硅基材料

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以硅材料为基础发展起来的新型材料。包括绝缘层上的硅材料、锗硅材料、多孔硅、微晶硅以及以硅为基底异质外延其他化合物半导体材料等。

以硅材料为基础发展起来的新型材料。包括绝缘层上的硅材料、锗硅材料、多孔硅、微晶硅以及以硅为基底异质外延其他化合物半导体材料等。收起

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  • 穿透式解析高压电网中SiC与硅基功率器件的博弈
    本文介绍了不同功率器件在电网中的应用及其性能特点,详细比较了硅基晶闸管、硅基IGCT、硅基IGBT和碳化硅MOSFET的优劣。针对高压场景,探讨了碳化硅厚外延层的需求和技术挑战,指出超高压器件的科研进展。同时,分析了传统电网、新能源基建与智能电网、数据中心自建微电网对功率器件的特殊需求。最后,阐述了电网架构之争,即华为数字能源与国网系的技术哲学差异,并预测碳化硅器件在未来电网中的商业化趋势。
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  • 一家负极独角兽,30年磨一“硅”的故事
    天目先导在硅基负极赛道中通过精准的战略布局和技术创新,赢得了市场认可和资本青睐。面对新一轮扩产周期,天目先导坚持不重仓上游资产,而是聚焦电化学和工艺体系,通过早期的小型流化床设备验证技术和快速迭代,建立了显著的时间壁垒。在高端消费电子和国际市场上,天目先导的产品得到了广泛的应用和认可,展示了其在硅碳负极产业化中的领先地位和技术实力。
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  • 硅之外的选择:非硅基材料如何推动半导体创新?
    在我们的日常生活中,硅早已是无处不在的隐形力量——从智能手机到笔记本电脑,再到汽车和家用电器,硅基半导体驱动着现代电子世界。此次,香港城市大学电子工程学院的Steven博士,为我们解析了当前非硅基材料类型与发展现状。
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  • 头部电池企业“角力”硅基负极
    大圆柱风潮或带动硅基负极批量商用。2024开年,硅基负极领域的技术角力已经拉开。新年伊始,包括宁德时代、亿纬锂能、国轩高科等头部电池企业均已公布硅基负极相关专利进展,宁德时代在2月1日公布的一项硅基负极专利中涉及硅碳负极复合材料及其制备方法;亿纬锂能在1月16日公布的一项硅基负极专利中主要基于硅基负极复合或包覆的方法,以合成复合负极材料;国轩高科于2月6日公布的硅负极专利主要在于提供夹层式硅负极电池片制备方法。
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  • 庆尚国立大学研究团队开发新型四面体硅基板溶液工艺用Host物质
    韩国庆尚国立大学自然科学学院化学系金允熙教授团队与庆熙大学徐敏哲教授团队共同宣布,成功开发出具有高三重态激子能量的新型四面体硅基溶液工艺用Host(主机)材料。
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