SiC CJFET

• 摆脱工艺“玄学”，国产SiC JFET走出鸡肋困境

  平湖实验室发布750V沟槽型SiC JFET器件，通过浅沟槽自对准注入工艺解决了传统工艺的制程耦合难题，提升了器件参数一致性与量产可行性，使其具备工程实用价值。这一技术突破有助于固态断路器克服长期导通与偶尔断开的矛盾，提高可靠性，降低系统维护成本。

  碳化硅内参

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  07/20 16:37

  SiC SiC CJFET
• 详解Cascode SiC JFET在LLC拓扑中的应用：死区时间控制及损耗优化方法

  安森美发布了一份关于共源共栅碳化硅结型场效应晶体管（CJFET）在LLC谐振变换器中的应用手册。手册详细介绍了如何使用外部Cds降低功率损耗，同时解决了因外部Cds引入的死区时间延长问题。此外，还探讨了如何通过RC或纯电容缓冲电路限制高电流关断工况下的dv/dt，从而进一步降低开关损耗。

  安森美半导体

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  07/15 08:35

  场效应晶体管 SiC CJFET
• 详解Cascode SiC JFET在LLC中的应用：优势与dv/dt 控制

  共源共栅碳化硅结型场效应晶体管（CJFET）因其高耐压、低导通损耗和高速开关等特点，在LLC谐振变换器中有广泛应用前景。然而，其关断时较高的电压变化率（dv/dt）可能导致电压过冲、EMI等问题，尤其是在高电流工况下。本文提出了一种通过在器件两端并联电容缓冲电路（C-snubber）来控制dv/dt的方法，从而降低开关损耗。实验结果表明，这种策略在大电流LLC设计中能够有效提升系统效率。此外，文章还探讨了外部Cds对死区时间和dv/dt的影响，为实际应用提供了指导。

  安森美半导体

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  07/08 09:35

  LLC SiC CJFET

  
• 迈向AI供电800V时代：安森美以SiC JFET方案加速高压电源转换升级

  AI推动半导体电源变革，数据中心向解耦式架构转型，高压中间总线转换器（HV IBC）成为关键环节。预计到2031年市场规模达11亿美元，其中800V转48V模块贡献约6亿美元。传统GaN方案面临导通电阻随温升增加的问题，安森美推出SiC JFET方案，具有低导通电阻、高开关速度和更好的温度稳定性，适用于HV IBC应用，实现更高功率密度和能效比。

  安森美半导体

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  07/05 14:38

  SiC 高压电源
• 碳化硅赋能浪潮教程：利用SiC CJFET替代超结MOSFET

  摘要：碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC 尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。我们已经介绍了《碳化硅如何革新电源设计、工业与服务器电源》《三种替代Si和SiC MOSFET的方案》《SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析》。本文将介

  与非网编辑

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  06/16 10:25

  碳化硅 MOSFET

  
• 碳化硅赋能浪潮教程：CJFET缓冲电路的设计逻辑

  碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等领域掀起技术变革。本教程聚焦SiC尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。文章详细介绍了三种替代Si和SiC MOSFET的方案，并深入解析了SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET的特点及其在实际应用中的优势。通过缓冲电路的设计，特别是RC缓冲电路，可以显著降低开关损耗，提高电源效率和可靠性。最终，碳化硅的应用不仅提升了电源系统的性能，还降低了散热需求和成本，推动了数据中心和其他高能耗领域的绿色转型。

  安森美半导体

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  05/14 13:49

  碳化硅 SiC CJFET
• 碳化硅赋能浪潮教程：利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET

  碳化硅（SiC）在服务器、工业电源等领域带来技术变革。本文重点介绍SiC CJFET替代超结MOSFET的优势，包括降低反向恢复电荷、提高开关速度和导通效率。通过对比安森美UJ4C075033K3S CJFET与Si SJ MOSFET的关键特性，展示了CJFET在电源设计中的高效性和稳定性。此外，文章还探讨了SiC CJFET在同步整流、全桥移相有源桥零电压转换等电源应用中的具体优势和性能表现。

  安森美半导体

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  04/15 13:26

  碳化硅 SiC CJFET

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