SiC供给缺口依旧，罗姆计划加大投资9年增产25倍

近日，罗姆公布了2022年的财报情况。

2022年上半财年（2022年4月-2022年9月），罗姆集团的销售额约2600亿日元，折合130亿人民币左右，同比增长16.7%；营业利润504亿日元，同比增长46%；纯利润521亿日元，同比增长69.2%。

基于上半年的数据，加上下半年的实际情况，罗姆预计2022财年（2022年4月-2023年3月）全年的销售额约5200亿日元，折合250-260亿人民币左右，同比增长15%；营业利润900亿日元，同比增长25.9%；纯利润800亿日元，同比增长19.7%。

汽车电子成为拉动罗姆营收的主力军

在细分赛道方面，汽车市场增长最快，销售额增长率达到了24.3%；接下来是计算机&存储设备和工业市场，销售额增长率分别达到了22.7%和11.6%；通信和消费电子稍弱，销售额增长率分别为7.1%和4.6%。

值得一提的是，在地域表现方面，中国市场增长很强劲，达到了30.9%，主要表现在汽车电子方面。

需求旺盛，罗姆计划加大SiC投资力度

为了满足不断增长的市场需求，罗姆正在不断地进行设备投资，2021-2025五年投入1700-2200亿日元，尤其是在功率器件方面，罗姆给出了复合年增长25%的销售预期，预计从2024-2026三个年度有近9000亿日元的市场待开拓。

说到功率器件，我们不得不提到SiC市场。根据Yole发布的数据显示，2021年全球SiC功率器件的市场规模在10.9亿美元左右，到2027年，该规模将增长至62.97亿美元，2021-2027年年复合增长率（CAGR）达到34%。其中，新能源汽车和光伏储能将成为SiC市场增长的主要驱动力。

罗姆是SiC领域的老兵，从2000年开始研发SiC产品，至今已经有20多年的历史。同时，由于采用了IDM垂直统合型的生产体制，具有供货稳定、产品易追溯和更快的技术支持响应等优势。

图 | 罗姆SiC的开发历史

我们具体来看一下罗姆的IDM结构，其晶圆是在集团旗下德国SiCrystal公司完成，器件的生产是集中在日本福冈（Fukuoka）和宫崎（Miyazaki）两个基地，封装后续分布在全球，主要是京都本土、韩国或者泰国等封装工厂。

此外，为了进一步加强生态的建设，共同提高产品面世的竞争力，罗姆还和很多客户展开了技术上的合作。比如，2020年与纬湃科技合作开发碳化硅电源解决方案，同年与臻驱科技建立了联合实验室，进行以碳化硅为主的电源解决方案的开发；2021年与吉利签署了战略合作协议，与正海集团成立碳化硅功率模块合资公司海姆希科，同年，被UAES(联合电子)公司认证为碳化硅功率器件解决方案的首选供应商，产品用于逆变器；2022年，Lucid公司OBC应用了罗姆的SiC MOSFET。同年，罗姆的SiC MOSFET也通过了赛米控公司的认证，应用在其eMPack®模块里面。

图 | 罗姆SiC器件的市场实绩

在市场方面，SiC的主要市场有电动汽车中的OBC、DC-DC、主驱动器等，工业中的工业机器大型电机、感应加热器、高频加热器、电池检验设备等，新能源中的太阳能、蓄电活动、UPS以及服务器、基站等。其中，电动汽车和工业市场占据罗姆SiC业务的60%-70%份额。

图 | 罗姆SiC器件的增产计划

罗姆方面认为，面向急剧增长的需求，SiC市场近几年都会有供给缺口，因此计划大幅度提升产能，相比2021年，预计2025年产能提升6倍，到2030年提升25倍。

为提高竞争力，罗姆SiC产品性能不断攀升

2015年，罗姆发布了第三代也是第一款商用沟槽结构的SiC MOSFET产品，支持18V驱动。2021年，罗姆实现了第4代SiC产品的量产，对比罗姆的第三代SiC MOSFET产品，第四代SiC MOSFET具有导通电阻更低的特点。根据测试结果显示，在芯片尺寸相同且在不牺牲短路耐受时间的前提下，罗姆采用改进的双沟槽结构，使得MOSFET的导通电阻降低了约40％导通损耗相应降低。并且无论是常温25℃还是高温的175℃，都能够实现比较低的低导通阻抗。

图 | 罗姆第四代SiC产品的进化

同时，罗姆还对第四代SiC MOSFET进行了电容比的优化，大大提高了栅极和漏极之间的电容（C_GD）与栅极和源极之间的电容（C_GS）之比，从而减少了寄生电容的影响。比如，可以减小在半桥中一个快速开关的SiC MOSFET施加在另一个SiC MOSFET上的高速电压瞬变（d_VDS/dt）对栅源电压VGS的影响。这将降低由正V_GS尖峰引起的SiC MOSFET意外寄生导通的可能性，以及可能损坏SiC MOSFET的负V_GS尖峰出现的可能性。

耐压方面，第三代SiC MOSFET产品中650V系列的耐压，第4代产品从650V提高到750V，更便于客户的方案设计。

图 | 罗姆SiC器件路线图

总之，相比第三代产品，第四代SiC MOSFET具有低损耗、使用简单和高可靠性的特点。未来，罗姆计划将在2025年、2028年分别推出第5代、第6代SiC产品，相较于第四代SiC产品，其导通电阻将逐代降低30%。同时为了继续降低SiC器件的成本，罗姆将进一步增加晶圆的直径，在2023年实现200mm即8英寸衬底的量产。在提高电流输出方面，罗姆将增加单个元件尺寸，从2015年开始主流的25平方毫米最大规格，扩展至2024年的50平方毫米。