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碳化硅赋能浪潮教程:利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET
碳化硅(SiC)在服务器、工业电源等领域带来技术变革。本文重点介绍SiC CJFET替代超结MOSFET的优势,包括降低反向恢复电荷、提高开关速度和导通效率。通过对比安森美UJ4C075033K3S CJFET与Si SJ MOSFET的关键特性,展示了CJFET在电源设计中的高效性和稳定性。此外,文章还探讨了SiC CJFET在同步整流、全桥移相有源桥零电压转换等电源应用中的具体优势和性能表现。
安森美半导体
174
04/15 13:26
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