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光刻胶

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光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶（包括紫外正、负性光刻胶）、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业。光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要

光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶（包括紫外正、负性光刻胶）、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业。光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要收起

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    光刻胶 光刻技术
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  • 半导体光刻胶去胶液（剥离液）国产方案 - 亦盛科技
    亦盛科技推出光刻胶去胶液产品，助力半导体图形化工艺洁净升级 在半导体芯片制造的光刻工艺中，去胶（即光刻胶去除）是必不可少的关键环节。无论是刻蚀、离子注入后的残留光刻胶清除，还是晶圆制程中的表面净化，去胶液（剥离液） 的性能直接关系到后续工艺的稳定性和芯片最终良率。 广州亦盛环保科技有限公司（以下简称“亦盛科技”）依托在半导体湿电子化学品领域十余年的技术积累，正式推出高性能光刻胶去胶液系列产品，为半
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  • 国产光刻胶关键一跃！KrF 原料自主、ArF 规模量产
    近期，国产高端光刻胶领域接连迎来重磅产业化突破：南大光电 ArF 光刻胶完成头部晶圆厂认证并进入规模化量产，八亿时空则在 2026 年 1 月 9 日通过投资者互动平台确认，公司国内首条百吨级半导体 KrF 光刻胶树脂高自动化柔性 / 量产双产线已建成并顺利投产。一上一下、一主一辅，让国内首次真正打通原料、配方、量产的高端光刻胶全链条，说明我国半导体核心材料正式从实验室突围迈向产业化站稳。 KrF
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  • 光刻胶的台阶高度测量-3D白光干涉仪
    1 、引言 PLC（平面光波导）作为集成光学领域的核心器件，其内部图形凹槽的深度是决定光传输路径、模式耦合效率及信号传输损耗的关键参数。在PLC制备过程中，光刻、蚀刻等工艺易导致凹槽深度出现偏差，过深会破坏波导芯层完整性，过浅则无法实现光信号的有效约束与隔离，直接影响器件性能。传统凹槽深度测量方法存在测量范围有限、易损伤器件表面等缺陷，难以满足PLC高精度检测需求。3D白光干涉仪凭借非接触测量特性
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  • 豪掷 20 亿！押注南通，猛攻光刻胶！
    艾森股份宣布在南通市经济技术开发区设立全资子公司，投资建设集成电路材料华东制造基地项目，总投资预计达20亿元，规划用地约159亩，计划于2035年达产。项目一期预计2028年投产，二期2030年投产，主要产品涵盖半导体用光刻胶及配套树脂、电镀液、高纯试剂等关键材料，旨在全面提升公司产能，抢占市场先机，并通过多元化产品矩阵完善业务布局，增强客户粘性。
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    01/29 15:22
    光刻胶
  • 2025年光刻胶产业链研究报告
    光刻胶在中国半导体产业中占据核心地位，但大部分高端市场份额被日本企业掌握。中国光刻胶市场存在结构性短板，尤其在半导体光刻胶领域，国产化率极低。尽管国内企业在PCB和显示光刻胶领域取得突破，但仍面临上游原材料和技术壁垒。中国政府出台多项政策支持光刻胶国产化进程，并鼓励产业链协同创新。未来，随着产能建设和技术创新，中国有望打破光刻胶依赖进口的局面。
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    01/21 10:23
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  • EUV光刻，卡在了光刻胶上
    EUV光刻胶的大批量生产尚未完成，现有光刻胶薄膜难以满足尖端半导体制造商的标准。三井化学研发的碳纳米管薄膜虽有潜力，但在耐用性和透光率之间存在权衡。尽管多家公司在竞争下一代光刻胶，但具体谁能成功仍有不确定性。随着EUV光刻需求的增长，谁能在这一领域取得突破将影响深远。
    1700
    2025/12/18
    光刻胶 EUV光刻
    EUV光刻，卡在了光刻胶上
  • 日本供应占90%，国产率不足5%：中国光刻胶谁在破局？
    中国光刻胶市场规模达128亿元，国产化率不足5%，日本垄断高端市场。面对日本出口管制政策的压力，国产光刻胶企业纷纷崛起，南大光电、彤程新材、晶瑞电材、上海新阳、鼎龙股份等多家企业在ArF、KrF光刻胶方面取得突破。此外，徐州博康、容大感光、恒坤新材、山东同益、星泰克、华睿芯材等企业也在积极研发和生产各类光刻胶产品，推动中国半导体产业链的发展。
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    2025/11/27
    光刻胶
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  • 国产光刻胶走到哪了？
    近日，日本首相高市早苗发表涉台错误言论，引发中日新一轮外交风波，这一事件将高度依赖日本供应链的“光刻胶”推向了风口浪尖。日本企业长期垄断着全球光刻胶市场，尤其在高端领域占据90%以上市场份额。光刻胶，这种对光敏感的混合液体，已成为中日科技博弈中最敏感的神经末梢，也是中国半导体产业链必须攻克的“皇冠明珠”。 在此背景下，本文系统梳理下半导体光刻胶产业的产业格局、技术壁垒与国产替代进展，希望给行业相关
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    2025/11/27
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  • 光刻胶参数对工艺的影响
    光刻胶参数调节涉及匀胶、前烘、曝光、显影和后烘五个环节。匀胶时，转速和环境温湿度影响膜厚均匀性；前烘温度和时间影响显影对比度和附着力；曝光能量和光强均匀性决定分辨率；显影液浓度、时间和温度影响显影效果；后烘温度影响图形保真性和抗蚀能力。
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    2025/11/20
    光刻胶
  • 福建诞生243亿光刻胶IPO！股价大涨260%
    恒坤新材成功登陆科创板，成为国内12英寸晶圆制造先进制程上出货量最大的光刻胶企业。公司自产光刻材料销售规模累计超过55000加仑，自产产品收入占比超过86%，实现了境内外部产品的替代。公司自产光刻材料包括SOC、BARC、KrF光刻胶、i-Line光刻胶等，已通过验证并小规模销售。未来，公司将继续推动集成电路关键材料的国产化进程。
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    2025/11/19
    IPO 光刻胶
    福建诞生243亿光刻胶IPO！股价大涨260%
  • 重大突破！我国光刻领域迎来新进展
    北京大学彭海琳教授团队利用冷冻电子断层扫描技术首次揭示了光刻胶显影过程中的微观机制，解决了长期以来困扰芯片制造领域的“黑箱”问题。团队发现光刻胶并非简单溶解，而是主要吸附在气液界面上，并形成约30纳米的团聚颗粒，导致线路质量问题。通过提高曝光后烘烤温度和优化显影液流动性，成功降低了光刻胶残留缺陷，实现了从“蒙着眼试”到“看着显微镜修”的转变。这一突破不仅提升了芯片良率，还开启了半导体制造更多“黑箱”的可视化时代，标志着中国科研团队在先进制程领域取得重大进展。
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    2025/10/30
    芯片制造 光刻胶
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