18nm FD-SOI+ePCM 技术平台全景解析 —— 新一代高性能 MCU 核心发展路线
**摘要:** 本文介绍了先进嵌入式非易失存储技术在微控制器SoC中的重要性和挑战。随着工艺进步,传统浮栅存储技术面临成本上升、漏电流增大和存储密度不足等问题。因此,18nm FD-SOI工艺配合嵌入式相变存储器ePCM成为解决这些问题的核心方案。该方案通过FD-SOI工艺抑制短沟道效应并降低静态漏电流,同时采用ePCM进行后端集成,解决了传统存储技术的难题。此外,该方案还具备出色的模拟兼容性和可靠性,适用于汽车、工业和物联网等多个领域。