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光刻作为IC制造的关键一环常常被人重视，但是光刻胶最后都是作为牺牲层被去掉的，如何快速、干净的去除工艺后的光刻胶是一个经常被疏忽的问题，但是很重要，直接影响了产品质量。如何快速有效的去除光刻胶。
笔者最近就碰到一些去胶的问题，比如正胶和负胶去除需要的工艺有差别。去胶工艺还和光刻胶受过什么样的工艺处理有关，比如ICPRIE之后的光刻胶、还有湿法腐蚀后的光刻胶。市面上针对光刻胶去除的特殊配方的去胶液有很多种，但需要根据自身产品特性加以选择。在做砷化镓去除光阻的案例，砷化镓是一种化合物半导体材料，分子式GaAs。
立方晶系闪锌矿结构，即由As和Ga两种原子各自组成面心立方晶格套构而成的复式晶格，其晶格常数是5.6419A。室温下禁带宽度1.428eV，是直接带隙半导体，熔点1238℃，质量密度5.307g/cm3，电容率13.18。在其中掺入Ⅵ族元素Te、Se、S等或Ⅳ族元素Si，可获得N型半导体，掺入Ⅱ族元素Be、Zn等可制得P型半导体，掺入Cr或提高纯度可制成电阻率高达107～108Ω·cm的半绝缘材料。砷化镓也有容易被腐蚀的特点，比如碱性的氨水、酸性的盐酸、硫酸、硝酸等。
去胶，也成为光刻胶的剥离。即完成光刻镀膜等处理之后，需要去除光刻胶之后进行下一步。有时直接采用丙酮+异丙醇的方式就可以去除。但是对于等离子体处理过的光刻胶，一般就比较难去除干净。有的人把丙酮加热到60℃，虽然去胶效果快了一些，但是丙酮沸点是60℃，挥发的特别快，而且丙酮蒸汽也有易燃爆炸的风险，因此找一款去胶效果好的光刻胶剥离液十分有必要。
介绍常见的一款剥离液，该剥离液去胶效果好，但是对砷化镓有轻微腐蚀，不易长时间浸泡。工艺参数因产品和光刻胶的种类而不同，但基本上都要加热。
基本配方如下：
各组分讲解：
1）NMP
N-甲基吡咯烷酮，中文别名：NMP；1-甲基-2吡咯烷酮；N-甲基-2-吡咯烷酮。无色透明油状液体，微有胺的气味。挥发度低，热稳定性、化学稳定性均佳，能随水蒸气挥发。有吸湿性。对光敏感。易溶于水、乙醇、乙醚、丙酮、乙酸乙酯、氯仿和苯，能溶解大多数有机与无机化合物、极性气体、天然及合成高分子化合物。N-甲基吡咯烷酮在锂电、医药、农药、颜料、清洗剂、绝缘材料等行业中广泛应用。
化学性质：在中性溶液中比较稳定。在4%的氢氧化钠溶液中8小时后有50%~70%发生水解。在浓盐酸中逐渐发生水解，生成4-甲氨基丁酸CH3NH(CH2)3COOH。由于羰基的反应，可以生成缩酮或硫代吡咯烷酮..无色液体，有氨味，本品毒性小。能与水混溶，溶于乙醚、丙酮等大多数有机溶剂。能溶解大多数有机与无机化合物、极性气体、天然及合成高分子化合物。
2）乙醇胺
水溶液呈碱性，有极强的吸湿性，能吸收酸性气体，加热后又可将吸收的气体释放。有乳化及气泡作用。能与无机酸和有机酸生成盐类，与酸酐作用生成酯。其氨基中的氢原子可被酰卤、卤代烷等置换。可燃，遇明火、高温有燃烧的危险，蒸汽有毒。
3）二甲基亚砜
二甲基亚砜（简称DMSO）是一种含硫有机化合物，英文Dimethylsulfoxide，分子式为（CH3）2SO，常温下为无色无臭的透明液体，具有吸湿性的可燃液体，既有高极性，高沸点，非质子，水混溶的特性，毒性极低，热稳定性好，与烷烃不混合，能溶于水、乙醇、丙醇、乙醚、苯和氯仿等大多数有机物，被誉为“万能Chemicalbook溶剂”。是常用的有机溶剂中，溶解能力最强的一种。它可以溶解大部份的有机物，包括碳水化合物、聚合物、肽，以及很多的无机盐和气体。它可以溶解相等于自己50-60%重量的溶质（其他一般溶剂只可以溶解10-20%），所以它在样本管理和高速药物筛检中是很重要的。在某些条件下，当二甲基亚砜与酰氯接触时，会发生爆炸性反应。无色液体，具有吸湿性。几乎无臭，带有苦味。溶于水、乙醇、丙酮、乙醚、苯和氯仿
第二款 剥离液
2）二甘醇丁醚
朋友公司生产的光刻胶剥离液，可以与水互溶，省去了丙酮和IPA的清洗。
