美团队,共同推动创新。”

GTAT总裁兼首席执行官Greg Knight说:“今天的公告标志着GTAT开始了新的篇章,证明了我们团队的努力和实力所创造的价值。安森美的战略定位能扩大我们的能力,提供资源和平台,以充分发挥我们尖端生产技术的潜力,确保我们持续处在先进晶体生长领域的前沿。”

此次收购还加强了安森美对颠覆性、高增长技术进行重大投资的承诺,这与公司最近在其财务分析师日宣布的2025年目标财务模型相一致。正如安森美之前所说,由于公司投资以推动差异化和领先地位,包括在SiC领域的投资,预计2022年和2023年的资本支出将占收入的12%左右。预计该交易不会影响公司2025年的目标财务模型。

安森美计划投资于扩大GTAT的研发工作,以推进150毫米和200毫米SiC晶体生长技术,同时还投资于更广泛的SiC供应链,包括晶圆厂产能和封装

该交易已获安森美和GTAT董事会的一致批准,预计将在2022年上半年完成。该交易的完成取决于监管机构的批准和其他常规的成交条件。此建议交易不需要安森美股东的批准。

安森美打算用手头的现金和现有的循环信贷为这项交易提供资金。公司预计该交易将在短期内略微稀释其非 GAAP 每股收益,并在交易完成后一年内增益。

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安森美

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历史安森美半导体前身是摩托罗拉集团的半导体元件部门,于1999年独立上市,继续生产摩托罗拉的分立晶体管,标准模拟和标准逻辑等器件。并购纪录2000年四月,完成收购Cherry Semiconductor。2006年,完成收购位于美国俄勒冈州Gresham的LSI Logic设计和制造设施。2008年一月,以184M美元完成收购美国模拟器件公司的稳压及热管理(Voltage Regulation and Thermal Management)部门。2008年三月,以915M美元完成收购AMI Semiconductor。2008年十月,以115M美元完成收购Catalyst Semiconductor。2009年十一月,以17M美元完成收购PulseCore Semiconductor。2010年一月,以115M美元完成收购California Micro Devices。2010年六月,完成收购Sound Design Technologies, Ltd。2011年一月,完成收购日本三洋电机的子公司三洋半导体(SANYO Semiconductor)。2011年二月,以$31.4M美元完成收购赛普拉斯半导体(Cypress Semiconductor)的CMOS图像传感器业务部门。2014年五月,完成收购Truesense Imaging, Inc。2014年七月,安森美半导体和富士通半导体宣布战略合作(包括晶圆代工服务协议,及日本会津若松市富士通的8吋晶圆厂的10%权益。)2014年八月,以4亿美元完成收购总部位于加州的Aptina Imaging Corp。2015年七月,安森美半导体完成收购Axsem AG。2015年11月18日,以每股20美元,斥资24亿美元现金收购飞兆半导体公司。2016年八月,安森美半导体宣布已就出售点火IGBT业务给 Littelfuse 达成协议,出售其瞬态电压抑制二极管和开关型晶闸管产品线,售价共1.04亿美元现金。2016年九月,安森美半导体完成收购飞兆半导体公司。产品安森美半导体制造以下的各种产品:定制:ASIC;定制代工服务;定制ULP存储器;定制CMOS图像传感器;集成无源器件分立:双极晶体管;二极管和整流器;IGBT和FET;晶闸管;可调谐组件电源管理:AC-DC控制器和稳压器;DC-DC控制器、转换器和稳压器;热管理;驱动器;电压和电流管理逻辑:时钟产生;时钟及数据分配;存储器;微控制器;标准逻辑信号管理:放大器和比较器;模拟开关;音频/视频的ASSP;数字电位计;EMI/RFI滤波器;接口;光电、图像及触摸传感器产品部安森美半导体的各个产品部门:模拟方案部(ASG) - Bob Klosterboer(高腾博),执行副总裁兼总经理图像传感器部(ISG) – Taner Ozcelik,高级副总裁兼总经理电源方案部(PSG) – Bill Hall(贺彦彬),执行副总裁兼总经理解决方案工程中心日本:大阪; 东京中国:上海德国:慕尼黑中国台湾:台北美国:加州圣荷西; 俄勒冈州波特兰; 底特律韩国:首尔设计中心美国:亚利桑那州凤凰城(Phoenix)、亚利桑那州钱德勒(Chandler)、得州奥斯汀(Austin)、得州普莱诺(Plano)、罗德岛州东格林尼治(East Greenwich)、科罗拉多州Longmont、加州圣克拉拉(Santa Clara)、爱达荷州波卡特洛(Pocatello)、宾夕法尼亚州Lower Gwynedd、犹他州林顿(Lindon)、爱达荷州楠帕(Nampa)加拿大:伯灵顿(Burlington), 滑铁卢(Waterloo)比利时:梅赫伦(Mechelen),奥德纳尔德(Oudenaarde),菲尔福尔德(Vilvoorde)法国:图卢兹(Toulouse)德国:慕尼黑罗马尼亚:布加勒斯特(Bucharest)斯洛伐克:布拉迪斯拉发(Bratislava)爱尔兰:利默里克(Limerick)瑞士:Marin捷克:Roznov,布尔诺(Brno)韩国:首尔中国台湾:台北印度:班加罗尔(Bangalore),诺伊达(Noida)日本:岐阜市,群马菲律宾:德拉克市(Tarlac City)制造工厂美国:亚利桑那州凤凰城、亚利桑那州钱德勒、俄勒冈州Gresham、爱达荷州波卡特洛、爱达荷州楠帕、缅因州南波特兰加拿大:伯灵顿 (安大略省)比利时:奥德纳尔德捷克:Roznov中国:乐山、深圳、苏州日本:群马县、埼玉县羽生市、新潟县新潟市韩国:富川菲律宾:Carmona, Cavite、Tarlac City、宿雾市马来西亚:森美兰州芙蓉市越南:边和市、顺安市社

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