罗姆

ROHM Co., Ltd.
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ROHM公司总部在日本京都,是著名电子元件制造商。公司1958年成立,开始制造电阻器件,公司名称源自于此。1965年进入半导体领域。罗姆ROHM主要提供MOSFET、IGBT、SiC功率器件、GaN器件、功率模块,核心产品/技术包括EcoSiC SiC MOSFET/Modules;在低空经济产业链中覆盖功率半导体。 收起 展开全部

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  • ROHM开发出支持GaN高频开关的TP-PFC控制器IC
    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布,开发出有助于实现小型高效率AC-DC电源的Totem Pole PFC*1(图腾柱PFC,以下简称“TP-PFC”)控制器IC“BM85060FV”,其特点是可在支持GaN HEMT*2高频开关的MHz频段工作。 近年来,随着AC适配器、消费电子和小型工业设备的功能日益强大,设备所需电力也不断增加,与此同时,对设备小型化和节能化的要求也越来越
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    10/29 15:32
    ROHM开发出支持GaN高频开关的TP-PFC控制器IC
  • 元器件紧缺周期下,这一类电阻的价值迎来重估!稳定供货成为新的竞争门槛
    AI与高功率电子推动电流检测电阻需求增长,新能源、工业和数据中心为主要场景。受原材料、产能及认证周期影响,部分电阻涨价且高端料号交期延长,客户更重视稳定供应与长期可靠性。ROHM推出PSR、GMR等高精度分流电阻,通过AEC-Q200,具备抗硫化、高散热等特性;经猎芯采购交期约10-15工作日,并提供技术支持与优惠。
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    10/22 17:11
    元器件紧缺周期下,这一类电阻的价值迎来重估!稳定供货成为新的竞争门槛
  • 罗姆出席英伟达在2026年OCP全球峰会的活动
    全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)宣布,罗姆应邀出席于10月12日至15日在美国圣何塞举行的“2026年OCP全球峰会(Open Compute Project,简称OCP,由Meta【原Facebook】于2011年发起的全球最大规模的硬件开源盛会)”上的英伟达“AI Factory MGX Ecosystem”活动。 随着生成式AI的普及和AI服务器性能的提升,数据中心的功耗不断增
    罗姆出席英伟达在2026年OCP全球峰会的活动
  • 罗姆SiC功率器件助力宝马新世代“Neue Klasse”电动动力总成
    全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)宣布,其功率半导体解决方案已用于全球顶级汽车制造商宝马的电动汽车平台。在宝马提出的新世代电动平台“Neue Klasse”中,罗姆的SiC功率器件将助力电动动力总成系统进一步实现更高的效率、性能与可靠性。 宝马的“Neue Klasse”中集成的罗姆SiC功率器件 助力下一代电动出行工具发展。© Copyright BMW AG 车载高性能SiC功率器
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    09/28 07:03
    罗姆SiC功率器件助力宝马新世代“Neue Klasse”电动动力总成
  • 功率半导体的下一场战争——电源架构
    摘要:随着AI数据中心走向800V直流架构、汽车SoC进入PMIC+VRM时代,以及1500V光伏储能推动2kV SiC落地,功率半导体的竞争边界正在从单颗器件扩展到整套电源系统。SiC、GaN和Si不再只是简单替代,而是在不同电压、功率和频率区间重新分工;与此同时,各大头部功率器件厂商也开始从器件供应向Power Platform延伸。下一轮竞争的核心,可能不再是谁的MOSFET参数更高,而是谁
    1.1万
    09/21 09:28
  • 罗姆:SiC业绩增长53%,六大新技术亮相
    8月26日~28日,罗姆半导体携其功率半导体领域最新技术和系统级解决方案亮相PCIM Asia 2026展会,并同步召开媒体交流会,深度分享企业经营战略、市场布局规划以及SiC领域的技术迭代成果。
  • 在最“卷”的功率半导体市场,罗姆的“中国式打法”
    在功率半导体行业,罗姆半导体素有“半导体小超市”之称。从分立电阻,到碳化硅、氮化镓,再到MCU、PMIC及完整电源方案,这家日系厂商的产品线几乎覆盖全线——小信号晶体管全球销售额位列第三,电阻第四,二极管第五。而这家“小超市”刚刚交出一份耐人寻味的季报:2026财年第一季度,车载市场营收同比增长约20%,AI服务器相关业务更是暴涨67%。
    在最“卷”的功率半导体市场,罗姆的“中国式打法”
  • 以1005尺寸实现0.33W!ROHM开发出高抗浪涌贴片电阻器
    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布,面向车载设备、工业设备、消费电子设备以及安装密度日益提高的AI服务器等电子设备,开发出“SDR01系列”产品,在1005公制尺寸的抗浪涌贴片电阻器中实现了0.33W业界超高额定功率。 近年来,随着电子设备的功能增加、性能提升及功率增大,无论是车载设备、工业设备还是消费电子设备,对小型且支持大功率的电子元器件的需求都日益高涨。在贴片电阻器领域,
    以1005尺寸实现0.33W!ROHM开发出高抗浪涌贴片电阻器
  • 罗姆即将亮相2026深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会
    全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)宣布,将于8月26日~28日参展深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会(简称PCIM Asia Shenzhen)。作为电力电子领域技术创新与发展的专业平台,该展会聚焦工业、智能运动及电动汽车等核心应用场景,集中展示前沿解决方案。 在本次展会上,罗姆将围绕“AI服务器”、“车载”、“工业设备”和“应用案例”四大主题设置展区,集中展示其在功率半导
    罗姆即将亮相2026深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会
  • ROHM开发出实现业界超宽安全工作区(Wide-SOA)的MOSFET
    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布,面向车载安全功能和保护电路开发出100V耐压MOSFET“RS4P063BPHZG”。 近年来,随着汽车电子化的发展,要求车载系统能够满足高电压和高电流的需求。尤其是在安全功能和保护电路中,异常或紧急状态下会产生瞬时高功率负载,因此用来驱动的MOSFET需要具备更宽的SOA范围。迄今为止,ROHM面向AI服务器和工业设备电源,已经推出了以Wi
    ROHM开发出实现业界超宽安全工作区(Wide-SOA)的MOSFET
  • 顶面散热新封装!ROHM推出高耐压且散热性能优异的SiC MOSFET
    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布,推出SiC MOSFET的TSC3PAK(14.00×18.58×3.50mm)封装。新产品为可自动安装的表贴型产品,通过采用将散热面置于封装顶部的结构,实现了与插装型封装(TO-247-4L)同等级别的散热性能。在将该器件用于电动汽车(xEV)的车载充电器(OBC)和电动压缩机等应用时,可有助于提升功率转换电路的效率和可靠性。 新产品通过采
    顶面散热新封装!ROHM推出高耐压且散热性能优异的SiC MOSFET
  • ROHM开发出实现业界超低损耗的650V耐压IGBT
    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布,开发出650V耐压第4代IGBT*1,新产品非常适用于车载电动压缩机、HV加热器以及工业设备用变频器等应用。作为支持车载应用的650V级产品,实现了业界超低导通损耗VCE(sat)=1.55V,同时具备出色的短路耐受能力*²,符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101*³。 该产品通过改善工艺以及包括外围结构在内的器件结构,提高了电流密度,同
    ROHM开发出实现业界超低损耗的650V耐压IGBT
  • ROHM开发出超小安装面积的升降压电源电路板
    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布,推出新参考板“BD83070GWL-EVK-002”,使用该参考板可更大程度地评估高效率且超低消耗电流的电源IC“BD83070GWL”的特性。 近年来,可穿戴设备、移动设备、IoT设备等电池供电的电子设备已在各种场景中得到广泛应用。为提高设计灵活性并增加新功能,这些设备中所搭载的元器件不仅要实现小型化,还需满足低功耗要求以延长电池续航时间。
    ROHM开发出超小安装面积的升降压电源电路板
  • 罗姆将携多元解决方案亮相electronica Shanghai 2026
    全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)宣布,将于7月1日~3日参加2026慕尼黑上海电子展(electronica Shanghai 2026)。届时,罗姆将在上海新国际博览中心N4馆500号展位,集中展示其面向AI服务器、车载及工业设备等领域的多元化产品与解决方案,以及丰富的应用案例。 当前,AI算力基础设施、新能源汽车和工业智能化正在推动电子系统向更高功率密度、更高能效和更高可靠性方向
    罗姆将携多元解决方案亮相electronica Shanghai 2026
  • ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品
    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布,推出600V耐压超级结MOSFET*1新产品“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”。 为满足各种应用对电源更小型和更高效率日益增长的需求,在现有封装基础上,新增了DFN8080-5L(8.0 × 8.0 × 0.85mm)和TOLL(11.68 × 9.9 × 2.3mm)两种表贴型新系列产品。新产品不仅更小、更薄,还具备优异的散
    ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品
  • 罗姆参展PCIM Europe 2026
    全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)宣布,将参展2026年PCIM欧洲展览会暨研讨会(PCIM Expo & Conference 2026)。该展会是全球电力电子、智能运动、可再生能源及能源管理领域的国际顶级盛会,将于2026年6月9日至11日在德国纽伦堡举办。 今年,罗姆诚邀各位来宾莅临9号展厅的318号展位——与去年位于同一展厅,但位置不同。今年的展台设计焕然一新,展现出罗
    罗姆参展PCIM Europe 2026
  • ROHM面向车载48V系统开发出MOSFET新产品“AG16xFNxx系列”!
    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布,面向车载应用中日益普及的48V电源系统,推出80V耐压MOSFET“AG16xFNxx系列”。 新产品采用HPLF5060(4.9mm×6.0mm)和DFN3333(3.3mm×3.3mm)封装,与车载MOSFET中常见的TO-252(6.6mm×10.0mm)等封装相比,有望进一步实现小型化。另外,HPLF5060封装采用鸥翼型引脚*1,D
    ROHM面向车载48V系统开发出MOSFET新产品“AG16xFNxx系列”!
  • 罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元
    全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)宣布,其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU(电池备份单元)中。随着生成式AI的普及,AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC(高压直流供电)架构演进,在这种背景下,罗姆的SiC MOSFET产品被选定为支撑下一代电源系统的SiC功率器件。 随着生成式AI的普及,GPU的性能不断提升,数据中心的功耗急剧增加。针对这一课题,相
    罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元
  • ROHM推出适用于车载SoC的具有出色扩展性的电源解决方案
    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布,推出PMIC*1“BD968xx-C系列”和DrMOS*2“BD96340MFF-C”相结合的新电源解决方案,该方案非常适用于ADAS(高级驾驶辅助系统)、DMS(驾驶员监控系统)和感测摄像头等车载应用的SoC*3。 该解决方案可根据SoC的应用场景和性能要求,灵活组合Main Configurable PMIC*4、Sub PMIC和DrM
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    05/20 07:22
    ROHM推出适用于车载SoC的具有出色扩展性的电源解决方案
  • ROHM开发出第5代SiC MOSFET,高温下导通电阻可降低约30%!
    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布,开发出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”,该产品非常适用于xEV(电动汽车)用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。 ROHM在开发第5代SiC MOSFET的过程中,通过改进器件结构并优化制造工艺,与以往的第4代产品相比,成功地将功率电子电路实际使用环境中备受重视的高温工作时(T
    ROHM开发出第5代SiC MOSFET,高温下导通电阻可降低约30%!

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