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前不久，安徽、湖北以及山东新增多个IGBT项目；近日,江苏、四川相继传来相关IGBT基板/模块项目新动态，总投资达32亿元：
○ 晶益通：IGBT模块项目正式开工，项目总投资12亿元；
○ 威斯派尔半导体：IGBT基板一期项目预计6月完工，项目总投资10亿元；
○ 中江新材料：IGBT基板项目主体亿封顶，预计10月底竣工投产，项目总投资10亿元。
晶益通：IGBT模块项目正式开工
4月18日，据“本坚基金”消息，晶益通（四川）半导体科技有限公司在内江市举行IGBT模块材料和封测模组产业园项目开工仪式。
据了解，该项目总投资12亿元，总占地150亩，拥有国内先进的高端精密加工技术，将建成集大功率IGBT模块材料、封装基板与封测材料、半导体设备精密零部件等于一体的全产业链条，与内江市高新区内长川科技、明泰微电子等骨干企业互为配套，预计今年可实现过渡产值8000万元，全面达产后可实现年产值10亿元，年税收1.5亿元，为内江市建设百亿级电子信息产业集群注入强劲动力。
公开资料显示，晶益通（四川）半导体成立于2023年，立志成为中国半导体封装和测试零部件、模组和精密加工的平台企业。
威斯派尔半导体：IGBT基板项目即将完工
4月23日，“工程建设验收公示网”公示《IGBT用覆铜陶瓷基板产业化项目》水土保持方案报告表。公示期为2024年4月23日-2024年5月21日。
据了解，该项目由南通威斯派尔半导体技术有限公司建设，项目总投资10亿元，其中土建投资6000万元，资金来源为自筹。项目位于南通市通州区南通高新技术产业开发区，分两期建设，一期已于2023年9月开工，预计2024年6月完工；二期预计2026年1月开工，预计2027年5月完工，共27个月。
公开资料显示，南通威斯派尔半导体技术有限公司成立于2020年3月，专注于为IGBT/SiC功率模块提供高可靠性的散热基础材料，全力打造以AMB及DBC技术为基础的覆铜陶瓷基板产品；公司已取得IATF16949:2016认证，产品已达到汽车产品的供应要求，将推动电动汽车、轨道交通、智能电网、风力发电、太阳能、白色家电、航空航天、军工等产业领域的低碳可持续发展。
中江新材料：IGBT基板项目主体封顶
4月23日，“江宁区人民政府”公示《IGBT半导体功率模块覆铜陶瓷基板产业化项目》环评文件审批意见公告。
据了解，该项目由南京中江新材料科技有限公司建设，项目总投资10亿元，主要从事新材料陶瓷覆铜基板的生产、销售和研发，其产品广泛应用于新能源汽车、轨道交通、航天天空、储能、智能电网等产业。项目占地面积33078.16平方米，建筑面积50524.97平方米，建设3栋厂房、1栋办公楼及配套设施，引进1条DBC覆铜陶瓷基板生产线及1条AMB覆铜陶瓷基板生产线，形成年产DBC覆铜陶瓷基板及AMB覆铜陶瓷基板共计1080万片的生产能力。
据“行家说动力总成”此前报道，目前，该项目主体建筑已封顶，正在进行二次结构施工，预计4月底设备陆续进厂安装，10月底竣工投产。
公开资料显示，南京中江新材料成立于2012年8月，是一家致力于新材料散热、导热及制品的研发、生产和销售集为一体化的高科技企业。2023年8月，华为旗下深圳哈勃科技投资合伙企业（有限合伙）入股，持有15%股权。
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