ASC150N1200MT4碳化硅（SiC）MOS耐压1200V/10mΩ

08/12 10:15 作者：碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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ASC150N1200MT4碳化硅（SiC）MOS耐压1200V/10mΩ

2.08 MB

碳化硅（SiC）MOSFET:耐压1200V/10mΩ

1. 最高工作结温175℃；

2.碳化硅MOS管尤其在高压、高温和高频应用中表现突出。

3. 参数： VDS：1200V ID：150A RDS(on) ：10mΩ

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