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光刻胶

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光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶（包括紫外正、负性光刻胶）、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业。光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要

光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶（包括紫外正、负性光刻胶）、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业。光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要收起

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  • Lift-off光刻胶怎么选？膜厚、undercut与剥离工艺的匹配逻辑
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  • 光刻胶巨头，集体涨价
    近期，日本三大光刻胶巨头JSR、东京应化、信越化学联合宣布，自2026年10月1日起对全球客户执行全新定价体系。业界认为，此轮涨价由供需关系紧张、成本上升及产业格局变化共同驱动。在巨头涨价的带动下，半导体产业将受何影响，国内光刻胶厂商又将何去何从？
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  • 氦气、石脑油、光刻胶，半导体工厂的三大命门
    本文通过追踪氦气、石脑油和光刻胶的供应链，探讨了它们在全球半导体制造中的重要性和潜在的供应风险。文章指出，氦气供应中断可能导致干法刻蚀工艺无法进行，而石脑油及其衍生材料则是半导体制造设备的关键耗材。尽管石脑油的供应相对稳定，但由于其在半导体材料中的用量极少，一旦供应受阻，半导体工厂可能会受到影响。相比之下，氦气供应中断的风险更大，因为它直接影响到多种关键工艺，尤其是高端逻辑芯片的生产。文章还预测了未来可能出现的供应瓶颈和停产时间表，强调了氦气供应对于半导体行业的重要性。
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    半导体制造 光刻胶
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  • 怎么解决光刻胶 RLS 三角矛盾问题
    光刻胶灵敏度、分辨率、LER三角矛盾如何解决？重点在于金属氧化物光刻胶（尤其是锡基胶）的突破，通过提高光子吸收效率和使用分子玻璃光刻胶降低LER。工艺层面可通过控制酸扩散、显影工艺优化、底层和叠层优化以及后处理平滑来改善RLS平衡。系统/计算层面则需要进行随机效应建模与管理、计算光刻与OPC、以及采用高NA EUV提升光学分辨率。最后，可以通过提高光刻胶曝光剂量来换取LER和良率。
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    08/06 00:03
    光刻胶
  • 光刻胶发展背景及不同曝光波长光刻胶放大原理
    光刻胶是集成电路制造的关键材料，随着制程进步，光刻胶性能不断提升。从早期的g线和i线光刻胶到最新的EUV光刻胶，光刻胶的分辨率和灵敏度持续改进。光刻胶主要由树脂、光敏剂和添加剂组成，不同波长的光源对应不同的光刻胶配方。例如，ArF光刻胶采用聚甲基丙烯酸脂类树脂，而EUV光刻胶则面临更高的技术挑战，需要高效吸收高能量光子并保持薄膜厚度。未来，EUV光刻胶的研发将继续推动半导体制造技术的进步。
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    07/27 13:36
    光刻胶
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  • 日本，不敢断供光刻胶
    日本四大光刻胶巨头宣布全面停止接收中国订单，引发广泛关注。然而，海关数据显示中国进口光刻胶并未显著下降，且此前已有类似传言。尽管日本尚未正式辟谣，此事件仍引起巨大关注，反映出高端光刻胶对中国半导体产业的重要性。光刻胶作为芯片制造的关键材料，其性能直接影响产品质量和产量。中国正加速推动光刻胶国产化进程，部分企业已取得进展，但仍需克服技术瓶颈。
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    07/23 14:01
    光刻胶
  • 光刻胶为什么被日本垄断？
    光刻胶是半导体制造的关键材料，尤其在日本企业长期主导高端市场。其难点在于要在分辨率、灵敏度、线边粗糙度等多个因素间找到最佳平衡，涉及复杂的化学反应和体系能力。日本企业的优势在于长期积累的精细化工技术和材料供应链，以及与客户的紧密合作和长期验证。国产替代应采取分层突破策略，从成熟制程开始逐步积累数据和信任，同时补全上游产业链和技术体系。
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    07/13 08:39
    光刻胶
  • 去胶液/光刻胶剥离液/去光阻剂/替代进口材料/更环保——亦盛科技
    一、什么是半导体去胶液（光刻胶剥离液）？ 材料类型定位 半导体去胶液（Photoresist Stripper / Remover）是一种专用于半导体晶圆制造与封装工艺中去除光刻胶的高纯湿化学品，属于光刻胶剥离液类别。在光刻、刻蚀、离子注入、金属沉积等工艺完成后，晶圆表面的光刻胶必须被彻底清除，否则残留的有机胶膜会导致后续工艺缺陷（如接触电阻增大、金属层附着不良、图形短路等）。 传统去胶方案中，N
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    SPM（食人鱼溶液）是一种硫酸-双氧水混合液，专用于去除重度有机污染。离子注入后的光刻胶因碳化层致密而难以去除，SPM可通过其氧化能力和脱水作用彻底清除残留。Tom的业务涉及晶圆电镀液和电镀设备。
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  • 2025年中国光刻胶行业供需现状及前景展望：政策大力支持，国产化进程加速「图」
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    光刻胶
  • 光刻胶供应，有新门槛
    光刻胶是唯一受石脑油危机和全氟烷基物质危机影响的材料，其生产和使用高度依赖石脑油裂解产物和PFAS。由于全球光刻胶市场主要由日本公司主导，且日本企业在PFAS法规下的供应受限，可能导致全球半导体制造面临严重危机。光刻胶供应中断将直接影响先进工艺节点的生产，造成全面停工。
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    05/02 09:25
    光刻胶 光刻技术
    光刻胶供应，有新门槛
  • 半导体光刻胶去胶液（剥离液）国产方案 - 亦盛科技
    亦盛科技推出光刻胶去胶液产品，助力半导体图形化工艺洁净升级 在半导体芯片制造的光刻工艺中，去胶（即光刻胶去除）是必不可少的关键环节。无论是刻蚀、离子注入后的残留光刻胶清除，还是晶圆制程中的表面净化，去胶液（剥离液） 的性能直接关系到后续工艺的稳定性和芯片最终良率。 广州亦盛环保科技有限公司（以下简称“亦盛科技”）依托在半导体湿电子化学品领域十余年的技术积累，正式推出高性能光刻胶去胶液系列产品，为半
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    半导体材料 光刻胶
  • 原料断供！日本光刻胶巨头告急！
    中东冲突导致石脑油供应中断，严重影响光刻胶生产，日本光刻胶巨头面临原材料采购中断，全球半导体供应链面临挑战。
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    04/29 00:53
    光刻胶
  • 金刻蚀液的配方及原理
    I2/KI/H2O体系是一种经济、环保且兼容标准光刻胶的经典金湿法刻蚀液。其配方分为标准版、快速版和慢速版，分别适用于不同刻蚀速度的需求。配制时应先溶解KI后再加入I2。该体系主要通过生成易溶的三碘阴离子(I3-)来氧化金并将其溶解，对其他常见材料选择性高，适合精密制造工艺。
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    光刻胶
  • 手把手教你如何做EUV光刻机：从锡液滴到13.5纳米光，每一步都是工程极限
    EUV光刻机因其复杂的物理和工程挑战而成为半导体行业的垄断者，其高昂的成本源于光源、反射镜、光罩和光刻胶等多个环节的高精度要求。当前主要面临能量损耗、光学元件制造难度和光刻胶灵敏度等问题。尽管如此，仍有改进空间，例如使用更高效的光源、优化反射镜设计和开发新型光刻胶，有望降低成本并提高产量。
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    04/20 14:46
    ASML 光刻胶
  • 国产光刻胶关键一跃！KrF 原料自主、ArF 规模量产
    近期，国产高端光刻胶领域接连迎来重磅产业化突破：南大光电 ArF 光刻胶完成头部晶圆厂认证并进入规模化量产，八亿时空则在 2026 年 1 月 9 日通过投资者互动平台确认，公司国内首条百吨级半导体 KrF 光刻胶树脂高自动化柔性 / 量产双产线已建成并顺利投产。一上一下、一主一辅，让国内首次真正打通原料、配方、量产的高端光刻胶全链条，说明我国半导体核心材料正式从实验室突围迈向产业化站稳。 KrF
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    03/09 23:41
    光刻胶
  • 光刻胶的台阶高度测量-3D白光干涉仪
    1 、引言 PLC（平面光波导）作为集成光学领域的核心器件，其内部图形凹槽的深度是决定光传输路径、模式耦合效率及信号传输损耗的关键参数。在PLC制备过程中，光刻、蚀刻等工艺易导致凹槽深度出现偏差，过深会破坏波导芯层完整性，过浅则无法实现光信号的有效约束与隔离，直接影响器件性能。传统凹槽深度测量方法存在测量范围有限、易损伤器件表面等缺陷，难以满足PLC高精度检测需求。3D白光干涉仪凭借非接触测量特性
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    02/04 14:35
    半导体 光刻胶
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    02/03 16:08
    半导体 光刻胶
  • 豪掷 20 亿！押注南通，猛攻光刻胶！
    艾森股份宣布在南通市经济技术开发区设立全资子公司，投资建设集成电路材料华东制造基地项目，总投资预计达20亿元，规划用地约159亩，计划于2035年达产。项目一期预计2028年投产，二期2030年投产，主要产品涵盖半导体用光刻胶及配套树脂、电镀液、高纯试剂等关键材料，旨在全面提升公司产能，抢占市场先机，并通过多元化产品矩阵完善业务布局，增强客户粘性。
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    01/29 15:22
    光刻胶

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